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1. 发明专利

JPWO2012081340A1 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2012081340A1
公开(公告)日：2014-05-22
申请号：JP2012511470
申请日：2011-11-09
申请人： Jx日鉱日石金属株式会社 , Jx日鉱日石金属株式会社
发明人：英生高見 , 英生高見 , 淳史奈良 , 淳史奈良 , 真一荻野 , 真一荻野 , 中村　祐一郎 , 祐一郎中村
IPC分类号： G11B5/851 , B22F3/10 , B22F9/04 , C22C1/04 , C22C1/05 , C22C1/10 , C22C5/04 , C22C19/07 , C22C32/00 , C22C38/00 , C23C14/34 , G11B5/64
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/101 , C22C19/07 , C22C38/002 , C22C2202/02 , C22F1/00 , C22F1/16 , G11B5/851 , H01F41/183 , B22F9/04 , C22C1/05 , B22F3/10
摘要： SiO2を含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであって、B(ボロン)を10〜1000wtppm含有することを特徴とする磁気記録膜用スパッタリングターゲット。ターゲット中に、スパッタリング時のパーティクル発生の原因となるクリストバライトの形成を抑制し、かつバーンイン時間の短縮が可能であり、マグネトロンスパッタ装置で安定した放電が可能な磁気記録膜用スパッタリングターゲットを得ることを課題とする。【採用図】なし

2. 发明专利

JPWO2010101051A1 スパッタリングターゲット及びその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2010101051A1
公开(公告)日：2012-09-06
申请号：JP2010523228
申请日：2010-02-24
申请人： Jx日鉱日石金属株式会社 , Jx日鉱日石金属株式会社
发明人：中村　祐一郎 , 祐一郎中村 , 晃久野 , 晃久野 , 関口　淳之輔 , 淳之輔関口
IPC分类号： C23C14/34 , B22F3/24
CPC分类号： C23C14/3414
摘要：延性に富む物質からなるマトリックス相内に、酸化物、炭化物、窒化物、硼化物、金属間化合物、炭窒化物、その他の延性のない物質が体積比率で1〜50%存在するターゲットであって、最表面に延性に富み導電性を有する金属被覆層を備えていることを特徴とするパーティクルの発生が少ないスパッタリングターゲット。延性のない物質が多く存在するターゲット表面を改善し、スパッタリングの際にノジュールやパーティクルの発生を防止又は抑制できるスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。

3. 发明专利

JPWO2013125469A1 磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法有权
标题翻译：磁性材料的溅射靶及其制造的方法
公开(公告)号：JPWO2013125469A1
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：JP2014500696
申请日：2013-02-15
申请人： Jx日鉱日石金属株式会社 , Jx日鉱日石金属株式会社
发明人：荒川　篤俊 , 篤俊荒川 , 英生高見 , 英生高見 , 中村　祐一郎 , 祐一郎中村
IPC分类号： C23C14/34 , G11B5/851
CPC分类号： H01J37/3429 , C23C14/165 , C23C14/3414 , G11B5/851
摘要：磁性材スパッタリングターゲットであって、ターゲット中の酸化物を観察する平面において、ターゲット中に存在する酸化物粒子の平均粒径が1.5μm以下である酸化物であり、ターゲット中の酸化物を観察する平面において、酸化物粒子の外周上にある任意の2点の距離の最大値を最大径とし、平行な2本の直線で同粒子を挟んだときの2直線間の距離の最小値を最小径とした場合、最大径と最小径の差が0.4μm以下である酸化物粒子が、ターゲット観察面において60%以上を占めることを特徴とする磁性材スパッタリングターゲット。スパッタリング時のパーティクル発生の原因となる酸化物の異常放電を抑制することができる非磁性材粒子分散型磁性材スパッタリングターゲットを得る。【選択図】図1
摘要翻译：溅射靶，在平面中的磁材料，以观察目标中的氧化物，存在于靶的氧化物粒子的平均粒径为氧化物是1.5μm的或更小，以观察目标中的氧化物在平面，氧化物位于颗粒的周围，最大直径，最小直径平行的二夹持在一条直线上对同一粒子时的两条直线之间的最小距离的任何两个点之间的距离的最大值如果最大直径和最小直径之间的氧化物颗粒差为0.4微米或更小，磁性材料溅射靶，在靶观察面，其特征在于占60％或更多。得到非磁性材料颗粒分散的磁性材料的溅射靶可以抑制异常放电的氧化物即溅射时引起颗粒的产生。点域1

