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71. 发明专利

JP2017010016A パターン処理法有权
标题翻译：图案加工方法
公开(公告)号：JP2017010016A
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2016111345
申请日：2016-06-02
申请人：ダウグローバルテクノロジーズエルエルシー , ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズエルエルシー , Rohm and Haas Electronic Materials LLC
发明人：ホワシン・ジョウ , ミンキ・リー , ヴィプル・ジェイン , ジョン・クン・パク , フィリップ・ディー・フスタッド , ジン・ウク・ソン
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20 , C08F293/00 , G03F7/40
CPC分类号： G03F7/405 , G03F7/0397 , G03F7/325
摘要：【課題】半導体デバイスの製造において、高解像度のパターンを提供する。【解決手段】(a)表面上にパターン形成特徴部を備える半導体基板を提供すること、(b)ブロックコポリマー及び溶媒を含むパターン処理組成物をパターン形成特徴部に塗布すること、(c)残留パターン処理組成物を基板からすすいで、パターン形成特徴部に結合したブロックコポリマーの一部を残すことを含むパターン処理法。パターン処理組成物のブロックコポリマーは、第1のブロック及び第2のブロックを含む。第1のブロックはエチレン性不飽和重合性基及び水素受容体基を含む第1のモノマーから形成された単位を含み、水素受容体基が窒素含有基である。第2のブロックはエチレン性不飽和重合性基及び環式脂肪族基を含む第2のモノマーから形成された単位を含む。【選択図】図1D
摘要翻译：甲在半导体器件的制造中，它提供了高分辨率的图案。 A（a）提供半导体衬底，具有在表面上的图案化的特征，施加图案化的特征，其包括（b）中的嵌段共聚物和溶剂，（c）一种图案加工组合物残留从衬底冲洗图案加工组合物，所述图案加工方法包括：离开键合至图案化的特征的嵌段共聚物的一部分。图案加工组合物的嵌段共聚物包括第一和第二块。第一块包括含有烯属不饱和可聚合基团和氢受体基团由第一单体形成的重复单元，氢受体基团是含氮基团。第二嵌段包括选自包括烯属不饱和可聚合基团和脂环族基团的第二单体形成的重复单元。点域1D

72. 发明专利

JP2016126333A フォトリソグラフィ方法有权
标题翻译：光刻方法
公开(公告)号：JP2016126333A
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：JP2015245009
申请日：2015-12-16
申请人：ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズエルエルシー , Rohm and Haas Electronic Materials LLC , ダウグローバルテクノロジーズエルエルシー
发明人：フィリップ・ディー・フスタッド , ジョン・クン・パク
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/40
CPC分类号： H01L21/0206 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/325 , G03F7/405 , H01L21/0274 , H01L21/31133 , H01L21/31144
摘要：【課題】精細なパターンの形成を可能にするフォトリソグラフィ方法の提供。【解決手段】(a)エッチングされる有機層を含む半導体基板を提供することと、(b)酸開裂性脱離基を含む樹脂と、光酸発生剤と、溶媒とを含むフォトレジスト組成物の層を有機層上に直接適用することと、(c)パターン化されたフォトマスクを通して、フォトレジスト層を活性化放射線に露光することと、(d)フォトレジスト層を加熱することと、(e)露光されたフォトレジスト組成物層を有機溶媒現像剤で現像して、酸基及び/またはアルコール基を含むネガ型レジストパターンを形成することと、(f)ケイ素含有ポリマー及び溶媒を含み、かつ架橋剤を含まないケイ素含有組成物をレジストパターン上に適用することと、(g)残留ケイ素含有組成物を基板から濯ぐことと、(h)有機層を選択的にエッチングすることと、を含むフォトリソグラフィ方法。【選択図】図1A
摘要翻译：要解决的问题：提供允许形成精细图案的光刻方法。解决方案：光刻方法包括：（a）提供包含待蚀刻的有机层的半导体衬底; （b）在有机层上直接涂覆包含可酸分离离去基团，光致酸产生剂和溶剂的树脂的光致抗蚀剂组合物层; （c）通过图案化的光掩模曝光光致抗蚀剂层以激活辐射; （d）加热光致抗蚀剂层; （e）用有机溶剂显影剂显影曝光的光致抗蚀剂组合物层以形成含有酸基和/或醇基的负抗蚀剂图案; （f）在抗蚀剂图案上涂布包含含硅聚合物和溶剂且不含交联剂的含硅组合物; （g）从所述基材漂洗残留的含硅组合物; 和（h）选择性地蚀刻有机层。选择图：图1A

