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71. 发明专利

JPWO2018047228A1 電子源および電子線照射装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018047228A1
公开(公告)日：2019-07-04
申请号：JP2016076146
申请日：2016-09-06
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：松永宗一郎 , 早田康成 , 片桐創一 , 川野源 , 土肥隆
IPC分类号： H01J37/28 , H01J37/244 , H01J1/30 , H01J9/02 , G21K5/04 , H01J37/06
摘要：高輝度で大電流の電子源を提供するために、先端に凸状曲面の電子放出面を有し、少なくとも電子放出面の表面が非晶質材料(202)で構成されたワイヤ状部材(201)を有する電子源とする。

72. 发明专利

JP2019110312A プラズマ処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019110312A
公开(公告)日：2019-07-04
申请号：JP2019021153
申请日：2019-02-08
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：楠本広則 , 大本豊 , 中本和則 , 永井宏治
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/683 , H05B3/00 , H01L21/3065
摘要：【課題】ウエハの温度変化を高速化し温度の調節の精度を向上して処理の効率を向上できるプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】真空容器内部の処理室内に配置された試料台上にウエハを載置して前記処理室内に形成したプラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理方法であって、前記試料台が、円筒形状を有し、その内部に中心から外周側へ向かう径方向および前記中心周りの周方向について分けられた複数の領域内に配置された複数のヒータを備え、前記中心から同じ半径上の前記周方向の複数の領域内に配置された前記複数のヒータが直流電源に対して直列に配置されて回路を構成するものであって、前記直流電源から前記回路に供給される電力を一定となるように調節して当該回路の直列に配置された前記複数のヒータの各々に流れる電流の量を調節して前記複数のヒータ各々の発熱量を調節しつつ前記ウエハを処理する。【選択図】図3

73. 发明专利

JP2019110047A プラズマ処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019110047A
公开(公告)日：2019-07-04
申请号：JP2017242780
申请日：2017-12-19
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：田村仁
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
摘要：【課題】プラズマを形成する効率を向上させたプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置1は、真空容器302内でプラズマが形成される処理室212、および被処理基板214が載置される試料台を構成する基板電極215と、処理室212内に磁界を形成するソレノイドコイル213と、試料台の上方に対向配置され接地電位にされる円板形状の第1アース部材209と、第1アース部材209の下方で処理室212の側面を囲むように配置される円筒形状の窓部材211と、第1アース部材209の上方に配置されマイクロ波の電界が伝播する円筒空洞部208を含む導波路と、窓部材211の外側でマイクロ波の電界が導入される同軸状空洞210とを備え、マイクロ波の電界の向きが磁界の向きと略垂直となるように、マイクロ波の電界が同軸状空洞210から窓部材211を透過して処理室212内に導入される。【選択図】図1

74. 发明专利

JP6539779B2 荷電粒子顕微鏡および試料撮像方法有权
公开(公告)号：JP6539779B2
公开(公告)日：2019-07-03
申请号：JP2018512729
申请日：2016-04-22
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：庄子美南 , 津野夏規 , 大南祐介
IPC分类号： H01J37/18 , H01J37/22 , H01J37/244 , H01J37/28

75. 发明专利

JP2019083265A 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019083265A
公开(公告)日：2019-05-30
申请号：JP2017209918
申请日：2017-10-31
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：山口欣秀
IPC分类号： H01L21/302
摘要：【課題】高誘電率絶縁膜を有する半導体デバイスの加工には、高誘電率絶縁膜材料とSiとにより形成されるシリケート膜のドライエッチングを実現する必要がある。【解決手段】処理室11の内部に設けられ、ケイ酸塩を含む高誘電率絶縁膜を有する半導体基板1を保持するステージ12と、処理室に反応性ガスを供給する第1の系統及び処理室に触媒性ガスを供給する第2の系統を有するガス供給ライン15とを有する半導体製造装置であって、反応性ガスとして、高誘電率絶縁膜に含まれる金属元素と反応して揮発性の第1の有機金属錯体を形成する錯体化材料ガスと第1の有機金属錯体の安定性を高める錯体安定化材料ガスとを含む混合ガスを供給し、触媒性ガスとして、高誘電率絶縁膜を変性し、第1の有機金属錯体の形成反応を促進する第2の有機金属錯体を原料とする触媒性ガスを供給する。【選択図】図1

