专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

71. 发明专利

JP2017005158A ウエーハの裏面研削方法审中-公开
标题翻译：背面研磨晶片的方法
公开(公告)号：JP2017005158A
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2015118922
申请日：2015-06-12
申请人：株式会社ディスコ
发明人：中村勝
IPC分类号： H01L21/301 , B24B7/22 , B23K26/53 , H01L21/683 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2223/5446
摘要：【課題】ウエーハの裏面を研削する際にデバイスを保護するためにウエーハの表面に保護プレートを装着するためのボンド材を、研削後にウエーハの表面から確実に除去することができるウエーハの裏面研削方法を提供する。【解決手段】ウエーハの裏面を研削するウエーハの裏面研削方法であって、ウエーハの表面に水溶性の液状樹脂を被覆して薄膜を形成する水溶性樹脂被覆工程と、ウエーハの表面を保護する保護プレートと薄膜との間にボンド材を介在させてウエーハを保護プレートに固定する保護プレート固定工程と、ウエーハが固定された保護プレート側をチャックテーブルに保持し、ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する裏面研削工程と、ウエーハが固定された保護プレートとともにボンド材を剥離する保護プレート剥離工程と、ウエーハの表面に残存するボンド材に水を供給し、ボンド材とともに薄膜を除去するボンド材除去工程とを含む。【選択図】図8
摘要翻译：为保护板安装到所述晶片的表面研磨晶片时，背研磨晶片，其可被从晶片的表面研磨后可靠地除去的处理，以保护设备背面的粘结材料提供。所述晶片的后表面的晶片的背磨方法研磨，通过晶片，用于保护晶片表面保护的表面上涂覆一种水溶性液态树脂形成薄膜的水溶性树脂涂层步骤板和与插入接合材料到晶片固定到薄膜之间的保护板的保护板固定工序中，保护板侧晶片是固定的，在卡盘台保持，通过研磨晶片的背表面预定供给背面研磨形成厚度的步骤，和保护板分离步骤晶片与固定于保护板一起剥离的粘合材料，残留在晶片的表面上的水粘合材料，除去薄膜与接合材料接合和木材去除步骤。点域8

72. 发明专利

JP6053381B2 ウェーハの分割方法有权
标题翻译：晶片分割方法
公开(公告)号：JP6053381B2
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：JP2012174336
申请日：2012-08-06
申请人：株式会社ディスコ
发明人：中村勝
IPC分类号： B23K26/40 , H01L21/301

73. 发明专利

JP2016219528A 加工装置有权
标题翻译：加工设备
公开(公告)号：JP2016219528A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：JP2015100786
申请日：2015-05-18
申请人：株式会社ディスコ
发明人：中村勝
IPC分类号： H01L21/301 , B24B41/06 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67778 , H01L21/67092 , H01L21/67259 , H01L21/681
摘要：【課題】被加工物を仮置き手段を構成する支持レールに沿って揺動することなく円滑に移動することができる加工装置を提供する。【解決手段】仮置き手段9は、被加工物の搬出・搬入方向に被加工物を摺動可能に案内する第1の支持レール91と、第1の支持レールに対向して配設された第2の支持レール92と、第1の支持レールと第2の支持レールとを互いに接近及び離反する方向に作動させる支持レール作動手段93と、支持レール作動手段の負荷を検出する負荷検出手段97(トルク計測器)とを具備している。制御手段は、支持レール作動手段を作動して第1の支持レールと第2の支持レールとを互いに接近させて被加工物を挟持する際における負荷検出手段からの負荷信号を入力し、負荷検出手段からの負荷値が所定値に達したならば第1の支持レールと第2の支持レールとを互いに所定量離反する方向に作動するように支持レール作動手段を作動させる。【選択図】図4
摘要翻译：提供一种能够不沿构成临时支撑导轨摆动平滑移动的处理装置是指工件。临时装置9包括用于引导可滑动地工件的工件卸载装载方向上的第一支承轨道91，布置成面对所述第一支承轨道第二支承轨道92，支承轨致动装置93用于在方向致动，其中，第一支承轨道和朝向和远离彼此的第二支撑轨道，所述负载检测装置，用于检测所述支撑导轨致动的负载装置97 和（扭矩计）。控制装置，以彼此接近第一支撑轨道，并通过操作所述支撑轨致动所述第二支承轨道指的是从负荷检测装置在夹紧工件时，负载检测时输入负载信号从致动支撑导轨致动的装置的负载值是指一个预定量，如果达到预定的值，以操作第一支承轨道和所述第二支承轨道的方向彼此远离。点域4

74. 发明专利

JP6013858B2 ウェーハの加工方法有权
公开(公告)号：JP6013858B2
公开(公告)日：2016-10-25
申请号：JP2012219097
申请日：2012-10-01
申请人：株式会社ディスコ
发明人：中村勝
IPC分类号： H01L21/301

