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51. 发明专利

JP2018117122A 半導体設備に用いられるガスインジェクタ审中-公开
公开(公告)号：JP2018117122A
公开(公告)日：2018-07-26
申请号：JP2018004227
申请日：2018-01-15
申请人：漢民科技股▲分▼有限公司
发明人：黄燦華 , 黄健寶 , 林佳穎
IPC分类号： H01L21/683 , C23C16/455 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/45563 , C23C16/45572 , C23C16/45587 , C23C16/4584
摘要：【課題】半導体設備の体積を縮小可能なガスインジェクタを提供する。【解決手段】ガスインジェクタ200は、ハウジングシェル210と、回転主軸220と、ガス出力分配ユニットとを備える。ハウジングシェル210は回転主軸の一端に包接され、且つ回転主軸220は複数の磁性流体シール222及び複数のガス輸送管224を含む。ガス輸送管224は回転主軸220中に嵌設され、反応ガスを輸送させるために用いられる。ガス出力分配ユニットは回転主軸220の他端に配置され、且つガス出力分配ユニットの両端は天井270及びサセプタ280にそれぞれ連結される。ガス出力分配ユニットは、回転主軸の他端に間隔を空けてそれぞれ順番に連結されることにより複数のガス出力層が形成され、且つそれぞれ対応させる反応ガスの内の1つを出力させるための複数のボード232−234を更に備える。【選択図】図2B

53. 发明专利

JP5859583B2 基板処理装置及び半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5859583B2
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：JP2014015523
申请日：2014-01-30
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：野内英博 , 芦原洋司 , 佐野敦 , 高崎唯史
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/285 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/02271 , C23C16/34 , C23C16/452 , C23C16/45519 , C23C16/45536 , C23C16/45561 , C23C16/45587 , C23C16/45591 , C23C16/52 , H01L21/02104 , H01L21/02186 , H01L21/67017 , C23C16/45523 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76843

54. 发明专利

JP2015140472A 基板処理装置及び半導体装置の製造方法有权
标题翻译：基板加工装置及制造半导体装置的方法
公开(公告)号：JP2015140472A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：JP2014015523
申请日：2014-01-30
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：野内英博 , 芦原洋司 , 佐野敦 , 高崎唯史
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/285 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/02271 , C23C16/34 , C23C16/452 , C23C16/45519 , C23C16/45536 , C23C16/45561 , C23C16/45587 , C23C16/45591 , C23C16/52 , H01L21/02104 , H01L21/02186 , H01L21/67017 , C23C16/45523 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76843
摘要：【課題】シャワーヘッド中のガスガイド上方の空間においても付着物を抑制する。【解決手段】基板を処理する処理室201と、処理室の上方に設けられ、処理室にガスを均一に供給する分散板を有するバッファ室232と、バッファ室の天井構造として構成される天井板231に設けられ、ガス供給方向に対して上流側に処理ガス供給部が接続される処理ガス供給孔231aと、天井板に設けられ、ガス供給方向に対して上流側に不活性ガス供給部が接続される不活性ガス供給孔231bと、処理ガス供給孔が内周側に位置され、不活性ガス供給孔が外周側に位置されるよう天井板の下流側の面に接続される周状の基端部235aと、基端部を有し、分散板の上方に配されるガスガイド235と、処理室の雰囲気を排気し、処理室の下方に設けられる処理室排気部と、少なくとも処理ガス供給部、不活性ガス供給部、処理室排気部を制御する制御部とを有する基板処理装置。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：即使在淋浴头中的气体引导件上方的空间中也抑制沉积物。解决方案：基板处理设备具有：用于处理基板的处理室201; 缓冲室232，其设置在处理室上方，并具有用于均匀地向处理室供应气体的分散板; 在顶板231上钻孔的加工气体供给孔231a，其构成缓冲室的顶棚结构，在气体供给方向的上游侧连接有处理气体供给部; 惰性气体供给孔231b，其在顶板上钻孔，在气体供给方向的上游侧连接有惰性气体供给部; 周边基端部235a，其连接到顶板的下游侧表面，使得处理气体供给孔位于内周侧，惰性气体供给孔位于外周侧; 气体引导件235，其具有基端部并且布置在分散板的上方; 处理室排气部，其排出处理室内的气氛，设置在处理室的下方; 以及至少控制处理气体供给部，惰性气体供给部和处理室排气部的控制部。