73. 发明专利

JP2016110089A パターン形成用リンス溶液及びパターン形成方法有权
标题翻译：用于形成图案和图案形成方法的RINSE解决方案
公开(公告)号：JP2016110089A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2015214475
申请日：2015-10-30
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：畠山潤 , 郡大佑 , 荻原勤
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , C08G65/34 , G03F7/32
CPC分类号： G03F7/325 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/405
摘要：【解決手段】(A)熱・酸分解性重合体及び(B)有機溶剤を含むパターン形成用リンス溶液。【効果】本発明のリンス溶液を用いたパターン形成方法によれば、現像後に発生するパターン倒れを抑制し、微細なパターンを形成することができる。【選択図】なし
摘要翻译：解决方案：用于形成图案的冲洗溶液包括（A）加热/酸降解聚合物和（B）有机溶剂。方法：使用冲洗溶液的图案形成方法，其可以防止在显影和形成之后发生图案崩溃可以提供精细图案。选择图：无

74. 发明专利

JP2016110088A パターン形成用リンス溶液及びパターン形成方法审中-公开
标题翻译：用于形成图案和图案形成方法的RINSE解决方案
公开(公告)号：JP2016110088A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2015214445
申请日：2015-10-30
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：畠山潤 , 郡大佑 , 荻原勤
IPC分类号： G03F7/039 , C08G65/34 , H01L21/027 , G03F7/32
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/322 , G03F7/405
摘要：【解決手段】(A)熱・酸分解性重合体及び(B)水を含むパターン形成用リンス溶液。【効果】本発明のリンス溶液を用いたパターン形成方法によれば、現像後に発生するパターン倒れを抑制し、微細なパターンを形成することができる。また、本発明のパターン形成方法は、ハイスループット処理が可能であるため、量産性が高い。【選択図】なし
摘要翻译：解决方案：用于形成图案的冲洗溶液包含（A）加热/酸可降解聚合物和（B）水。方法：使用冲洗溶液的图案形成方法，其可以防止在显影后发生图案塌陷并形成可以提供精细图案。图案形成方法允许高通量处理，导致高批量生产率。选择图：无

75. 发明专利

JP2016091033A パターン形成方法及びシュリンク剤审中-公开
标题翻译：图案形成方法和收缩剂
公开(公告)号：JP2016091033A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2015213615
申请日：2015-10-30
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：畠山潤 , 提箸正義
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/32 , C08F112/14 , C08F212/14 , G03F7/20 , H01L21/027 , G03F7/40
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/30 , G03F7/32 , G03F7/325 , G03F7/38 , G03F7/405
摘要：【解決手段】カルボキシル基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、レジスト膜を露光し、有機溶剤の現像液を用いてネガパターンを形成し、式(1)で示される繰り返し単位a1を有する高分子化合物とエステル系溶剤及び/又はケトン系溶剤を含有するシュリンク剤溶液を塗布し、ベーク後余分なシュリンク剤を有機溶剤現像液で除去し、パターンのスペース部分の寸法を縮小させるパターン形成方法。 (R 1 はH又はCH 3 を示す。R 2 はアルキレン基であり、R 3 はアルキル基であり、又は酸不安定基である。X 1 はフェニレン基、又は−C(=O)−O−R 4 −である。R 4 は単結合、アルキレン基、又はフェニレン基である。) 【効果】本発明によれば、レジストパターンのスペース部分の寸法を寸法制御よく縮小させることができる。【選択図】なし
摘要翻译：解决方案：提供一种图案形成方法，其包括：在基材上涂布含有具有包含酸不稳定基取代的羧基，酸产生剂和有机溶剂的重复单元的高分子化合物的抗蚀剂组合物，形成抗蚀膜; 曝光抗蚀膜; 通过使用有机溶剂显影剂形成负图案; 在负图案上涂布含有由式（1）表示的重复单元a1，酯溶剂和/或酮溶剂的高分子化合物的收缩剂溶液; 并烘烤图案，然后通过使用有机溶剂显影剂除去过量的收缩剂，以缩小图案中的空间的尺寸。（式（1）中，R表示H或CH; R表示亚烷基; R表示烷基或酸不稳定基团; X表示亚苯基或-C（= O）-OR-，其中R表示单键，亚烷基或亚苯基。）效果：根据本发明，抗蚀剂图案中的空间的尺寸可以精确尺寸控制的方式收缩。选择图：无

