专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

71. 发明专利

JP5970408B2 シリコン基板上のInGaSb薄膜の作製方法有权
标题翻译：用于制造InGaSb薄的硅衬底的方法
公开(公告)号：JP5970408B2
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：JP2013077207
申请日：2013-04-02
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：横山春喜 , 小林康之
IPC分类号： C30B33/06 , C30B25/18 , H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/20 , C30B29/40

72. 发明专利

JP5954677B2 III/VSiテンプレートの製造方法およびIII/V半導体ベースの半導体部品をモノリシック集積化する方法有权
标题翻译：如何单片集成制造方法和III / V半导体基半导体部件III / VSI模板
公开(公告)号：JP5954677B2
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：JP2014502987
申请日：2012-01-25
申请人：エヌアーエスペースリー/ヴィーゲーエムベーハー
发明人：クナート,ベルナデッテ
IPC分类号： C30B29/44 , C30B25/18 , C23C16/30 , H01L21/205 , C30B29/40
CPC分类号： H01L21/02661 , C30B25/18 , C30B29/40 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/0245 , H01L21/02461 , H01L21/02502 , H01L21/02543 , H01L21/0262

73. 发明专利

JP2016063022A 窒化物半導体テンプレートの製造方法审中-公开
标题翻译：制备氮化物半导体模板的方法
公开(公告)号：JP2016063022A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014188709
申请日：2014-09-17
申请人：住友化学株式会社
发明人：藤倉序章
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/12 , H01L33/22 , C30B29/38 , C30B25/18 , C23C16/34 , H01L21/203 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/34 , C30B25/18 , C30B29/38 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/32
摘要：【課題】窒化物半導体テンプレートの表面欠陥の発生を抑制する。【解決手段】円錐状又は角錐状の凸部が表面に格子状に配置されて形成されたサファイア基板上に、前記凸部の頂上幅より厚く、且つ11nm以上400nm以下の厚さにバッファ層を成長させて形成する工程と、前記バッファ層上に窒化物半導体層を成長させて形成する工程と、を有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：抑制氮化物半导体模板的表面缺陷的发生。解决方案：一种用于制造氮化物半导体模板的方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上形成缓冲层，该缓冲层具有如栅格并形成在其表面上，通过将缓冲层生长到11-400nm的厚度，使其厚于突起的顶部宽度; 以及通过生长氮化物半导体层在缓冲层上形成氮化物半导体层

74. 发明专利

JP2016062956A 基板及びその製造方法、半導体素子及びその製造方法、並びにレーザ加工装置审中-公开
标题翻译：基板及其制造方法，半导体元件及其制造方法及激光加工装置
公开(公告)号：JP2016062956A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014187654
申请日：2014-09-16
申请人：アイシン精機株式会社
发明人：谷川達也
IPC分类号： H01L21/205 , B23K26/36 , C23C16/34 , C30B29/38 , C30B25/18 , H01L33/32 , H01S5/343 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02658 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L21/268 , H01L29/0688 , H01L29/2003 , H01L33/22 , H01L33/0075 , H01L33/32
摘要：【課題】選択成長マスクを用いることなく半導体結晶層の選択成長を実現するとともに、良質な半導体結晶層を結晶成長することができる基板及びその製造方法、並びに半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】超短パルスレーザ光の照射により加工された加工部16と、超短パルスレーザ光が照射されていない未加工部18とを表面に有する下地結晶基板12と、下地結晶基板12の少なくとも未加工部18上に結晶成長された半導体結晶層14とを有し、半導体結晶層14が、下地結晶基板12の加工部16を覆うように結晶成長されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种基板及其制造方法，以及半导体元件及其制造方法，其能够在不使用选择性生长掩模的情况下实现半导体晶体层的选择性生长，并且能够使晶体生长半导体晶体层质量好。解决方案：一种衬底包括：底表面衬底12，其表面上具有通过用超短脉冲激光照射而加工的加工部分16，以及未被超短脉冲激光照射的未加工部分18 光; 以及通过晶体生长形成在下面的晶体基板12的至少未处理部分18上的半导体晶体层14。半导体晶体层14通过晶体生长形成，以覆盖下面的晶体基板12的处理部分16.选择的图示：图1

