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    • 75. 发明专利
    • パターン形成方法及びシュリンク剤
    • 图案形成方法和收缩剂
    • JP2016091033A
    • 2016-05-23
    • JP2015213615
    • 2015-10-30
    • 信越化学工業株式会社
    • 畠山 潤提箸 正義
    • G03F7/039G03F7/038G03F7/32C08F112/14C08F212/14G03F7/20H01L21/027G03F7/40
    • G03F7/40G03F7/0045G03F7/0046G03F7/0397G03F7/094G03F7/11G03F7/2041G03F7/30G03F7/32G03F7/325G03F7/38G03F7/405
    • 【解決手段】カルボキシル基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、レジスト膜を露光し、有機溶剤の現像液を用いてネガパターンを形成し、式(1)で示される繰り返し単位a1を有する高分子化合物とエステル系溶剤及び/又はケトン系溶剤を含有するシュリンク剤溶液を塗布し、ベーク後余分なシュリンク剤を有機溶剤現像液で除去し、パターンのスペース部分の寸法を縮小させるパターン形成方法。 (R 1 はH又はCH 3 を示す。R 2 はアルキレン基であり、R 3 はアルキル基であり、又は酸不安定基である。X 1 はフェニレン基、又は−C(=O)−O−R 4 −である。R 4 は単結合、アルキレン基、又はフェニレン基である。) 【効果】本発明によれば、レジストパターンのスペース部分の寸法を寸法制御よく縮小させることができる。 【選択図】なし
    • 解决方案:提供一种图案形成方法,其包括:在基材上涂布含有具有包含酸不稳定基取代的羧基,酸产生剂和有机溶剂的重复单元的高分子化合物的抗蚀剂组合物,形成 抗蚀膜; 曝光抗蚀膜; 通过使用有机溶剂显影剂形成负图案; 在负图案上涂布含有由式(1)表示的重复单元a1,酯溶剂和/或酮溶剂的高分子化合物的收缩剂溶液; 并烘烤图案,然后通过使用有机溶剂显影剂除去过量的收缩剂,以缩小图案中的空间的尺寸。 (式(1)中,R表示H或CH; R表示亚烷基; R表示烷基或酸不稳定基团; X表示亚苯基或-C(= O)-OR-,其中R表示单键, 亚烷基或亚苯基。)效果:根据本发明,抗蚀剂图案中的空间的尺寸可以精确尺寸控制的方式收缩。选择图:无
    • 80. 发明专利
    • 気体環境中のフォトレジストをレーザ処理する方法
    • 气体环境中光电子激光处理方法
    • JP2015034987A
    • 2015-02-19
    • JP2014143920
    • 2014-07-14
    • ウルトラテック インクUltratech Incウルトラテック インク
    • ARTHUR W ZAFIROPOULOHAWRYLUK M ANDREW
    • G03F7/40H01L21/3065
    • H01L21/0273G03F7/168G03F7/26G03F7/38G03F7/40G03F7/405H01L21/67069
    • 【課題】パターン化製品ウエハにおいて、表面を有するフォトレジスト層のエッチング耐性及び線境界粗さのうちの少なくとも一つを改善する方法を提供する。【解決手段】a)トリメチルアルミニウムガス、四塩化チタンガス、及びジエチル亜鉛ガスからなる群から選択される少なくとも1つの第1の処理ガスに、フォトレジスト層を曝す工程、b)フォトレジスト層及び第1の処理ガスにレーザを照射し、第1の処理ガスをフォトレジスト層に注入させる工程であって、フォトレジスト層の表面は、+/−5℃の温度均一性を有する300℃から500℃の間の温度に上昇させられる工程、c)フォトレジスト層の周辺から、残余の第1の処理ガスを除去する工程、d)フォトレジスト層を、H2Oを含む第2の処理ガスに曝す工程、e)フォトレジスト層及び第2の処理ガスにレーザを照射し、H2Oをフォトレジスト層に注入させる工程とを含む方法。【選択図】図3
    • 要解决的问题:提供一种用于改善在图案化产品晶片中具有表面的光致抗蚀剂层的蚀刻耐久性和线边界粗糙度中的至少一个的方法。解决方案:该方法包括以下步骤:(a)使光致抗蚀剂层 涉及作为选自三甲基铝气体,四氯化钛气体和二乙基锌气体中的至少一种气体的第一处理气体; (b)用激光照射光致抗蚀剂层和第一处理气体,以将第一处理气体注入到光致抗蚀剂层中,其中光致抗蚀剂层的表面温度升高到300℃至500℃的范围,其中+ -5℃温度均匀性; (c)从光致抗蚀剂层的周边除去残余的第一处理气体; (d)将光致抗蚀剂层暴露于含有HO的第二处理气体; 和(e)用激光照射光致抗蚀剂层和第二处理气体以将HO注入到光致抗蚀剂层中。