76. 发明专利

JP6522133B2 観察支援ユニットおよびこれを用いた試料観察方法、荷電粒子線装置有权
公开(公告)号：JP6522133B2
公开(公告)日：2019-05-29
申请号：JP2017536064
申请日：2015-08-21
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：大南祐介 , 久田明子
IPC分类号： H01J37/18 , H01J37/28 , G01N1/28 , H01J37/20

77. 发明专利

JP2019078578A パターン計測方法、パターン計測装置、及びコンピュータープログラム审中-公开
公开(公告)号：JP2019078578A
公开(公告)日：2019-05-23
申请号：JP2017204144
申请日：2017-10-23
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：福田宏
IPC分类号： H01L21/66 , G01N23/203 , G01B15/04
摘要：【課題】本発明は、周波数成分を持つ計測ノイズを除去したラフネス評価値を導出するパターン計測方法等の提供を目的とする。【解決手段】上記目的を達成するために、複数フレームの信号から積算数が異なる複数の積算信号を生成し、当該積算数が異なる複数の信号のそれぞれから、前記パターンのエッジ位置情報を、当該エッジに沿って取得し、当該エッジ位置情報と基準位置情報との差を求め、当該差に基づいて前記エッジの特定空間周波数のスペクトル成分、或いは標準偏差を求め、前記積算数に関する値を説明変数、前記スペクトル成分或いは標準偏差に関する値を目的変数とした回帰分析を行い、当該回帰分析によって得られた値を前記パターンのラフネス指標値、或いは前記信号に含まれるノイズ指標値として出力する計測法を提案する。【選択図】図1

78. 发明专利

JP6517565B2 分注ノズル洗浄方法および自動分析装置有权
公开(公告)号：JP6517565B2
公开(公告)日：2019-05-22
申请号：JP2015070318
申请日：2015-03-30
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：島田賢史 , 山下善寛 , 坂下敬道 , 神原克宏
IPC分类号： G01N35/10

79. 发明专利

JP2019074311A 自動分析装置および分注プローブの洗浄方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019074311A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：JP2016029453
申请日：2016-02-19
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：岩瀬友一 , 野中昂平 , 森高通 , 石沢雅人
IPC分类号： G01N35/10 , G01N35/00
摘要：【課題】プローブの洗浄のための洗浄液の使用量を従来より低減することができる自動分析装置および分注プローブの洗浄方法を提供する。【解決手段】制御部21において、洗浄液貯留槽にて試料プローブ11a,12a、試薬プローブ7a,8aを洗浄する際に、洗浄液貯留槽に試料プローブ11a,12a、試薬プローブ7a,8aより内洗水を吐出するよう試料プローブ11a,12a、試薬プローブ7a,8aを制御する。【選択図】図1

80. 发明专利

JP2019072000A ピストン及びシリンジ审中-公开
公开(公告)号：JP2019072000A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：JP2017198877
申请日：2017-10-12
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：穴沢隆 , 原田邦男 , 山崎基博
IPC分类号： A61M5/315
摘要：【課題】摺動性能及び耐圧性能のよいピストン及びシリンジを提供することを課題とする。【解決手段】内部の媒体に加圧または減圧を施すシリンジに内包されるピストン1が、柔らかい素材で構成されている軟性部12と、軟性部12より剛性の高い素材で構成されている剛性部11とが、直列に結合されており、軟性部12が媒体と接するように、剛性部11が媒体と接しないように配置され、軟性部12は、媒体と接する面おいて窪み部Hを有し、剛性部11は、少なくとも外周部において、前記軟性部と対向する端面において軟性部11と接しており、軟性部12の外径は、剛性部11の外径よりも大きく、剛性部11の外径はシリンジの外筒の内径よりも若干小さいことを特徴とする。【選択図】図6

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