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3. 发明专利

JP2015061943A 高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット审中-公开
标题翻译：高纯铜锰合金喷射目标
公开(公告)号：JP2015061943A
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：JP2014192675
申请日：2014-09-22
申请人： JX日鉱日石金属株式会社
发明人：長田健一 , 大月富男 , 岡部岳夫 , 牧野修仁 , 福嶋篤志
IPC分类号： C22C9/05 , C22F1/08 , H01L21/285 , H01L21/28 , B22D21/00 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/14 , C22C9/05 , C23C14/3414 , H01J37/3426
摘要：【課題】自己拡散抑制機能を有した半導体用銅合金配線を形成するために有用な、高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットの製造方法の提供。【解決手段】Mn0.05〜20wt%を含有し、C2wtppm以下、残部がCu及び不可避的不純物である高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットの製造方法であって、カーボン坩堝にて、原料として純度6N以上の高純度銅と純度5N以上のマンガンを1000〜1400℃で溶解するか、又は予め純度6N以上の高純度銅を坩堝内で溶解し、これに純度5N以上のマンガンを添加して溶解するかして、次に溶解した合金を鋳造して銅マンガン合金インゴットを得て、このインゴットを500〜900℃で熱間鍛造し、更に冷間圧延又は熱間圧延した後に冷間圧延して圧延板を得て、更にこれを300〜600℃で熱処理し、ターゲットとする高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットの製造方法。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种有利于形成具有自扩散抑制功能的半导体的铜合金布线的高纯度铜锰合金溅射靶的方法。解决方案：在高纯度铜锰含有0.05-20重量％Mn，C2重量ppm以下的合金溅射靶，以及残留的Cu和不可避免的杂质。在碳坩埚中，纯度为6N以上的高纯度铜和5N以上纯度的锰以原料在1000-1400℃下熔化，或者预先将6N的高纯度铜熔融在坩埚中，然后加入5N或更高纯度的锰并熔融。然后铸造熔融合金，得到铜锰合金锭。将该锭在500-900℃下热锻，并进行冷轧或热轧，然后冷轧，得到轧制板。此外，在300-600℃进行热处理，制造高纯度铜锰合金溅射靶。

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