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1. 发明专利

JP6347705B2 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム有权
公开(公告)号：JP6347705B2
公开(公告)日：2018-06-27
申请号：JP2014188429
申请日：2014-09-17
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：原田勝吉 , ▲ひろせ▼ 義朗 , 佐野敦
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/38 , C23C16/455 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/02205 , C23C16/342 , C23C16/36 , C23C16/45531 , C23C16/45542 , H01J37/32082 , H01J37/32449 , H01J37/32779 , H01L21/02112 , H01L21/02175 , H01L21/02274 , H01L21/0228

2. 发明专利

JP6129573B2 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム有权
公开(公告)号：JP6129573B2
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：JP2013025382
申请日：2013-02-13
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：佐野敦 , ▲ひろせ▼ 義朗
IPC分类号： H01L21/31 , H01L29/78 , H01L21/336 , C23C16/42 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/30 , C23C16/45527 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , C23C16/45544 , C23C16/45546 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01J37/32449 , H01L21/02167 , H01L21/02274

3. 发明专利

JP6035166B2 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム有权
公开(公告)号：JP6035166B2
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：JP2013036278
申请日：2013-02-26
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：橋本良知 , ▲ひろせ▼ 義朗 , 佐野敦
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/31 , C23C16/30 , C23C16/455 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02126 , C23C16/30 , C23C16/36 , C23C16/45531 , H01L21/02167 , H01L21/02211 , H01L21/0228

4. 发明专利

JP6022166B2 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム有权
标题翻译：一种制造半导体器件，基板处理装置以及程序的方法
公开(公告)号：JP6022166B2
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：JP2012019713
申请日：2012-02-01
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：太田陽介 , ▲ひろせ▼ 義朗 , 佐野敦 , 笠原修 , 奥田和幸 , 前田喜世彦
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/42 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45534 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , H01L21/02219 , H01L21/02266 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0234 , H01L21/31111

5. 发明专利

JP2016066688A 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法，基板处理装置和程序
公开(公告)号：JP2016066688A
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：JP2014194226
申请日：2014-09-24
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：佐野敦 , ▲ひろせ▼ 義朗
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/38 , C23C16/455 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/022 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/52 , H01L21/02118 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67248
摘要：【課題】所定元素と、硼素、酸素、炭素および窒素からなる群より選択される少なくとも1つの元素と、を含む多元系の膜の組成比の制御性等を向上させる。【解決手段】少なくとも所定元素と、酸素、炭素および窒素からなる群より選択される少なくとも1つの元素と、を含み、ボラジン環骨格非含有の第1の膜を形成する工程と、少なくとも硼素と窒素とを含み、ボラジン環骨格を含有する第2の膜を形成する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上に、第1の膜と第2の膜とが積層されてなる積層膜を形成する工程を有する。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提高含有预定元素和选自硼，氧，碳和氮的至少一种元素的多元膜的组成比的可控性等。解决方案：半导体器件制造方法包括通过进行规定时间，在基板上形成层叠有第一膜和第二膜的层叠膜的工序，包括以下工序：包含至少含有规定要素的非含硼氮烷骨架的第一膜的成膜工序，选自氧，碳和氮的至少一种元素; 以及形成含有至少含有硼和氮的含硼嗪骨架的第二膜的方法。选择的图：图4

6. 发明专利

JP5897617B2 基板処理装置及び半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5897617B2
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：JP2014016860
申请日：2014-01-31
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：豊田一行 , 高崎唯史 , 芦原洋司 , 佐野敦 , 赤江尚徳 , 野内英博
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/3065 , C23C16/44 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02263 , C23C16/4405 , C23C16/4412 , C23C16/45561 , C23C16/4557 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32577

7. 发明专利

JP2015144185A 基板処理装置及び半導体装置の製造方法有权
标题翻译：基板处理装置及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015144185A
公开(公告)日：2015-08-06
申请号：JP2014016860
申请日：2014-01-31
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：豊田一行 , 高崎唯史 , 芦原洋司 , 佐野敦 , 赤江尚徳 , 野内英博
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/3065 , C23C16/44 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02263 , C23C16/4405 , C23C16/4412 , C23C16/45561 , C23C16/4557 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32577
摘要：【課題】シャワーヘッドを用いても高い稼働効率を維持可能とする基板処理装置を提供する。【解決手段】原料ガス供給制御部243cが設けられる原料ガス供給管243aを有する第一ガス供給系243と、反応ガス供給制御部244cが設けられる反応ガス供給管244aを有する第二ガス供給系244と、クリーニングガス供給管245aを有する第三ガス供給系245と、第一〜三ガス供給系243、244、245が接続されるバッファ室232とを有するシャワーヘッド230と、その下方に設けられ、基板200を載置する基板載置部210を内包する処理室201と、バッファ室232のプラズマ生成と処理室201のプラズマ生成を切り替えるプラズマ生成領域切替部253、254と電源252を有するプラズマ生成部250と、少なくとも原料ガス供給制御部243cと反応ガス供給制御部244cとプラズマ生成部250を制御する制御部260とを有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种即使在使用淋浴头时也能够保持高的运行效率的基板处理装置。解决方案：基板处理装置包括：第一气体供给系统243，其包括原料气体供给管243a，原料气供给控制部243c; 包括设置有反应气体供给控制单元244c的反应气体供给管244a的第二气体供给系统244; 包括清洗气体供给管245a的第三气体供给系统245; 喷淋头230包括缓冲室232，第一至第三气体供应系统243,244和245连接到缓冲室232; 设置在喷头230下方的处理室201，其包括：基板安装单元210，基板200安装在基板安装单元210上; 等离子体产生区域切换单元253和254，其切换缓冲室232的等离子体产生和处理室201的等离子体产生; 包括电源252的等离子体产生单元250; 以及至少控制原料气体供给控制部243c，反应气体供给控制部244c，等离子体产生部250的控制部260。

8. 发明专利

JP2018137356A 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム审中-公开
公开(公告)号：JP2018137356A
公开(公告)日：2018-08-30
申请号：JP2017031299
申请日：2017-02-22
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：佐野敦 , 亀田賢治 , 高澤裕真
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , C23C16/42 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02126 , C23C16/308 , C23C16/36 , C23C16/45527 , C23C16/45546 , H01L21/02211 , H01L21/0228 , H01L21/02334 , H01L21/02337
摘要：【課題】基板上に形成されるSiOCN膜の膜質を向上させる。【解決手段】基板に対して第1アミノシランと酸化剤とを同時に供給することで、シリコン、酸素、炭素および窒素を含む層を形成する工程と、第1温度下で層に対して第1改質処理を行う工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、基板上に、シリコン、酸素、炭素および窒素を含む膜を形成する工程と、第1温度よりも高い第2温度下で膜に対して第2改質処理を行う工程と、を行う。【選択図】図4

9. 发明专利

JP6239079B2 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム有权
公开(公告)号：JP6239079B2
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：JP2016216988
申请日：2016-11-07
申请人：株式会社日立国際電気
发明人： ▲ひろせ▼ 義朗 , 佐野敦 , 渡橋由悟 , 橋本良知 , 島本聡
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/318

10. 发明专利

JP6111106B2 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム有权
公开(公告)号：JP6111106B2
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：JP2013057192
申请日：2013-03-19
申请人：株式会社日立国際電気
发明人： ▲ひろせ▼ 義朗 , 山本隆治 , 佐野敦
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/42 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/314
CPC分类号： H01L21/02167 , C23C16/30 , C23C16/45531 , H01L21/0217 , H01L21/0228

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