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81. 发明专利

JP5834952B2 窒化物半導体基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP5834952B2
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：JP2012012762
申请日：2012-01-25
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：一楽洋治郎 , 八木健太郎 , 井上祐之
IPC分类号： H01L33/32 , H01L21/205 , C30B25/04 , C30B29/38

82. 发明专利

JP5807044B2 複数の窒化物ナノワイヤの製造方法有权
标题翻译：制造多个纳米线的氮化物的制造方法
公开(公告)号：JP5807044B2
公开(公告)日：2015-11-10
申请号：JP2013168662
申请日：2013-08-14
申请人：クナノアーベー , QuNano AB
发明人：セイフェルト, ウェルナー , アソリ, ダミール , ビ, ツァオシア
IPC分类号： C30B25/04 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/32 , C30B29/62
CPC分类号： H01L33/0075 , B82Y10/00 , C30B25/00 , C30B29/406 , C30B29/60 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/20 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/2003 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01L33/32 , B82Y40/00 , H01L33/007 , H01L33/18 , Y10S977/932

83. 发明专利

JP2015187072A エピタキシャル構造体有权
标题翻译：外来结构
公开(公告)号：JP2015187072A
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：JP2015063889
申请日：2015-03-26
申请人：ツィンファユニバーシティ , 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司
发明人：魏洋 , ▲ハン▼ 守善
IPC分类号： C30B29/38 , C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/34 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , C30B25/04
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02444 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , B82Y40/00 , Y10S977/842
摘要：【課題】エピタキシャル構造体の提供。【解決手段】基板120と、エピタキシャル層130と、ナノチューブフィルム114と、を含むエピタキシャル構造体10であって、基板120は成長表面を有し、エピタキシャル層130は基板120の前記成長表面に設置され、ナノチューブフィルム114は基板120とエピタキシャル層130との間に設置され、ナノチューブフィルム114は自立構造体であり、同じ方向に沿って配列された複数のナノチューブを含み、ドローン構造カーボンナノチューブフィルムにおける複数のカーボンナノチューブの表面全体に原子層堆積法によってナノ材料層を形成した後、ドローン構造カーボンナノチューブフィルムを除去して形成される、複数の前記ナノチューブは間隔を開けて設置され、相互に前記ナノチューブが接触されている箇所ではイオン結合しているナノチューブフィルム114を含有するエピタキシャル構造体10。【選択図】図20
摘要翻译：要解决的问题：提供外延结构。解决方案：提供包括衬底120，外延层130和纳米管膜114的外延结构10.外延结构10的特征在于：衬底120具有生长面; 外延层130安装在基板120的生长表面上; 并且纳米管膜114安装在基板120和外延层130之间，是自立式结构，并且包括沿相同方向排列的多个纳米管。通过在无机骨架碳纳米管膜的多个碳纳米管的整个表面上通过原子层沉积法形成纳米材料层之后去除无机骨架碳纳米管膜而形成外延结构10，并且包括纳米管膜114 具有间隔地安装的多个纳米管，并且还具有彼此接触的纳米管的离子键。

84. 发明专利

JP2014533651A 半導体基板および形成方法有权
标题翻译：一种半导体衬底和形成方法
公开(公告)号：JP2014533651A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：JP2014542554
申请日：2012-11-19
申请人：サン‐ゴバン、クリストー、エ、デテクトゥールSaint−Gobain Cristaux & Detecteurs , サン‐ゴバン、クリストー、エ、デテクトゥールSaint−Gobain Cristaux & Detecteurs
发明人：ジャン−ピエール、フォーリー , ベルナール、ボーモン
IPC分类号： C30B25/04 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L21/302
CPC分类号： H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02647 , H01L21/02658
摘要：成長プロセス中の成長基板上への第13−15族材料のベース層の形成、成長プロセス中のマスク領域およびギャップ領域を有する、ベース層を覆うマスクの形成、ならびに成長プロセス中のマスクに覆われるベース層の一部の優先的除去を含んでなる、半導体基板の形成方法。
摘要翻译：形成在生长过程中的生长衬底上的13-15格鲁普·马特里尔的基极层，在生长过程中具有的掩模区和间隙区域，它被覆盖形成覆盖基层掩模的，并且在生长过程中的掩模包含优先除去基体层的一部分，形成了半导体基片。