4. 发明专利

JPWO2013094605A1 Ｃ粒子が分散したＦｅ−Ｐｔ系スパッタリングターゲット有权
标题翻译：的Fe-Pt系溅射目标C粒子分散
公开(公告)号：JPWO2013094605A1
公开(公告)日：2015-04-27
申请号：JP2013510141
申请日：2012-12-18
申请人： Jx日鉱日石金属株式会社 , Jx日鉱日石金属株式会社
发明人：真一荻野 , 真一荻野 , 佐藤　敦 , 敦佐藤 , 中村　祐一郎 , 祐一郎中村
IPC分类号： C23C14/34 , B22F1/00 , C22C5/04 , C22C38/00
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C5/04 , C22C30/00 , C22C33/0278 , C22C38/002 , C22C2202/02 , C23C14/564 , G11B5/82 , G11B5/851
摘要： Ptが5mol%以上60mol%以下、Cが0.1mol%以上40mol%以下、酸化チタンが0.05mol%以上20mol%以下、残余がFeからなることを特徴とする磁気記録膜用スパッタリングターゲット。高価な同時スパッタ装置を用いることなくグラニュラー構造磁性薄膜の作製を可能にし、さらには、スパッタリング時に発生するパーティクル量を低減した高密度なスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。【選択図】図1
摘要翻译： Pt为少5摩尔％以上60摩尔％，C小于0.1摩尔％以上40摩尔％，20摩尔％的二氧化钛至少0.05％（摩尔）或更少，其余的磁记录膜的溅射靶，其特征在于它由Fe的。它允许产生粒状结构磁性薄膜的不使用昂贵的共溅射装置，进一步，本发明的目的在于提供一种高密度的溅射用期间产生的颗粒的量减少溅射靶。点域1

5. 发明专利

JPWO2013001943A1 Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金スパッタリングターゲット及びその製造方法有权
标题翻译：基于的Co-Cr-Pt-B型合金溅射靶及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2013001943A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2013522531
申请日：2012-05-22
申请人： Jx日鉱日石金属株式会社 , Jx日鉱日石金属株式会社
发明人：雄斗森下 , 雄斗森下 , 真一荻野 , 真一荻野 , 中村　祐一郎 , 祐一郎中村
IPC分类号： C23C14/34 , C22C19/07 , C22C30/00 , C22C30/02 , C22F1/10 , C22F1/14
CPC分类号： C23C14/165 , C22C1/02 , C22C19/07 , C22F1/10 , C22F1/16 , C23C14/3414 , G11B5/851
摘要： 100μm?100μmの面積(視野)内のBリッチな相に、0.1〜20μmのクラックが10個以下であることを特徴とするCo−Cr−Pt−B系合金スパッタリングターゲット。Co−Cr−Pt−B系合金鋳造インゴットを熱間鍛造又は熱間圧延した後、伸長率が4%以下の冷間圧延又は冷間鍛造を行い、機械加工してターゲットに作製し、100μm?100μmの面積(視野)内のBリッチ相中の0.1〜20μmのクラック数を10個以下とする、または、前記インゴットを熱間鍛造又は熱間圧延した後、−196℃〜100℃まで急冷し、機械加工してターゲットに作製することを特徴とするCo−Cr−Pt−B系合金スパッタリングターゲットの製造方法。本発明のターゲットは、漏洩磁束密度が高く、かつBリッチ層にマイクロクラックが少ないため、放電を安定させ、ア−キングを抑制できる。
摘要翻译： 100微米？100微米的区域（视场）的，基于的Co-Cr-Pt-B型合金溅射靶，其中所述裂纹在0.1〜20μm的是10或更小内的富B相。所述--Pt-B型的Co Cr合金铸锭进行热轧锻造或热伸长执行锻造比冷轧或冷的4％后，以制备加工的靶，100微米？ 100μm的区域的裂纹数0.1〜20μM的（视场）的富B相和10或更小，或，将该锭热轧锻造或热，迅速冷却至-196℃至100℃。，制造合金溅射靶的--PT-B-Co基铬方法，其特征在于，通过机械加工产生目标。本发明的目标具有高的漏磁通密度，并且由于微裂纹较少富B层，以稳定放电，A - 可被抑制景。

