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71. 发明专利

JP5964744B2 半導体膜の製造方法有权
标题翻译：一种制造半导体薄膜的方法
公开(公告)号：JP5964744B2
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：JP2012283030
申请日：2012-12-26
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：小野雅司 , 菊池信 , 田中淳 , 鈴木真之 , 金光義彦
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/786 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82B1/00
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L29/125 , H01L29/24 , H01L29/78696 , H01L31/032 , H01L31/035218 , H01L31/0392 , H01L31/072 , H01L33/06 , H01L33/26 , Y02E10/50

72. 发明专利

JP2015227279A 結晶性積層構造体および半導体装置审中-公开
标题翻译：晶体层压结构和半导体器件
公开(公告)号：JP2015227279A
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：JP2015095287
申请日：2015-05-07
申请人：株式会社FLOSFIA
发明人：人羅俊実 , 織田真也 , 高塚章夫
IPC分类号： H01L21/365 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/337 , H01L29/808 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/872 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/12 , H01L21/28 , H01L29/47 , H01L29/417 , H01L21/20 , C23C16/40 , H01L33/26 , H01L29/24 , C30B25/18 , C30B29/16
CPC分类号： H01L29/22 , H01L21/02491 , H01L21/02565 , H01L21/0257 , H01L21/0262 , H01L29/04 , H01L29/1066 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7722 , H01L29/7786 , H01L29/8083 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L33/28 , H01L2933/0016 , H01L33/26 , H01L33/42
摘要：【課題】半導体特性に優れ、特に、導電性の制御容易性に優れ、縦方向導通が可能であり、良好な電気特性を有している結晶性積層構造体を提供する。【解決手段】一軸に配向している金属を主成分として含む金属層上に、直接又は他の層を介して、結晶性酸化物半導体を主成分として含む半導体層を備えている積層構造体であって、前記結晶性酸化物半導体が、ガリウム、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる1または2以上の金属を含む酸化物半導体であり、さらに、一軸に配向している。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供具有优异的半导体特性优异的结晶层叠结构，特别是易于控制导电性，能够在纵向方向上导通，并且具有优异的电特性。结论：在包括半导体层以含有以单轴取向单金属为主成分的金属层作为主要成分的结晶性氧化物半导体直接或经由另一层，所述结晶氧化物半导体是含有选自镓，铟等中的一种或两种以上的金属的氧化物半导体，铝，并单向取向。

73. 发明专利

JP2015119202A LED素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译： LED元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015119202A
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：JP2015065738
申请日：2015-03-27
申请人：エルシード株式会社
发明人：北野司 , 森みどり , 近藤俊行 , 鈴木敦志 , 難波江宏一 , 大矢昌輝
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/005 , H01L33/20 , H01L33/26 , H01L33/40 , H01L33/46 , H01L2933/0025 , H01L2933/0033 , H01L2933/0091 , H01L33/405
摘要：【課題】さらに光取り出し効率を向上させることのできるLED素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】発光層を含む半導体積層部と、発光層から発せられる光が入射し、当該光の光学波長より大きく当該光のコヒーレント長より小さい周期で凸部が形成され、入射光をブラッグの回折条件に従って複数のモードで反射するとともに、入射光をブラッグの回折条件に従って複数のモードで透過する回折面と、回折面にて回折した光を反射して前記回折面へ再入射させる反射面と、を備えたLED素子において、半導体積層部は、回折面上に凸部の周囲に空隙なく形成され、回折面において、平面視にて、平坦部の割合が40%以上であるようにした。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种LED元件及其制造方法，其可以进一步提高光提取效率。解决方案：LED元件包括：包括发光层的半导体层叠部分; 使从发光层发射的光入射的衍射面和突出部分以比光的光波长大的距离形成，并且小于光的相干长度，并且反射多个入射光的根据布拉格衍射条件的模式，并且根据布拉格衍射条件以多种模式透射入射光; 以及反射面，其反射由衍射面衍射的光，并使反射光再次入射到衍射面上。半导体层叠部分形成在投影部分周围，在衍射平面上没有任何间隙，从而在平面视图中具有40％以上的平坦部分的比例。

