专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

61. 发明专利

JP2018078148A 光半導体モジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2018078148A
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：JP2016217420
申请日：2016-11-07
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：古山英人 , 栗田洋一郎 , 上村浩 , 石橋史隆
IPC分类号： G02B6/42 , H01L31/02 , H01L31/0232 , H01L23/28 , H01S5/022
CPC分类号： G02B6/424 , G02B6/32 , G02B6/34 , G02B6/4239 , G02B6/4251 , G02B6/4256 , G02B6/4274
摘要：【課題】小型化や低コスト化が可能で信頼性の高い光半導体モジュールを提供する。【解決手段】実施形態によれば、第1面及び第1面と反対側の第2面を持ち、第2面側に光素子20が設けられ、第1面側から光入力及び出力可能な光デバイス1と、光デバイス1と離間して設けられた電気端子16と、光デバイス1及び電気端子16を保持する樹脂15と、樹脂15内に設けられ、光デバイス1と電気端子16を電気的に接続する接続部17とを有し、光デバイス1及び電気端子16は、樹脂15の同一面側に埋め込まれ、光デバイス1は第2面が樹脂15に覆われていることを特徴としている。【選択図】図1

62. 发明专利

JP2017102208A 光デバイスおよび光結合モジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2017102208A
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：JP2015234100
申请日：2015-11-30
申请人：株式会社東芝
发明人：栗田洋一郎 , 古山英人 , 上村浩 , 石橋史隆
IPC分类号： G02B6/34 , G02B6/30 , H01S5/022 , H01L31/0232 , G02F1/01 , G02B6/42
CPC分类号： G02B6/4243 , G02B6/131 , G02B6/32 , G02B6/34 , G02B6/425
摘要：【課題】光ファイバと光素子間の光結合を簡略化でき、小型化および低コスト化が可能な光デバイスおよび光結合モジュールを提供する。【解決手段】光結合モジュールは、半導体基板10の第1主面10Cから厚さ方向の途中まで空けられたビア10Aと、ビア10A内に固定された光ファイバ11と、半導体基板10の第1主面10Cと対向する第2主面10D上に配置された光素子20とを備える。【選択図】図2

63. 发明专利

JP2017055093A 半導体発光装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017055093A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2015180226
申请日：2015-09-11
申请人：株式会社東芝
发明人：糸永修司 , 古山英人 , 下宿幸 , 野村幸寛 , 遠藤光芳
IPC分类号： H01L23/28 , H01L33/58
摘要：【課題】チップサイズパッケージにおいて、配光角を安定させたパッケージ構造を有する半導体発光装置を提供する。【解決手段】半導体発光装置1は、発光層とを含む半導体層と、半導体層の一方の面の側に形成された蛍光体層30と、半導体層の他方の面の側で第1電極を介して第1半導体層に接続された第1金属ピラーと、半導体層の他方の面の側で第1電極と絶縁された第2電極を介して第2半導体層に接続された第2金属ピラーと、半導体層の他方の側で半導体層、第1金属ピラーおよび第2金属ピラーを一体として支持する樹脂層25と、を含む発光素子2と、半導体層の一方の面から蛍光体層30の側に向かって凸である曲面を有し第1金属ピラーおよび第2金属ピラーのそれぞれの端面を外部に露出させるとともに発光素子1の周囲を覆う透明部材3と、を備える。【選択図】図1