75. 发明专利

JP5844685B2 p型窒化ガリウムアルミニウム半導体の製造方法有权
标题翻译：制造p型氮化镓铝半导体的方法
公开(公告)号：JP5844685B2
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：JP2012104734
申请日：2012-05-01
申请人：ソウルバイオシスカンパニーリミテッド , SEOUL VIOSYS CO.,LTD.
发明人：酒井士郎 , イヒソブ
IPC分类号： H01L33/32 , C30B29/38 , C30B25/18 , C23C16/34 , H01L21/205

76. 发明专利

JP2015216329A 半導体素子の製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015216329A
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：JP2014099881
申请日：2014-05-13
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：中尾亮 , 荒井昌和 , 神徳正樹
IPC分类号： C30B25/18 , C23C14/02 , C23C16/02 , H01L21/205
摘要：【課題】半導体を結晶成長する際の基板の反りを低減させ、面内均一性の高い半導体基板を提供する。【解決手段】結晶成長を行う前に、半導体基板裏面に半導体基板よりも熱膨張係数の小さい薄膜材料を結晶成長温度に近い温度で堆積させ、結晶成長時の基板の反りを低減させる。300℃で基板の裏面にSiO 2 薄膜を堆積させ、基板を結晶成長温度(600℃)まで加熱する。成長ガスの吹き付けがない場合には成長温度に昇温した時点で上に凸となる基板表面に成長ガスを吹き付けて結晶成長させることにより、裏面にSiO 2 を堆積しない基板と比較して、基板の反りを大きく抑制(相殺)する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过减少半导体晶体生长中的衬底的翘曲而实现高的面内均匀性的半导体衬底。解决方案：一种用于晶体生长的方法被布置成在半导体的背面沉积衬底，在晶体生长之前在晶体生长温度附近的温度下具有比衬底的热膨胀系数小的薄膜材料，从而减小衬底在晶体生长中的翘曲。该方法包括以下步骤：在300℃下在衬底的背面沉积SiO 2膜; 并将基板加热至晶体生长温度（600℃）。在晶体生长气体不被吹送的条件下，当衬底的温度升高到晶体生长温度时，通过向衬底的前表面吹塑晶体生长气体来进行晶体生长，衬底的前表面将变得向上凸起，衬底的翘曲与基板的背面没有SiO沉积的基板相比，可以大大抑制（平衡）。

77. 发明专利

JP2015533774A 信頼性および動作寿命を改善した半導体デバイスならびにその製造方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法，提高了可靠性和工作寿命
公开(公告)号：JP2015533774A
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：JP2015539829
申请日：2013-10-25
申请人：エレメントシックステクノロジーズユーエスコーポレイション , エレメントシックステクノロジーズユーエスコーポレイション
发明人：ダニエルフランシス , ダニエルフランシス , ドゥブラフコバビック , ドゥブラフコバビック , ファイリフィルーズナッサー , ファイリフィルーズナッサー , フェリックスエジェッカム , フェリックスエジェッカム , クエンティンディドゥック , クエンティンディドゥック , ジョセフスマート , ジョセフスマート , クリストファーマシューズ , クリストファーマシューズ , フランクヤンティスロウ , フランクヤンティスロウ
IPC分类号： C30B25/18 , C30B33/06
CPC分类号： H01L29/32 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/6835 , H01L21/76254 , H01L29/04 , H01L29/1602 , H01L29/2003 , H01L2221/68318 , H01L2221/6834 , H01L2221/68372
摘要：改善された寿命および信頼性を示す半導体ウェーハ構造を製造する方法が記載される。本方法は、活性な半導体層構造をネイティブの格子整合していない半導体成長基板から作業基板に移しかえるステップを含み、歪み整合層が除去され、活性な半導体層構造の一部が除去されてもよい。ある実施形態では、活性な半導体層構造を作業基板に取り付けるプロセスは、規定時間、高温でアニールするステップを含む。本明細書に記載されるような方法は、活性な半導体層構造全体にわたって低密度の転位欠陥を有し、ネイティブの半導体成長基板に存在する、大きく転移した歪み整合層を含まない作業半導体ウェーハ構造を作製するために使用することができる。
摘要翻译：改进的寿命和制造出的可靠性的半导体晶片结构的方法进行说明。该方法包括：在有源半导体层结构从不是天然晶格匹配于工作板，失真匹配层被除去，即使在有源半导体层结构的一部分被去除半导体生长基底传送步骤不错。在一些实施例中，安装工作底物，在规定的时间在有源半导体层结构，其包括退火的在高温下的步骤的处理。如本文所描述的方法中，活性物具有在整个半导体层结构的低密度的位错缺陷是存在于天然半导体生长基底，它不包括具有增加的过渡工作的半导体晶片结构的失真匹配层它可以被用来做。