75. 发明专利

JP2014154390A Light-emitting device 有权
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：JP2014154390A
公开(公告)日：2014-08-25
申请号：JP2013023576
申请日：2013-02-08
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所 , Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： IKEDA TOSHIO , KAWADA TAKUYA , FUTABOSHI MANABU , KIKUCHI KATSUHIRO , KAWATO SHINICHI , OCHI TAKASHI , TSUKAMOTO MASAHITO , KOSAKA TOMOHIRO , OSAKI TOMOFUMI
IPC分类号： H05B33/24 , G02B5/20 , H01L51/50 , H05B33/12 , H05B33/26 , H05B33/28
CPC分类号： H01L33/26 , H01L27/322 , H01L51/504 , H01L51/5225 , H01L51/5265 , H01L51/5268
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve a light-emitting efficiency in a light-emitting device employing a microcavity structure.SOLUTION: In a light-emitting device having a plurality of light-emitting elements 220, 230, and 240, each of the plurality of light-emitting elements has a structure in which a reflection electrode 101, a transparent electrode 102a, 102b, 102c, a plurality of light-emitting layers 103, 104, and 105, and a semi-transmissive half-reflection electrode 107 are sequentially laminated. The plurality of light-emitting layers emit light with different colors. A surface roughness of the transparent electrode 102a in the light-emitting element 220 emitting light after enhancing an intensity of light from the light-emitting layer 103 provided at the closest position to the reflection electrode, among the plurality of light-emitting elements, is larger than a surface roughness of the transparent electrodes 102b and 102c in the other light-emitting elements 230 and 240.
摘要翻译：要解决的问题：提高使用微腔结构的发光装置的发光效率。解决方案：在具有多个发光元件220,230和240的发光装置中，多个发光元件的发光元件具有反射电极101，透明电极102a，102b，102c，多个发光层103,104和105以及半透射半反射电极107的结构层压。多个发光层以不同的颜色发光。在多个发光元件中，在与设置在与反射电极最近的位置上的发光层103增强了光强度之后，在发光元件220中发光的透明电极102a的表面粗糙度是大于其他发光元件230和240中的透明电极102b和102c的表面粗糙度。

76. 发明专利

JP2014519540A Coated phosphor and a light-emitting device, including this 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP2014519540A
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：JP2014513678
申请日：2012-05-31
申请人：クリーインコーポレイテッドCree Inc.
发明人：ハリーエイセイベル , ブライアントーマスコリンズ
IPC分类号： C09K11/08 , C09K11/88 , H01L33/44 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/26 , C09K11/025 , C09K11/0883 , C09K11/7706 , C09K11/883 , H01L33/005 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本発明の実施形態に従って提供するのは、燐光体上にコーティングを形成するために燐光体をシリカ、アルミナ、ホウ酸塩、及びその前駆体のうちの少なくとも１つを含むゾルに接触させる段階と、燐光体を加熱する段階とを含む燐光体を被覆する方法である。同じく提供するのは、アルミナ、シリカ、及び／又はホウ酸塩で被覆された燐光体と、そのような燐光体を含む発光デバイスとである。
【選択図】図３
摘要翻译：根据本发明的实施方案提供的是涂覆磷光体的方法，其包括使磷光体与包含二氧化硅，氧化铝，硼酸盐及其前体中的至少一种的溶胶接触，以在磷光体上形成涂层; 并加热荧光体。还提供了涂覆有氧化铝，二氧化硅和/或硼酸盐的荧光体，以及包括这种荧光体的发光器件。

77. 发明专利

JP5555174B2 Semiconductor light-emitting device having a light extraction structure 有权
公开(公告)号：JP5555174B2
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：JP2010539028
申请日：2008-12-18
申请人：コーニンクレッカフィリップスエヌヴェ , フィリップスルミレッズライティングカンパニーリミテッドライアビリティカンパニー
发明人：オーレリアンジェイエフデイヴィッド , ヘンリークォン−ヒンチョイ , ジョナサンジェイウィーラー
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/26 , H01L33/32 , H01L2933/0016
摘要： Structures are incorporated into a semiconductor light emitting device which may increase the extraction of light emitted at glancing incidence angles. In some embodiments, the device includes a low index material that directs light away from the metal contacts by total internal reflection. In some embodiments, the device includes extraction features such as cavities in the semiconductor structure which may extract glancing angle light directly, or direct the glancing angle light into smaller incidence angles which are more easily extracted from the device.