85. 发明专利

JP2014181170A Semiconductor bulk crystal and method of manufacturing semiconductor bulk crystal 审中-公开
标题翻译：半导体晶体晶体和制造半导体大理石晶体的方法
公开(公告)号：JP2014181170A
公开(公告)日：2014-09-29
申请号：JP2013058585
申请日：2013-03-21
申请人： Mitsubishi Chemicals Corp , 三菱化学株式会社
发明人： OHATA TATSUHIRO , ENATSU YUKI , KUBO SHUICHI , FUJITO TAKESHI
IPC分类号： C30B29/38 , C30B25/04 , C30B25/20 , H01L21/205
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide semiconductor bulk crystal which has a nonpolar surface or semipolar surface as a main surface, and includes group III metal nitride crystal having less lamination defects and excellent crystallinity, and a method thereof.SOLUTION: There is provided semiconductor bulk crystal which has group III metal nitride semiconductor crystal 20 grown on a main surface of a ground substrate 10 which has a nonpolar surface or semipolar surface as the main surface, which has a striped recessed part. A cavity 1A is formed between the ground substrate 10 and the grown group III metal nitride semiconductor crystal 20, a surface of the cavity 1A on the side of the group III metal nitride semiconductor crystal 20 has opposite facet surfaces 20A, 20B, and tilt angles of the facet surfaces 20A, 20B from the main surface of the ground substrate 10 are 40°-80°.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有非极性表面或半极性表面作为主表面的半导体本体晶体，并且包括具有较小层压缺陷和优异结晶度的III族金属氮化物晶体及其方法。解决方案：提供半导体体具有生长在具有非极性表面或半极性表面作为主表面的接地衬底10的主表面上的III族金属氮化物半导体晶体20的晶体，其具有条纹凹部。在接地衬底10和生长的III族金属氮化物半导体晶体20之间形成空腔1A，III族金属氮化物半导体晶体20一侧的空腔1A的表面具有相对的小面20A，20B和倾斜角从面接地基板10的主表面的面面20A，20B的面积为40°-80°。

87. 发明专利

JP2014060408A Non-polar a-plane gallium nitride thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition 审中-公开
标题翻译：金属化学气相沉积法生产的非极性平板玻璃薄膜
公开(公告)号：JP2014060408A
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：JP2013213604
申请日：2013-10-11
申请人： Regents Of The Univ Of California , ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
发明人： CRAVEN MICHAEL D , SPECK JAMES S
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/04 , C23C16/34 , C30B25/02 , C30B25/04 , C30B25/10 , C30B25/18 , C30B29/38 , C30B29/40 , C30B29/60 , H01S5/343
CPC分类号： C30B29/403 , C30B25/02 , C30B25/04 , C30B25/105 , C30B25/18 , C30B29/406 , C30B29/605 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide improved methods of growing films that exhibit improved surface and structural quality.SOLUTION: There is provided a method of growing a non-polar a-plane gallium nitride thin film on an r-plane substrate through metalorganic chemical vapor deposition. The method comprises: (a) annealing the substrate at step 102; (b) depositing a nitride-based nucleation layer on the substrate at step 104; (c) growing the non-polar a-plane gallium nitride film on the nucleation layer at step 106; and (d) cooling the non-polar a-plane gallium nitride film under a nitrogen overpressure at step 108; thereby meeting the above objective.
摘要翻译：要解决的问题：提供改进的表面和结构质量的改进的生长膜的方法。解决方案：提供了一种通过金属有机化学气相在r平面衬底上生长非极性a面平面氮化镓薄膜的方法沉积。该方法包括：（a）在步骤102退火衬底; （b）在步骤104在衬底上沉积氮化物基成核层; （c）在步骤106在成核层上生长非极性a面平面氮化镓膜; 和（d）在氮过压下在步骤108冷却非极性a面氮化镓膜; 从而达到上述目标。

88. 发明专利

JP5351309B2 Method for manufacturing an epitaxial base and epitaxial structure 有权
公开(公告)号：JP5351309B2
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：JP2012140681
申请日：2012-06-22
申请人：ツィンファユニバーシティ , 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司
发明人：洋魏 , 守善 ▲ハン▼
IPC分类号： C30B25/04 , C01B31/02 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02521 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/0265 , H01L33/005 , H01L33/20 , Y10T428/24562
摘要： An epitaxial substrate is provided, the epitaxial substrate is used to grow epitaxial layer. The epitaxial substrate includes a base having a number of grooves to form a patterned epitaxial growth surface. The patterned epitaxial growth surface is referred as an epitaxial growth surface. A carbon nanotube layer covers on the epitaxial growth surface, and the carbon nanotube layer corresponding to the grooves is suspended on the epitaxial substrate.

89. 发明专利

JP5165264B2 Nitride semiconductor substrate 有权
公开(公告)号：JP5165264B2
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：JP2007075421
申请日：2007-03-22
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：治正吉田 , 康文高木 , 正和桑原
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/34 , C30B25/04 , C30B29/38 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L33/32
CPC分类号： C23C16/303 , C23C16/0272 , C23C16/042 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/12

90. 发明专利

JP5103014B2 Production of gallium nitride substrate by lateral growth through the mask 有权
公开(公告)号：JP5103014B2
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：JP2006530713
申请日：2004-05-18
申请人：サン−ゴバンクリストーエデテクトゥール
发明人：ボーモン、ベルナール , フォーリエ、ジャン−ピエール , ジバール、ピエール
IPC分类号： H01L21/20 , C30B25/02 , C30B25/04 , H01L21/205 , H01S5/02
CPC分类号： H01L21/02505 , C30B25/02 , C30B25/04 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01S5/0213 , H01S5/3202 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/12
摘要： Gallium nitride substrates are grown by epitaxial lateral overgrowth using multiple steps. On a masked substrate having openings areas, selective growth produces first triangular stripes in which most of the threading dislocations are bent at 90°. In a second step, growth conditions are changed to increase the lateral growth rate and produce a flat (0001) surface. At this stage the density of dislocations on the surface is

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