75. 发明专利

JP2016018881A ウエーハの加工方法有权
标题翻译： WAFER加工方法
公开(公告)号：JP2016018881A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：JP2014140432
申请日：2014-07-08
申请人：株式会社ディスコ
发明人：中村勝
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/53 , B23K26/364 , H01L21/301
摘要：【課題】基板の表面に低誘電率絶縁体被膜(Low−k膜)等の機能層が積層されたウエーハをデバイスを区画する分割予定ラインに沿って確実に分割することができるウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】基板の表面に積層された機能層が格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画され、該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、機能層に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を分割予定ラインに幅方向中央の両側に沿って照射し、少なくとも2本のレーザー加工溝を形成することにより機能層を分割予定ラインに沿って分断するレーザー加工溝形成工程と、基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側から分割予定ラインに沿って照射し、基板の内部に分割予定ラインに沿って破断起点となる改質層を形成する改質層形成工程とを含む。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够成功地划分在基板的表面上层叠功能层如低介电常数绝缘体涂层（Low-k膜）的晶片的晶片处理方法，沿着划分的分区线器件。解决方案：分别在由多个分区划分的多个区域中分别形成有多个分割线和器件的层叠在基板表面上的功能层的晶片的处理方法计划行包括：激光处理槽形成处理，其沿着宽度方向中心的两侧，沿着分割预定线沿功能层照射具有吸收功能的波长的激光束，沿着分割预定线将功能层沿划分线分开形成至少两个激光加工槽; 以及改性层形成工艺，其沿着分割线从晶片的背面照射具有透射率的波长的激光束，以形成用作基板内部的断裂起点的改性层，并且沿着划线图：图5

76. 发明专利

JP2015233077A ウエーハの加工方法审中-公开
标题翻译：加工方法
公开(公告)号：JP2015233077A
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：JP2014119409
申请日：2014-06-10
申请人：株式会社ディスコ
发明人：中村勝
IPC分类号： B24B27/06 , H01L21/301
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/02076 , H01L21/304 , H01L21/3043 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
摘要：【課題】先ダイシング法によって個々の半導体デバイスに分割された半導体ウエーハの裏面に装着したダイボンディング用の接着フィルムを、分割された半導体デバイスに沿って破断する際に微細に破砕された接着フィルムが半導体デバイスの表面に直接付着するのを防止できる加工方法の提供。【解決手段】ウエーハ2の表面側から分割予定ラインに沿ってデバイス22の仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成工程と、表面に水溶性樹脂を被覆して保護膜400を形成する工程と、保護膜の表面に保護部材を貼着する工程と、裏面を研削して裏面に分割溝を表出させ、ウエーハを個々のデバイスに分割する工程と、裏面に接着フィルム7を装着するとともにダイシングテープTを貼着し、表面に貼着された保護部材を剥離するウエーハ支持工程と、ダイシングテープを拡張して接着フィルムを個々のデバイスに沿って破断する工程と、洗浄水で保護膜を洗い流す工程とを含む。【選択図】図10
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过预切割将安装在分割为各个半导体器件的半导体晶片的背面安装在芯片接合用粘合膜上的晶片的处理方法，从而直接粘贴到当由分割的半导体器件断开而使粘合剂薄膜细碎时，半导体器件的表面。形成步骤，用于从晶片2的表面侧沿分割计划行形成具有对应于装置22的精加工厚度的深度的分隔槽; 用水溶性树脂覆盖晶片的表面以形成保护膜400的步骤; 将保护材料粘贴到保护膜的表面上的步骤; 研磨后表面以将分割的凹槽暴露于后表面并将晶片分成单独的装置的步骤; 晶片支撑步骤，用于在将粘合剂膜7粘附到后表面上并粘贴在表面上的保护构件上粘贴切割带T; 用于延伸切割胶带以沿着各个装置断开粘合剂膜的步骤; 以及用洗涤水洗涤保护膜的步骤。

77. 发明专利

JP2015230964A ウエーハの加工方法审中-公开
标题翻译： WAFER加工方法
公开(公告)号：JP2015230964A
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：JP2014116412
申请日：2014-06-05
申请人：株式会社ディスコ
发明人：中村勝
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/53 , H01L21/301
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/02076 , H01L21/304 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/78 , H01L21/82 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
摘要：【課題】分割予定ラインに沿って改質層が形成されたウエーハの表面に保護テープを貼着し、ウエーハの裏面を研削水を供給しつつ研削して所定の厚みに形成するとともにウエーハを個々のデバイスに分割する際のデバイスの側面および表面を汚染を防止する。【解決手段】ウエーハ2に対して透過性を有する波長のレーザー光線を内部に集光点を位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、ウエーハの裏面2bを研削水を供給しつつ研削して所定の厚みに形成するとともにウエーハを改質層を破断起点として分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する裏面研削工程とを含み、裏面研削工程を実施する前に、ウエーハの表面に液状樹脂を被覆して保護膜300を形成する保護膜形成工程と、保護膜の表面に保護テープ4を貼着する保護テープ貼着工程を実施する。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种晶片处理方法，该方法将保护带粘附到具有沿着分割预定线形成的重整层的晶片的表面，并且在研磨水的同时研磨晶片的后表面从而将晶片的厚度设定为预定厚度，从而防止当晶片分成各个器件时每个器件的侧表面和前表面的污染。解决方案：晶片处理方法包括：重整层形成步骤，用于照射激光在激光束的焦点位于晶片2的内部，沿着分割预定线沿晶片2透射的波长的光束，沿着晶片内部的分割预定线形成重整层，后表面研磨工序在提供研磨水的同时研磨晶片的背面2b，从而将晶片的厚度设定为预定值并且沿着分开的预定线将晶片分离成单独的装置，其中重整层设置为断裂起始点。在晶片表面上涂布液态树脂以形成保护膜300的保护膜形成步骤，并且在后表面研磨步骤之前执行将保护带4粘附到保护膜的表面上的保护带附着步骤被执行。