78. 发明专利

JP5811009B2 III族窒化物半導体の製造方法及びIII族窒化物半導体有权
标题翻译： III族氮化物半导体的制造工艺和III族氮化物半导体
公开(公告)号：JP5811009B2
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：JP2012082948
申请日：2012-03-30
申请人：豊田合成株式会社
发明人：奥野浩司 , 小塩高英 , 柴田直樹 , 天野浩
IPC分类号： C30B25/18 , C23C14/06 , C23C16/34 , H01L21/205 , C30B29/38
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L29/04 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/32

79. 发明专利

JP2015178448A 単結晶基板の製造方法およびレーザ素子の製造方法有权
标题翻译：制造单晶基板的方法和制造激光器件的方法
公开(公告)号：JP2015178448A
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：JP2015039155
申请日：2015-02-27
申请人：国立大学法人東北大学 , 株式会社福田結晶技術研究所
发明人：松岡隆志 , 花田貴 , 福田承生 , 湊明朗
IPC分类号： C30B25/18 , C23C16/01 , C23C16/34 , H01L21/205 , C30B29/38
摘要：【課題】窒化物半導体を用いたレーザ素子の製造に使用されるGaN層からなる単結晶基板の製造方法の提供。【解決手段】チョクラルスキー法によるScAlMgO 4 の単結晶体を形成する単結晶体形成工程S101と、ScAlMgO 4 の単結晶体を(0001)面で劈開することで、(0001)面からなる互いに平行な2面を有する板状とした、ScAlMgO 4 の単結晶からなる成長基板を形成する成長基板形成工程S102と、前記成長基板の上にGaNを結晶成長して単結晶のGaNからなるGaN層を形成するGaN成長工程と、前記GaN層が形成されている状態で前記成長基板を除去して前記GaN層からなる単結晶基板を形成する基板形成工程とを備える単結晶基板の製造方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造由用于制造使用氮化物半导体的激光器件的GaN层的单晶衬底的方法。解决方案：一种制造单晶衬底的方法包括：单晶体形成步骤S101 通过Czochralski法形成ScAlMgO的单晶体; 生长衬底形成步骤S102，通过在（0001）面上切割ScAlMgOO的单晶体，形成由（0001）面组成的两个表面彼此平行并由ScAlMgO的单晶形成的平板状生长衬底; 在生长衬底上将GaN生长成晶体以形成由GaN单晶构成的GaN层的GaN生长步骤; 以及在形成GaN层以形成由GaN层构成的单晶衬底的状态下除去生长衬底的衬底形成步骤。

80. 发明专利

JP5792209B2 有機金属化学気相成長法による、高品質のN面GaN、InNおよびAlNならびにそれらの合金のヘテロエピタキシャル成長の方法有权
标题翻译：通过金属有机化学气相沉积，高品质的N面的GaN，InN的和AlN和方法及其合金的异质外延生长
公开(公告)号：JP5792209B2
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：JP2013004398
申请日：2013-01-15
申请人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
发明人：ステーシアケラー , ウメシュケー. ミシュラ , ニコラスエー. フィシュテンバーム
IPC分类号： C30B25/18 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L33/32 , H01S5/323 , H01L33/16 , C30B29/38
CPC分类号： C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0257 , H01L21/0262

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式