76. 发明专利

JP2016508287A ５０ｎｍ以下のライン間寸法を有するパターン化材料を処理する際におけるアンチパターン崩壊を回避するための、界面活性剤及び疎水剤を含む組成物の使用有权
标题翻译：为了避免在与50nm之间的下面的行尺寸加工图案化材料的时间反模式崩溃，使用的组合物包含表面活性剂和疏水剂
公开(公告)号：JP2016508287A
公开(公告)日：2016-03-17
申请号：JP2015547217
申请日：2013-12-04
申请人：ビーエーエスエフソシエタス・ヨーロピアBasf Se , ビーエーエスエフソシエタス・ヨーロピアBasf Se
发明人：クリップ，アンドレアス , ホンチウク，アンドライ , エター，ギュンター , ビットナー，クリスティアン
IPC分类号： H01L21/304 , C11D1/40 , C11D1/62 , C11D1/68 , C11D1/72 , C11D1/722 , C11D1/75 , C11D1/82 , C11D1/88 , C11D17/08 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/422 , C11D1/835 , C11D1/94 , C11D11/0047 , G03F7/2041 , G03F7/405 , H01L21/02057 , H01L21/0273
摘要：【課題】50nm以下のライン間寸法を有するパターン化材料を処理する際のアンチパターン崩壊を回避するための、界面活性剤及び疎水剤を含む組成物の使用。【解決手段】少なくとも1種の非イオン界面活性剤A及び少なくとも1種の疎水剤Bを含む水溶性組成物の、50nm以下のライン間寸法を有するパターンを含む基板を処理するための使用であって、(a)少なくとも1種の界面活性剤Aが、10mN/m〜35mN/mの平衡表面張力を有し、この平衡表面張力は、臨界ミセル濃度における少なくも1種の界面活性剤Aの水溶液より決定され、(b)疎水剤Bは、水の基板に対する接触角が、基板を疎水剤Bの水溶液と接触させることにより、この接触前の水の基板に対する接触角に比較して、5〜95?増加するように選択されることを特徴とする使用。【選択図】図6
摘要翻译：甲50nm至避免反图案倒塌处理图案化的材料具有的尺寸之间的下面的行的情况下，使用的组合物包含表面活性剂和疏水剂。包含至少一种非离子表面活性剂A和至少一种疏水性剂B的水溶性组合物，它是在使用中，用于处理包括具有尺寸为50nm之间如下的图案的基板碲，（a）至少一种表面活性剂具有的10MN /米〜为35mN / m的平衡表面张力，临界胶束浓度Sukunakumo一种表面活性剂的一个这样的平衡表面张力，（b）的疏水性试剂b，相对于该水的基板的接触角，通过在基板与疏水性剂b的水溶液接触而从该溶液被确定，并与所述接触前的接触角与水的底物，5 95？使用被选中增加。点域6

77. 发明专利

JP5871844B2 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム有权
标题翻译：基板处理方法，程序，计算机存储介质和基板处理系统
公开(公告)号：JP5871844B2
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：JP2013044427
申请日：2013-03-06
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：岩尾文子 , 志村悟
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/40 , H01L21/3065
CPC分类号： G03F7/405