57. 发明专利

JP5410348B2 Surface treatment equipment 有权
公开(公告)号：JP5410348B2
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：JP2010071493
申请日：2010-03-26
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社
发明人：玉雁姜 , 昌英稲垣 , 健次中嶋 , 総一郎牧野 , 成明堀之内 , 孝浩伊藤
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/302
CPC分类号： C23C16/45508 , C23C16/45504 , C23C16/45587 , C23C16/45597

58. 发明专利

JP2013521655A Wafer carrier having an inclined edge 审中-公开
公开(公告)号：JP2013521655A
公开(公告)日：2013-06-10
申请号：JP2012556158
申请日：2011-03-01
申请人：ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド
发明人：ミトロヴィッチ，ボヤン , マンガム，ジョシュア , クイン，ウィリアム・イー
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/458
CPC分类号： H01L21/68764 , C23C16/303 , C23C16/45563 , C23C16/45587 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , H01L21/68735 , H01L21/68771
摘要： A wafer carrier includes a body defining a central axis, a generally planar top surface perpendicular to the central axis, and pockets recessed below the top surface for receiving wafers. The body can include a lip projecting upwardly around the periphery of the top surface. The lip can define a lip surface sloping upwardly from the planar top surface in a radially outward direction away from the central axis. The body can be adapted for mounting on a spindle of a processing apparatus so that the central axis of the body is coaxial with the spindle. The lip can improve the pattern of gas flow over the top surface of the wafer carrier.

59. 发明专利

JP2013519788A Constant volume closing valve for vapor deposition source 有权
公开(公告)号：JP2013519788A
公开(公告)日：2013-05-30
申请号：JP2012552426
申请日：2011-02-15
申请人：アストロンフィアムセーフティー
发明人：ブリューノデュセール−ビダル， , セドリックギュラルド，
IPC分类号： C23C14/24 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： C23C16/45587 , C23C16/455
摘要：本発明は、２つの区画を備えた容器を有する気相蒸着供給源について記載する。第１の区画は、蒸気を生成するためのものである。この区画は、材料のための入れ物およびその入れ物の中に置かれる材料を加熱するための手段を備えている。第２は、生成区画と連通している拡散区画である。この拡散区画は、少なくとも１つのオリフィスを備え、その結果、気相状態の材料がこのオリフィスを通って容器の外側に向かって送られる。この供給源の特徴は、オリフィスを閉じるための手段、およびその閉じるための手段を、有効閉位置とオリフィス開位置との間で動かす手段を含んでいることである。

60. 发明专利

JP2013519787A Heating system for vapor deposition source 有权
公开(公告)号：JP2013519787A
公开(公告)日：2013-05-30
申请号：JP2012552425
申请日：2011-02-15
申请人：アストロンフィアムセーフティー
发明人：ブリューノデュセール−ビダル， , セドリックギュラルド，
IPC分类号： C23C14/24 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： C23C16/4557 , C23C16/45578 , C23C16/45587
摘要：本発明は、２つの区画を備えた容器を有する気相蒸着供給源について記載する。第１の区画は、蒸気を生成するためのものである。この区画は、材料のための入れ物およびその入れ物の中に置かれる材料を加熱するための手段を備えている。第２は、拡散区画であり、この拡散区画は、生成区画と連通する容器を有し、かつ少なくとも１つのオリフィスを備え、その結果、気相状態の材料がこのオリフィスを通って容器の外側に向かって送られる。この供給源の特徴は、一方では、空間が熱輸送液体で満たされる中間空間を画定している内壁および外囲器を有し、他方では、空間がこの液体を加熱するための手段で埋められていることである

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