78. 发明专利

JP2014124715A Semiconductor film, solar cell, light-emitting diode, thin film transistor, and electronic device 有权
标题翻译：半导体膜，太阳能电池，发光二极管，薄膜晶体管和电子器件
公开(公告)号：JP2014124715A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：JP2012283030
申请日：2012-12-26
申请人： Fujifilm Corp , 富士フイルム株式会社
发明人： ONO MASASHI , KIKUCHI MAKOTO , TANAKA ATSUSHI , SUZUKI MASAYUKI , KANEMITSU YOSHIHIKO
IPC分类号： B82B1/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L31/06 , H01L33/06
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L29/125 , H01L29/24 , H01L29/78696 , H01L31/032 , H01L31/035218 , H01L31/0392 , H01L31/072 , H01L33/06 , H01L33/26 , H01L51/502 , Y02E10/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor film that makes it possible to obtain a higher photocurrent value and also suppress the film peeling.SOLUTION: A semiconductor film comprises an aggregate of semiconductor quantum dots containing a metal atom and a ligand that is coordinated to the semiconductor quantum dots, with the average shortest distance between the semiconductor quantum dots being less than 0.45 nm.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够获得更高的光电流值并且还可以抑制膜剥离的半导体膜。解决方案：半导体膜包括含有金属原子的半导体量子点和配位于半导体量子点的半导体量子点的平均最短距离小于0.45nm。

79. 发明专利

JPWO2012098932A1 半導体発光装置有权
公开(公告)号：JPWO2012098932A1
公开(公告)日：2014-06-09
申请号：JP2012553649
申请日：2012-01-05
申请人：シャープ株式会社
发明人：吉村　健一 , 健一吉村 , 向星高橋 , 向星高橋 , 浩史福永 , 浩史福永
IPC分类号： H01L33/50 , C09K11/64 , H05B33/12 , H05B33/14
CPC分类号： H01L33/26 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , C09K11/7774 , H01L33/501 , H01L33/504 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：発光効率が高く、安定性、温度特性に優れ、実用上充分高い演色性を有する光を発する発光装置を実現する。この半導体発光装置(1)は、青色光を発する半導体発光素子(2)と、前記青色光を吸収して緑色光を発する緑色蛍光体(14)と、前記青色光を吸収して橙色光を発する橙色蛍光体(13)とを備え、該橙色蛍光体は、595〜620nmの範囲に発光スペクトルのピーク波長を有したEu賦活αサイアロン蛍光体であることを特徴とする。

80. 发明专利

JP2014512696A Radiation-emitting semiconductor chip Esd protective measures are incorporated 有权
公开(公告)号：JP2014512696A
公开(公告)日：2014-05-22
申请号：JP2014506870
申请日：2012-04-26
申请人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
发明人：アンドレアスレフラー , クリスティアンライラー , ライナーブーテンダイヒ , トビアスマイヤー , マティアスペーター
IPC分类号： H01L33/18
CPC分类号： H01L33/26 , H01L33/025 , H01L33/14 , H01L33/24 , H01L33/32
摘要：本発明は、半導体積層体（２）を有する放射放出半導体チップ（１）に関し、半導体積層体（２）は窒化物化合物半導体材料系であり、ｐｎ接合部を有する。この放射放出半導体チップ（１）は、意図的に導入された結晶欠陥（４）を有する第１の保護層（３）であって、半導体チップ（１）を静電放電パルスから保護するように設計されている、第１の保護層（３）と、放射を生成するための活性ゾーン（７）であって、成長方向（Ｗ）において第１の保護層（３，５）の後ろに配置されている、活性ゾーン（７）と、を備えている。半導体チップ（１）の動作時、結晶欠陥（４）を有する領域における逆方向の半導体積層体（２）の降伏挙動は、結晶欠陥の存在しない領域とは異なり、静電放電パルスが発生した場合、電荷の放散は、結晶欠陥（４）を有する領域を介して均一に分散する。

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