78. 发明专利

JP2015222756A ウエーハの加工方法および分割装置审中-公开
标题翻译：加工方法和分级装置
公开(公告)号：JP2015222756A
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：JP2014106121
申请日：2014-05-22
申请人：株式会社ディスコ
发明人：中村勝
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/53 , H01L21/301
摘要：【課題】複数の分割予定ラインによって区画されデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに確実に分割することができるウエーハの加工方法および分割装置を提供する。【解決手段】ウエーハ10に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、改質層形成工程が実施されたウエーハの裏面にダイシングテープTを貼着し該ダイシングテープの外周部を環状のフレームFに装着するウエーハ支持工程と、ダイシングテープを拡張してデバイス同士の間隔を広げるテープ拡張工程とを含み、テープ拡張工程を実施する前に、ダイシングテープに貼着されたウエーハにノズル81によりエアーを吹き付けて改質層が形成された分割予定ラインに沿ってウエーハを個々のデバイスに分割するエアー吹付工程を実施する。【選択図】図13
摘要翻译：要解决的问题：提供一种晶片处理方法和分离装置，通过该晶片处理方法和分离装置，具有由多个分开的预定线分割的器件的晶片可以沿着分开的预定线路被可靠地分成单独的器件。解决方案：晶片处理方法包括：层叠形成步骤，其中通过晶片10的透射波长的激光束照射晶片10，整个激光束的会聚点位于晶片10的内部，从而沿着晶片上的划线设置线形成修饰层; 晶片支撑步骤，用于将切割带T粘附到其上执行改性层形成步骤的晶片的背面，并将切割带的外周部分安装到环形框架F; 以及扩大切割胶带以扩大装置间隔的磁带扩展步骤。在执行胶带扩张步骤之前，执行空气喷涂步骤，其通过喷嘴81将附着到切割胶带上的空气喷射到晶片上，以沿着形成有改性层的分割预定行将晶片分成各个装置。

79. 发明专利

JP5819605B2 基板の分割方法有权
标题翻译：分割基板的制造方法
公开(公告)号：JP5819605B2
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：JP2010281166
申请日：2010-12-17
申请人：株式会社ディスコ
发明人：中村勝
IPC分类号： B23K26/40 , H01L21/301

80. 发明专利

JP2015173203A ダイシングテープの拡張方法有权
标题翻译：定位带扩展方法
公开(公告)号：JP2015173203A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：JP2014048802
申请日：2014-03-12
申请人：株式会社ディスコ
发明人：中村勝
IPC分类号： H01L21/301
摘要：【課題】環状のフレームに装着されウエーハが貼着されたダイシングテープを均一に拡張することができるとともに、該ダイシングテープにおけるウエーハが貼着されている領域と環状のフレームとの間の環状の収縮領域を均一に収縮することができるダイシングテープの拡張方法を提供する。【解決手段】高温雰囲気内または高温雰囲気外においてダイシングテープTを拡張し隣接するデバイス102の間隔を拡張し、高温雰囲気内において保持テーブル322の保持面に吸引力を作用させて該ダイシングテープを介してウエーハ10を吸引保持することにより拡張されたデバイス間の間隔Sを保持し、高温雰囲気内または高温雰囲気外においてダイシングテープの拡張を解除し、高温雰囲気外において保持テーブルの保持面にダイシングテープを介してウエーハを吸引保持した状態でダイシングテープを冷却し弛んだ領域を緊張させる。【選択図】図7
摘要翻译：要解决的问题：提供一种切割带的膨胀方法，其允许施加到环形框架并与晶片接合的切割带的均匀膨胀，同时确保切割带的区域之间的环形收缩区域的均匀收缩晶片接合到其上的环形框架。解决方案：在高温环境或其外部，切割带T扩大并且相邻设备102的间隔扩大，设备之间的扩展间隔S由在高温气氛下对保持带322的保持面施加吸力，由此通过切割带吸取保持晶片10，在高温气氛或其外部释放切割带的膨胀，然后释放在高温气氛的外侧的保持台的保持面上，通过切割带将晶片吸持保持，切割带被冷却，松动区域为张紧。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式