6. 发明专利

JPWO2012011294A1 パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット有权
公开(公告)号：JPWO2012011294A1
公开(公告)日：2013-09-09
申请号：JP2011514986
申请日：2011-01-28
申请人： Jx日鉱日石金属株式会社 , Jx日鉱日石金属株式会社
发明人：真一荻野 , 真一荻野 , 佐藤　敦 , 敦佐藤 , 中村　祐一郎 , 祐一郎中村 , 荒川　篤俊 , 篤俊荒川
IPC分类号： C23C14/34 , C22C19/07 , G11B5/64 , G11B5/851
摘要： Crが20mol%以下、残余がCoである組成の金属中に、酸化物からなる非磁性材料粒子が分散した非磁性材料分散型強磁性スパッタリングターゲットであって、このターゲット組織が、金属素地に酸化物からなる非磁性材料粒子が分散した相(A)と、前記相(A)の中に、金属素地と異なる成分組成の金属相(B)を有し、前記金属相(B)の最外周より2μm以内に酸化物が占める面積率が80%以下で、かつ、前記相(B)の平均粒径が10μm以上150μm以下であることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲット。スパッタリング時のパーティクルの発生を抑制できるとともに、漏洩磁束を向上させて、マグネトロンスパッタリング装置で安定した放電が可能な強磁性材スパッタリングターゲットを得る。

7. 发明专利

JPWO2011070850A1 Ｃｏ若しくはＣｏ合金相に酸化物相を分散させたスパッタリングターゲット有权
公开(公告)号：JPWO2011070850A1
公开(公告)日：2013-04-22
申请号：JP2011513558
申请日：2010-10-13
申请人： Jx日鉱日石金属株式会社 , Jx日鉱日石金属株式会社
发明人：祐希池田 , 祐希池田 , 中村　祐一郎 , 祐一郎中村 , 真一荻野 , 真一荻野
IPC分类号： C23C14/34 , C22C19/07 , C22C32/00 , G11B5/64 , G11B5/65 , G11B5/851 , H01F10/16
CPC分类号： G11B5/851 , C23C14/3414 , G11B5/65 , H01F10/16 , H01F41/183
摘要： Coを含有する金属マトリックス相と、SiO2を含有し、粒子を形成して分散して存在する6〜14mol%の酸化物の相(以下、「酸化物相」という。)から構成されるスパッタリングターゲットであって、前記金属マトリックス相及び酸化物相を構成する成分以外に、前記酸化物相内又はその表面に点在する0.3mol%以上、1.0mol%未満のCr酸化物を含有し、酸化物相の各粒子の平均面積が2.0μm2以下であることを特徴とするCo若しくはCo合金相に酸化物相を分散させたスパッタリングターゲット。アーキングを低減させ、マグネトロンスパッタ装置で安定した放電が得られ、かつ、高密度でスパッタ時に発生するパーティクルの少ないCo若しくはCo合金相に酸化物相を分散させたスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。