78. 发明专利

JP2015212378A 下層のための芳香族樹脂有权
标题翻译：底漆的芳香树脂
公开(公告)号：JP2015212378A
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：JP2015092544
申请日：2015-04-30
申请人：ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズエルエルシー , Rohm and Haas Electronic Materials LLC , ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ・コリア・リミテッド
发明人：ソンファ・ハン , スンウォク・チョ , ヘクワン・ピョン , チュンチュン・イ , シンタロウ・ヤマダ
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027 , C08G61/10
CPC分类号： C08G61/128 , C08G61/02 , C08G61/12 , C09D165/00 , G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/34 , G03F7/36 , G03F7/40 , G03F7/405 , C08G2261/12 , C08G2261/135 , C08G2261/1422 , C08G2261/314 , C08G2261/3424 , C08G2261/76 , C08G2261/90
摘要：【課題】反射防止特性及び向上したエッチング選択性、特にO2およびCF4プラズマに対する向上した耐エッチング性を有する下層材料の提供。【解決手段】OH、SHおよびOR3から選択される官能基を有する縮合環化合物からなる2種のモノマーと、場合によって第3のモノマーとのポリマー系反応生成物。【効果】ポリマー系反応生成物は半導体製造プロセスにおける下層として有用である。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供具有抗反射性能和改进的蚀刻选择性的底层材料，特别是改进对O 2和CF 4等离子体的耐蚀刻性。溶液：聚合反应产物包含两个具有选自OH，SH的官能团的稠环化合物单体，以及 OR3和任选的第三单体。这种聚合反应产物可用作半导体制造工艺中的底层。

79. 发明专利

JP5751492B2 フレキソ印刷版の製造方法およびフレキソ印刷版有权
标题翻译：生产方法和柔性版印刷版的柔性版印刷版
公开(公告)号：JP5751492B2
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：JP2011547640
申请日：2010-12-24
申请人：東洋紡株式会社
发明人：芳本和也 , 本井慶一
IPC分类号： G03F7/40 , G03F7/00 , G03F7/032 , G03F7/004 , B41N1/12 , B41N3/00 , B41N3/08
CPC分类号： B41N1/12 , B41N1/003 , B41N3/00 , G03F7/033 , G03F7/405 , Y10T428/31663

80. 发明专利

JP2015034987A 気体環境中のフォトレジストをレーザ処理する方法有权
标题翻译：气体环境中光电子激光处理方法
公开(公告)号：JP2015034987A
公开(公告)日：2015-02-19
申请号：JP2014143920
申请日：2014-07-14
申请人：ウルトラテックインク , Ultratech Inc , ウルトラテックインク
发明人： ARTHUR W ZAFIROPOULO , HAWRYLUK M ANDREW
IPC分类号： G03F7/40 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/168 , G03F7/26 , G03F7/38 , G03F7/40 , G03F7/405 , H01L21/67069
摘要：【課題】パターン化製品ウエハにおいて、表面を有するフォトレジスト層のエッチング耐性及び線境界粗さのうちの少なくとも一つを改善する方法を提供する。【解決手段】a)トリメチルアルミニウムガス、四塩化チタンガス、及びジエチル亜鉛ガスからなる群から選択される少なくとも1つの第1の処理ガスに、フォトレジスト層を曝す工程、b)フォトレジスト層及び第1の処理ガスにレーザを照射し、第1の処理ガスをフォトレジスト層に注入させる工程であって、フォトレジスト層の表面は、+/−5℃の温度均一性を有する300℃から500℃の間の温度に上昇させられる工程、c)フォトレジスト層の周辺から、残余の第1の処理ガスを除去する工程、d)フォトレジスト層を、H2Oを含む第2の処理ガスに曝す工程、e)フォトレジスト層及び第2の処理ガスにレーザを照射し、H2Oをフォトレジスト層に注入させる工程とを含む方法。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于改善在图案化产品晶片中具有表面的光致抗蚀剂层的蚀刻耐久性和线边界粗糙度中的至少一个的方法。解决方案：该方法包括以下步骤：（a）使光致抗蚀剂层涉及作为选自三甲基铝气体，四氯化钛气体和二乙基锌气体中的至少一种气体的第一处理气体; （b）用激光照射光致抗蚀剂层和第一处理气体，以将第一处理气体注入到光致抗蚀剂层中，其中光致抗蚀剂层的表面温度升高到300℃至500℃的范围，其中+ -5℃温度均匀性; （c）从光致抗蚀剂层的周边除去残余的第一处理气体; （d）将光致抗蚀剂层暴露于含有HO的第二处理气体; 和（e）用激光照射光致抗蚀剂层和第二处理气体以将HO注入到光致抗蚀剂层中。

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