基本信息:
- 专利标题： パターン形成方法及びシュリンク剤
- 专利标题（英）：Pattern forming method and shrink agent
- 专利标题（中）：图案形成方法和收缩剂
- 申请号：JP2015213615 申请日：2015-10-30
- 公开(公告)号：JP2016091033A 公开(公告)日：2016-05-23
- 发明人： 畠山 潤 , 提箸 正義
- 申请人： 信越化学工業株式会社
- 申请人地址： 東京都千代田区大手町二丁目6番1号
- 专利权人： 信越化学工業株式会社
- 当前专利权人： 信越化学工業株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都千代田区大手町二丁目6番1号
- 代理人： 小島 隆司; 重松 沙織; 小林 克成; 石川 武史; 正木 克彦
- 优先权： JP2014223972 2014-11-04
- 主分类号： G03F7/039
- IPC分类号： G03F7/039 ; G03F7/038 ; G03F7/32 ; C08F112/14 ; C08F212/14 ; G03F7/20 ; H01L21/027 ; G03F7/40
摘要：
【解決手段】カルボキシル基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、レジスト膜を露光し、有機溶剤の現像液を用いてネガパターンを形成し、式(1)で示される繰り返し単位a1を有する高分子化合物とエステル系溶剤及び/又はケトン系溶剤を含有するシュリンク剤溶液を塗布し、ベーク後余分なシュリンク剤を有機溶剤現像液で除去し、パターンのスペース部分の寸法を縮小させるパターン形成方法。 (R 1 はH又はCH 3 を示す。R 2 はアルキレン基であり、R 3 はアルキル基であり、又は酸不安定基である。X 1 はフェニレン基、又は−C(=O)−O−R 4 −である。R 4 は単結合、アルキレン基、又はフェニレン基である。) 【効果】本発明によれば、レジストパターンのスペース部分の寸法を寸法制御よく縮小させることができる。 【選択図】なし
摘要（中）：
解决方案：提供一种图案形成方法，其包括：在基材上涂布含有具有包含酸不稳定基取代的羧基，酸产生剂和有机溶剂的重复单元的高分子化合物的抗蚀剂组合物，形成 抗蚀膜; 曝光抗蚀膜; 通过使用有机溶剂显影剂形成负图案; 在负图案上涂布含有由式（1）表示的重复单元a1，酯溶剂和/或酮溶剂的高分子化合物的收缩剂溶液; 并烘烤图案，然后通过使用有机溶剂显影剂除去过量的收缩剂，以缩小图案中的空间的尺寸。 （式（1）中，R表示H或CH; R表示亚烷基; R表示烷基或酸不稳定基团; X表示亚苯基或-C（= O）-OR-，其中R表示单键， 亚烷基或亚苯基。）效果：根据本发明，抗蚀剂图案中的空间的尺寸可以精确尺寸控制的方式收缩。选择图：无
公开/授权文献:
- JP6402702B2 パターン形成方法及びシュリンク剤 公开/授权日：2018-10-10