8. 发明专利

JPWO2013099832A1 スパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲット及びその製造方法有权
标题翻译：镁烧结体氧化物溅射靶及其制造的方法
公开(公告)号：JPWO2013099832A1
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2013510149
申请日：2012-12-25
申请人： Jx日鉱日石金属株式会社 , Jx日鉱日石金属株式会社
发明人：晃久野 , 晃久野 , 中村　祐一郎 , 祐一郎中村
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/04
CPC分类号： C23C14/3407 , C04B35/053 , C04B35/645 , C04B2235/442 , C04B2235/5445 , C04B2235/721 , C04B2235/77 , C04B2235/81 , C04B2235/9646 , C04B2235/9661 , C23C14/081 , C23C14/3414
摘要： Cを除く純度が99.99wt%以上であり、かつ3.57g/cm3以上の密度を有し、白色度が60%以下であることを特徴とするスパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲット。酸化マグネシウムを均一に成膜するために、より高純度、高密度の酸化マグネシウムターゲットが要請されている。本発明では、これを実現できるターゲットとその製造方法を提供することを課題とする。また、原料粉をホットプレスして酸化マグネシウム焼結体スパッタリングターゲットを製造するのであるが、ターゲットの中央部の、およそ&phgr;60(直径60mmの円内)程度に色むらが発生するという問題があった。従来では、特にこのような問題に着目することはなかったが、近年の成膜品質の向上から、この問題を究明する必要があり、そのための解決手段を見出す必要があった。
摘要翻译：纯度不包括C不小于99.99重量％，3.57克/厘米3具有上述密度，溅射烧结氧化镁靶，其特征在于，白度为60％或更低。为了均匀地沉积氧化镁，较高纯度，高密度氧化镁目标被请求。在本发明中，它是一个目的是提供一种目标和一个制造方法，其可以实现这一点。虽然原料粉末和热压是产生氧化镁烧结体溅射靶，靶的中心部分，大约＆phgr;即颜色不均在生成的程度（的直径60mm的圆内）60的问题是有。传统上，特别是没有注意到上述问题，近年来沉积质量的提高，有必要探讨这个问题，有必要为它找到一个解决方案。

9. 发明专利

JPWO2012144107A1 スパッタリングターゲット有权
公开(公告)号：JPWO2012144107A1
公开(公告)日：2014-07-28
申请号：JP2012516244
申请日：2011-12-09
申请人： Jx日鉱日石金属株式会社 , Jx日鉱日石金属株式会社
发明人：崇掛野 , 崇掛野 , 鈴木　了 , 了鈴木 , 敏也栗原 , 敏也栗原 , 中村　祐一郎 , 祐一郎中村 , 和広関 , 和広関 , 牧野　修仁 , 修仁牧野 , 吉一熊原 , 吉一熊原
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3407 , C04B37/026 , C04B2237/12 , C04B2237/34 , C04B2237/407 , C04B2237/708 , C04B2237/76 , C23C14/564
摘要：複数の分割ターゲットをバッキングプレート上に配列し、該バッキングプレートに接合して構成されるスパッタリングターゲットであって、配列した複数の各分割ターゲットの表面に、該分割ターゲットの側面からの距離が23.0mm〜0.10mmである位置から、分割ターゲットの側面に向かって下向きに傾斜する5〜40°のテーパーを有することを特徴とするスパッタリングターゲット。分割ターゲットの連続スパッタ時においても、ノジュールの発生や異常放電を抑制することができるとともに、クリアランス部分に対向した基板上に形成される膜の特性が他の部分の膜の特性と差異がない、すなわち膜特性の均一性の高い膜が得られるスパッタリングターゲット、特にFPD用スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。【選択図】図1

10. 发明专利

JPWO2012086388A1 焼結体スパッタリングターゲット有权
公开(公告)号：JPWO2012086388A1
公开(公告)日：2014-05-22
申请号：JP2012549709
申请日：2011-12-02
申请人： Jx日鉱日石金属株式会社 , Jx日鉱日石金属株式会社
发明人：佐藤　敦 , 敦佐藤 , 中村　祐一郎 , 祐一郎中村
IPC分类号： C23C14/34 , C22C1/05 , C22C19/07 , C22C30/00 , C22C32/00 , G11B5/851
CPC分类号： C23C14/3407 , B22F3/14 , C22C1/10 , C22C19/07 , C22C30/00 , C22C32/0026 , C22F1/10 , C23C14/3414 , G11B5/851
摘要：金属成分として、Co、Crを含有し、該金属成分の素地中に分散した酸化物からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットの組織が金属素地中に、Co中にCo酸化物が分散した領域(A)と該領域(A)の周縁にCr酸化物を含む領域(D)を有することを特徴とする焼結体スパッタリングターゲット、及び、Co中にCo酸化物が分散した焼結体を粉砕して得た粉末とCo粉末とCr粉末とを混合して得た混合粉末を加圧焼結することにより、当該組織を得る前記焼結体スパッタリングターゲットの製造方法に係るものである。必要量のCo酸化物が残存し、スパッタリング時のパーティクル発生が少ない十分な焼結密度を有するスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。【選択図】図2

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