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71. 发明专利

JP5862729B2 トレンチゲート型半導体装置の製造方法有权
标题翻译：制造沟槽栅极半导体器件的方法
公开(公告)号：JP5862729B2
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：JP2014172749
申请日：2014-08-27
申请人：富士電機株式会社
发明人：中村俊一 , 河田泰之
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/04 , H01L29/739 , H01L29/872 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/66666 , H01L21/02378 , H01L21/0337 , H01L21/265 , H01L21/28008 , H01L21/308 , H01L29/66068 , H01L29/66522 , H01L29/66848 , H01L29/7806 , H01L29/7813 , H01L29/0623 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/1608 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/47

73. 发明专利

JP2015177065A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015177065A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014052735
申请日：2014-03-14
申请人：株式会社東芝
发明人：藤本英俊
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/0649 , H01L29/086 , H01L29/0886 , H01L29/1095 , H01L29/2003 , H01L29/7395
摘要：【課題】スイッチング特性が向上する半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、n型の窒化物半導体層と、窒化物半導体層上に選択的に設けられる絶縁層と、窒化物半導体層上および絶縁層上に設けられるn型の第1の窒化物半導体領域と、絶縁層上に設けられるn型の第2の窒化物半導体領域と、第1の窒化物半導体領域と第2の窒化物半導体領域との間に設けられるp型の第3の窒化物半導体領域と、第3の窒化物半導体領域上に設けられるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられるゲート電極と、第2の窒化物半導体領域に電気的に接続される第1の電極と、窒化物半導体層の絶縁層と反対側に設けられ、窒化物半導体層に電気的に接続される第2の電極と、を備える【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种提高开关特性的半导体器件。解决方案：实施例的半导体器件包括：n型氮化物半导体层; 选择性地设置在氮化物半导体层上的绝缘层; 设置在所述氮化物半导体层和所述绝缘层上的n型第一氮化物半导体区域; 设置在所述绝缘层上的n型第二氮化物半导体区域; 设置在所述第一氮化物半导体区域和所述第二氮化物半导体区域之间的p型第三氮化物半导体区域; 设置在所述第三氮化物半导体区域上的栅极绝缘膜; 设置在所述栅极绝缘膜上的栅电极; 电连接到第二氮化物半导体区域的第一电极; 以及设置在与氮化物半导体层的绝缘层相对的一侧并与氮化物半导体层电连接的第二电极。

74. 发明专利

JP2015088617A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015088617A
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2013225789
申请日：2013-10-30
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：玉川秋雄 , 田中誠
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/08 , H02M7/48 , H01L27/06
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/823481 , H01L24/49 , H01L25/18 , H01L27/088 , H01L29/0615 , H01L29/0646 , H01L29/086 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/0882 , H01L29/1095 , H01L29/41741 , H01L29/4236 , H01L29/7811 , H01L2224/45124 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L24/45 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091
摘要：【課題】回路面積の増加を抑えつつ、寄生電流を低減して、電力の消費量を少なくする。【解決手段】半導体装置は、第1半導体層と、第2半導体層と、パワートランジスタと、トランジスタと、第1拡散層領域とを具備する。第1半導体層は、高濃度であり第1導電型を有する。第2半導体層は、第1半導体層上に接合され、低濃度であり第1導電型を有する。パワートランジスタは、第2半導体層の表面領域に形成され、第1導電型のチャネルである。トランジスタは、第2半導体層12の表面領域に形成される。第1拡散層領域は、第2半導体層の表面領域に、パワートランジスタとトランジスタとの間に境界を設けるように形成され、第2導電型である。第1半導体層は、パワートランジスタのドレインとして機能する。第1拡散層領域は、ドレインと同電位に設定される。【選択図】図1A
摘要翻译：要解决的问题：通过减少寄生电流同时防止电路面积的增加来降低功耗。解决方案：半导体器件包括第一半导体层，第二半导体层，功率晶体管，晶体管和第一扩散层区域。第一半导体层具有高浓度并且具有第一导电类型。第二半导体层接合到第一半导体层上，具有低浓度，并且具有第一导电类型。功率晶体管形成在第二半导体层的表面区域中，并且是第一导电型沟道。晶体管形成在第二半导体层12的表面区域中。第一扩散层区域形成在第二半导体层的表面区域中，以提供功率晶体管和晶体管之间的边界，并具有第二导电性类型。第一半导体层用作功率晶体管的漏极。第一扩散层区域被设定为具有与漏极相同的电位。