64. 发明专利

JP2016178293A 光半導体デバイスおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：光半导体器件和制造方法
公开(公告)号：JP2016178293A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：JP2016048033
申请日：2016-03-11
申请人：株式会社東芝
发明人：大平和哉 , 江崎瑞仙 , 上村紘崇 , 吉田春彦 , 飯塚紀夫 , 古山英人
IPC分类号： H01S5/024 , H01L31/10 , H01S5/183
摘要：【課題】放熱性が良好で、デバイス構造内に歪の発生が少ない半導体発光デバイス等の光半導体デバイスを提供すること。【解決手段】実施形態に係る半導体発光デバイスは、基板と、基板に接して設けられた第1の光反射構造と、第1の光反射構造を取り囲む埋め込み層と、第1の光反射構造上に設けられた、活性層を含む光半導体構造と、前記光半導体構造上に設けられた第2の光反射構造と、前記光半導体構造に通電するための一対の電極とを備える。第1の光反射構造の表面と前記埋め込み層の表面は、同一平面内に含まれる。ことを特徴とする【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供具有令人满意的散热性能的半导体发光器件的光半导体器件，并且在器件结构中产生很小的变形。解决方案：半导体发光器件包括：衬底; 形成为与基板接触的第一光反射结构; 包围第一光反射结构的掩埋层; 在包括有源层的第一光反射结构上形成的光半导体结构; 形成在所述光半导体结构上的第二光反射结构; 以及用于向光半导体结构提供电力的一对电极。第一光反射结构的表面和掩埋层的表面被包括在相同的平面中。选择图：图1

65. 发明专利

JP2016171164A 半導体発光装置审中-公开
标题翻译：半导体发光装置
公开(公告)号：JP2016171164A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015049093
申请日：2015-03-12
申请人：株式会社東芝
发明人：富澤英之 , 小島章弘 , 島田美代子 , 秋元陽介 , 古山英人 , 杉崎吉昭
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/50
摘要：【課題】均一発光が可能な半導体発光装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、第1半導体層11は、発光層13および第2半導体層12を含む積層膜14に囲まれた第1n側領域11dを有する。n側電極17は、第1半導体層11の側面11bに設けられた第1部分17aと、第1n側領域11dに設けられた第2部分17cと、絶縁膜18を介してp側電極16に重なり、第1部分17aと第2部分17cとを接続する第3部分17eと、を有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供可以实现均匀发光的半导体发光器件。解决方案：第一半导体层11包括由包含发光层13和第二半导体层的层叠膜14包围的1n侧区域11d n侧电极17具有设置在第一半导体层11的侧面11b上的第一部分17a，设置在第一侧区域11d的第二部分17c和与第一半导体层11重叠的第三部分17e 侧电极16通过绝缘膜18连接并连接第一部分17a和第二部分17c.选择的图示：图1

66. 发明专利

JP2016149389A 半導体発光装置及び蛍光体層の形成方法审中-公开
标题翻译：半导体发光器件和磷光体层形成方法
公开(公告)号：JP2016149389A
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：JP2015024066
申请日：2015-02-10
申请人：株式会社東芝
发明人：古山英人 , 遠藤光芳 , 下宿幸 , 糸永修司 , 野村幸寛
IPC分类号： C09K11/08 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/502 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/501 , H01L33/56 , H01L2933/0041 , H01L2933/005
摘要：【課題】放熱性に優れた半導体発光装置及び蛍光体層の形成方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、発光素子と、前記発光素子上に設けられた蛍光体層であって、複数の蛍光体粒子と、前記複数の蛍光体粒子の間で凝集して前記複数の蛍光体粒子どうしを結合し、前記蛍光体粒子よりもサイズが小さい複数の無機粒子とを有する蛍光体層と、を備えている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有优异的散热性能的半导体发光器件; 并提供荧光体层形成方法。解决方案：根据实施例，半导体发光器件包括：发光元件; 以及荧光体层，其设置在所述发光元件上，并且具有多个荧光体颗粒和尺寸小于所述荧光体颗粒的多个无机颗粒，所述多个荧光体颗粒在所述多个荧光体颗粒之间粘合以将所述多个荧光体颗粒与每个其他。图1