75. 发明专利

JP2015032615A 炭化珪素半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：硅碳化硅半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2015032615A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：JP2013159233
申请日：2013-07-31
申请人：住友電気工業株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd
发明人： HORII TAKU , MASUDA TAKEYOSHI , KUBOTA RYOSUKE
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/66068 , H01L21/0465 , H01L29/0856 , H01L29/086 , H01L29/0869 , H01L29/0878 , H01L29/0886 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/66712 , H01L29/7395 , H01L29/7802
摘要：【課題】チャネル長の変動を抑制することができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】主面10aを有する炭化珪素層10を準備する工程と、主面10a上において、チャネル領域CHとなるべき第1領域(ボディ領域13の一部分)上に位置し、かつ第1領域を挟んで対向する領域上に第1開口部を有する第1マスク層を形成する工程と、第1マスク層を介して主面10aに対しイオン注入を行うことにより、第1開口部から露出している領域に、第1の導電型を有し炭化珪素層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する高濃度不純物領域(n+領域2,3)を形成する工程とを備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种抑制通道长度变化的碳化硅半导体器件制造方法。解决方案：一种碳化硅半导体器件制造方法，包括：制备具有主表面10a的碳化硅层10的工艺; 形成第一掩模层的工艺，所述第一掩模层位于形成沟道区CH的第一区域（身体区域13的一部分）上，并且在第一区域上彼此相对的区域上具有第一开口; 以及在从第一开口露出的区域上形成各自具有第一导电类型的高浓度杂质区域（n +区域2,3），并且通过对所述第一开口进行离子注入来形成杂质浓度高于碳化硅层的杂质浓度的工序主表面10a通过第一掩模层。

76. 发明专利

JP2015015486A トレンチゲート型半導体装置の製造方法有权
标题翻译：制造闸门型半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015015486A
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：JP2014172750
申请日：2014-08-27
申请人：富士電機株式会社 , Fuji Electric Co Ltd
发明人： NAKAMURA SHUNICHI , KAWADA YASUYUKI
IPC分类号： H01L29/12 , H01L27/04 , H01L29/47 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/66666 , H01L21/02378 , H01L21/0337 , H01L21/265 , H01L21/28008 , H01L21/308 , H01L29/0623 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/1608 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/47 , H01L29/66068 , H01L29/66522 , H01L29/66848 , H01L29/7806 , H01L29/7813
摘要：【課題】ワイドバンドギャップ半導体を主たる半導体基板として用い、セルピッチを縮小することができ、良好なオーミック接触が得られ、トレンチ底の絶縁膜に過大な電界が印加されないトレンチゲート型半導体装置を提供すること。【解決手段】交差トレンチ10pの形成方法として、二重トレンチ構造としたゲートトレンチ10bを形成した後に、当該ゲートトレンチ10bをマスク材料で埋め戻し、その後、当該マスク材料をパターニングして、交差トレンチを形成するためのマスクとして用い、ゲートトレンチに交差する交差トレンチ10pをゲートトレンチ10bよりも深く設け、交差トレンチ10p底部にショットキー電極24を設けるトレンチゲート型MOSFETの製造方法とする。【選択図】図50
摘要翻译：要解决的问题：为了提供使用宽带隙半导体作为主半导体衬底的沟槽栅型半导体器件，可以减小电池间距，可以获得优异的欧姆接触，并且不施加过大的电场涉及沟槽底部的绝缘膜。解决方案：在用于制造沟槽栅型MOSFET的方法中，作为形成交叉沟槽10p的方法，形成栅沟槽10b作为双沟槽结构。然后，用掩模材料回填栅极沟槽10b，然后对掩模材料进行图案化，并且将图案化掩模材料用作形成交叉沟槽的掩模。设置与栅极沟槽相交的交叉沟槽10p，以比栅极沟槽10b更深。肖特基电极24设置在交叉沟槽10p的底部。

77. 发明专利

JP5646570B2 半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP5646570B2
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：JP2012213161
申请日：2012-09-26
申请人：株式会社東芝
发明人：清水　達雄 , 達雄清水 , 四戸　孝 , 孝四戸
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/049 , H01L29/04 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/105 , H01L29/1095 , H01L29/167 , H01L29/32 , H01L29/34 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/7391 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L29/7805 , H01L29/94

78. 发明专利

JP2014158013A Semiconductor device and manufacturing method of the same 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014158013A
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：JP2013226352
申请日：2013-10-31
申请人： Denso Corp , 株式会社デンソー
发明人： OSAWA SEIGO , TOMATSU YUTAKA , OGINO MASAHIRO , OBAYASHI TOMOMI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/1095 , H01L29/0634 , H01L29/086 , H01L29/41766 , H01L29/4238 , H01L29/6634 , H01L29/66348 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/7813
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To inhibit breakdown due to a change from an on-state to an off-state even when a semiconductor device is microfabricated by decreasing a width of a trench for a contact.SOLUTION: A semiconductor device comprises: a first conductivity type first semiconductor region 15a which contacts a lateral face of a trench 16 for a contact on an opening side and has an impurity concentration higher than that of a second semiconductor layer 15; a second conductivity type second semiconductor region 11a which contacts a bottom face and a lateral face on the bottom face side of the trench 16 for the contact and has an impurity concentration higher than that of a first semiconductor layer 11; and a first electrode 18 which is electrically connected with the first semiconductor region 15a and the second semiconductor region 11a and arranged in the trench 16 for the contact.
摘要翻译：要解决的问题：即使当半导体器件通过减小用于接触的沟槽的宽度来微制造而导致由于从导通状态变为截止状态时的击穿。解决方案：半导体器件包括：第一导电性第一半导体区域15a，其与沟槽16的侧面接触，用于开口侧的接触，并且具有高于第二半导体层15的杂质浓度; 第二导电类型的第二半导体区域11a，其接触用于接触的沟槽16的底面的底面和侧面，并且具有比第一半导体层11的杂质浓度更高的杂质浓度; 以及与第一半导体区域15a和第二半导体区域11a电连接并且布置在用于接触的沟槽16中的第一电极18。

79. 发明专利

JP5562917B2 Semiconductor device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5562917B2
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：JP2011203847
申请日：2011-09-16
申请人：株式会社東芝
发明人：秀樹奥村 , 寛人三沢 , 孝弘河野
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/2257 , H01L29/086 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/456 , H01L29/66727 , H01L29/66734

80. 发明专利

JP5526496B2 Field effect semiconductor device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5526496B2
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：JP2008145155
申请日：2008-06-02
申请人：サンケン電気株式会社
发明人：良治高橋
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/04 , H01L29/06
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/1095 , H01L29/66734 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L29/7813
摘要： A semiconductor substrate (21) of an IGFET (20) has drain regions (34) and (35), a p-type first body region (36), a p - -type second body region (37), an n-type first source region (38), and an n + -type second source region (39), and additionally has multiple pairs of trenches (31) that constitute an IGFET cell. A gate insulating film (25) and a gate electrode (24) are provided inside the trenches (31). A source electrode 23 is in Schottky contact with the second body region (37). A pn junction (43) between the second drain region (35) and the first body region (36) is exposed to one of the main surfaces of the semiconductor substrate. The first body region (36), the second body region (37), and the first source region (38) are also provided outside the trenches (31), and an n-type protective semiconductor region (40) is provided. The trenches (31) contribute to miniaturization of the IGFET and to lowering of the on-resistance. The reverse breakdown voltage of the IGFET can be improved by the reduction in contact area between the second body region (37) and the source electrode (23) to the outside from the trenches (31).

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