67. 发明专利

JP2016062928A 半導体装置の製造装置と半導体装置の製造方法有权
标题翻译：制造半导体器件的器件和方法
公开(公告)号：JP2016062928A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014187116
申请日：2014-09-12
申请人：株式会社東芝
发明人：糸永修司 , 古山英人 , 遠藤光芳
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/67132 , H01L2221/68318 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381
摘要：【課題】転写時の位置精度に優れた半導体装置の製造装置と半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造装置は、第1面を有する第1テープと、前記第1面の反対側で前記第1テープを支持する第1支持部と、前記第1テープの前記第1面に対向する第2面を有する第2テープと、前記第2面の反対側で前記第2テープを支持する第2支持部と、前記第1テープと前記第2テープとの間に設けられ、前記第1面および前記第2面側に通じる孔を有するリングと、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造半导体器件的装置和方法，该半导体器件在转录时具有优异的位置精度。解决方案：根据实施例，制造半导体器件的器件包括：具有第一表面的第一条带; 第一支撑部分，其在与第一表面相对的一侧支撑第一带; 第二带，其具有与第一带的第一表面相对的第二表面; 第二支撑部，其在与所述第二表面相反的一侧支撑所述第二带; 以及环，其设置在第一带和第二带之间，并且具有与第一和第二表面连接的孔。选择的图示：图1

68. 发明专利

JP2016058689A 半導体発光装置审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：JP2016058689A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014186343
申请日：2014-09-12
申请人：株式会社東芝
发明人：遠藤光芳 , 下宿幸 , 野村幸寛 , 糸永修司 , 小島章弘 , 古山英人
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/64 , H01L23/12 , H01L23/28 , H01L33/60
CPC分类号： H01L33/38
摘要：【課題】放熱性に優れた半導体発光装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、第1層と第2層と発光層と側面とを有する半導体層と、第1層に接して設けられn側電極と、第2層に接して設けられたp側電極と、半導体層の側面より外側のチップ外領域に設けられ、少なくとも側面に近接する部分の表面が発光層の放射光に対して反射性を有し、半導体層を支持する絶縁部材と、第1層に接するとともに第1層に接する部分から一体にチップ外領域に延びたn側金属層と、第2層に接するとともに第2層に接する部分から一体にチップ外領域に延びたp側金属層と、を備えている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供散热优良的半导体发光器件。解决方案：半导体发光器件包括具有第一层和第二层以及发光层和侧面的半导体层，设置成与第一层接触的p侧电极，设置成与第二层接触的p侧电极，设置在半导体层的侧面的外侧的芯片外部区域中的用于支撑半导体层的绝缘构件，其中至少所述侧面附近的部分的表面对从所述发光层发射的光具有反射性，与所述第一层接触的n侧金属层，并且从与所述第一层接触的部分延伸一体地连接到芯片外部区域，以及与第二层接触的p侧金属层，并且从与第二层接触的部分一体地延伸到芯片外部区域。选择的图形：图 e 1

69. 发明专利

JP5904958B2 半導体マイクロ分析チップ及びその製造方法有权
标题翻译：半导体微分析芯片及其制造方法
公开(公告)号：JP5904958B2
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：JP2013045393
申请日：2013-03-07
申请人：株式会社東芝
发明人：小林賢太郎 , 古山英人
IPC分类号： G01N37/00 , G01N15/00 , G01N15/14 , G01N27/28 , G01N27/416
CPC分类号： G01N15/0606 , B01L3/502707 , B01L3/502753 , G01N15/0656 , G01N33/48721 , B01L2300/0681 , B01L2400/0421 , B01L2400/086 , G01N2015/0065 , G01N27/44791

70. 发明专利

JP5869961B2 半導体発光装置有权
公开(公告)号：JP5869961B2
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：JP2012121333
申请日：2012-05-28
申请人：株式会社東芝
发明人：杉崎吉昭 , 富澤英之 , 小島章弘 , 古山英人 , 島田美代子 , 秋元陽介
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/62 , H01L25/167 , H01L33/36 , H01L33/50 , H01L2924/0002

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式