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52. 发明专利

JP5632280B2 異なるアスペクト比の構成を誘電層内にエッチングするための方法、及びその方法によって作成される半導体デバイス、並びにそのための装置有权
标题翻译：将要创建的用于蚀刻在半导体器件中的电介质层中的不同的纵横比的结构的方法，以及通过该方法，及装置
公开(公告)号：JP5632280B2
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：JP2010511265
申请日：2008-06-02
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人：フー・チエン , リュー・シェンチアン , リー・ウォンチュル , プ・ブライアン
IPC分类号： H01L21/3065 , C23F4/00
CPC分类号： H01L21/32139 , H01L21/32136 , H01L21/32137

53. 发明专利

JP5629757B2 広い表面積を有する接地閉じ込めリング及びウエハ処理システム有权
标题翻译：地面容纳环和具有大的表面积的晶片处理系统
公开(公告)号：JP5629757B2
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：JP2012504756
申请日：2010-04-06
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人：マラクタノフ・アレクセイ , ディンドサ・ラジンダー
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32422 , H01J37/32495 , H01J37/32623

56. 发明专利

JP2014196555A ウェハ保持装置上のメッキの検知有权
标题翻译：防护装置的检测
公开(公告)号：JP2014196555A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：JP2014026848
申请日：2014-02-14
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , Lam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人： STEVEN T MAYER , HAIYING FU , THOMAS ANAND PONNUSWAMY , BRYAN L BUCKALEW
IPC分类号： C25D7/12 , C25D17/06 , G01N21/956 , G01N27/20 , G01N27/90 , H01L21/288
CPC分类号： G01N21/9501 , C25D17/001 , C25D17/06 , C25D21/12 , G01N27/9046
摘要：【課題】電気メッキ装置で使用する基板ホルダの底部上に、望ましくない金属堆積物が存在するかどうかを検知する方法及び装置の提供。【解決手段】電気メッキ装置の基板ホルダ付近に検知用ハードウェア106を配置する。前記基板ホルダは底部及び内側縁部を有する環状要素であり、前記基板ホルダは電気メッキ中に基板を支持するよう構成されており、前記基板ホルダ上の検知領域における前記金属堆積物の存在又は不存在を検知するために前記検知用ハードウェア106を操作する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供用于检测在电镀设备中使用的衬底保持器的底部是否存在不需要的金属沉积物的方法和装置。解决方案：一种方法包括：将检测硬件106定位在位于电镀设备，其中衬底保持器是具有底部和内部边缘的环形元件，并且其中衬底保持器构造成在电镀期间支撑衬底; 以及操作检测硬件106以检测在基板保持器上的检测区域中存在或不存在金属沉积物。

57. 实用新型

JP3168600U 傾斜上面を有するホットエッジリング失效
标题翻译：具有倾斜的上表面热边缘环
公开(公告)号：JP3168600U
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：JP2010008448
申请日：2010-12-27
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人：公輿石 , サシャ・マニ , ガウタム・バッタチャリヤ , グレゴリー・アール．・ベテンコート , サンディー・チャオ , 公輿石
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/20 , H01J37/317 , H01J37/32091 , H01J37/32623 , H01J2237/2001
摘要：【課題】ホットエッジリングの寿命を延ばして、次の洗浄又は交換までの平均時間を増大させ、所有コストを削減するホットエッジリングを提供する。【解決手段】長寿命のホットエッジリングは、傾斜上面を備える環状体を有する。ホットエッジリングは、プラズマを用いて基板の処理を行なうプラズマ処理チャンバ内に保持される半導体基板の外側周縁部の下に位置する段部を備える。段部は、基板の外側周縁部を取り囲む垂直面を備え、傾斜上面は、垂直面の上側周縁から上側かつ外側に伸長する。【選択図】図4
摘要翻译： A至延长该热边缘环的寿命，增加的平均时间到下一个清洗或更换，以提供一个热边缘环，以减少总体拥有成本。热边缘环寿命长，具有具有倾斜上表面的环形体。热边缘环被提供有设置在等离子体处理室中，用于处理使用等离子体的衬底保持所述半导体衬底的外周部的下方的台阶部。台阶部设置有围绕所述基底，所述倾斜的上表面的外周部分的垂直表面上，从所述垂直平面的上部周缘上并向外延伸。点域4

58. 实用新型

JP3166974U プラズマエッチングチャンバ用エッジリング組立体失效
标题翻译：等离子体蚀刻腔室的边缘环组件
公开(公告)号：JP3166974U
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：JP2011000201
申请日：2011-01-18
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人：マイケル・エス．・カン , マイケル・シー．ケロッグ , ミゲル・エー．サルダニャ , トラビス・アール．・テイラー
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32091
摘要：【課題】基盤の裏面及び斜縁部上に蓄積される重合体を低減する、プラズマエッチングチャンバ用エッジリング組立体を提供する。【解決手段】誘電体結合リング285と、導電エッジリング280とを含む。誘電体結合リングは、その内周縁から軸線方向上方へ延びる環状突出部310を有し、プラズマエッチングチャンバ内の基板支持部250を取り囲む。導電エッジリングは、誘電体結合リングの環状突出部を取り囲むように構成される。基板支持部上で支持された基板210は、基板支持部の上に張り出して、誘電体結合リングの環状突出部と、導電エッジリングの一部との上に位置する。【選択図】図2A
摘要翻译：其背面与底座的倾斜部分上积累了减少聚合物，以提供边缘环组件的等离子体蚀刻腔室中。包括电介质耦合环285和导电边缘环280。介电耦合环具有从内周缘沿轴向向上延伸的环形突出部310，围绕等离子蚀刻室的基板支撑件250。导电边缘环被配置成围绕所述电介质耦合环的环状突出部。支撑在基板支撑部衬底210的衬底支撑，位于环形突出的介电耦合环，所述导电边缘环的一部分的部分上突出。 .The 2A

59. 实用新型

JP3162873U プラズマ処理装置の交換可能な上側チャンバ部失效
标题翻译：的等离子体处理装置的可更换的上部腔室
公开(公告)号：JP3162873U
公开(公告)日：2010-09-24
申请号：JP2010001918
申请日：2010-03-24
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人：ジェイ．シャープレスレオナルド , シングハーミート , エス．カンマイケル , シングハーミート , エス．カンマイケル , ジェイ．シャープレスレオナルド
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/321 , H01J37/32458 , H01J37/32467 , H01L21/67126 , H01L21/6719
摘要：【課題】半導体基板を処理可能な、プラズマ反応チャンバの交換可能上側チャンバ部を提供する。【解決手段】円錐状内部表面の上端で最も表面が広がる該円錐状内部表面と該円錐状内部表面から水平に離れて突き出した上部フランジ402と円錐状内部表面から水平に離れて外向きに突き出した下部フランジ404とを有するモノリシック金属シリンダとを備える。このシリンダは、プラズマ反応チャンバの誘電窓に対してシールするよう構成された上部環状真空シーリング面とプラズマ反応チャンバの下方部に対してシールするよう構成された下部環状真空シーリング面とを含む。このシリンダの上方部の熱容量部416は、円錐状内部表面410と上部フランジ402から垂直に広がる外側表面との間のシリンダの一部分で定義され、円錐状内部表面410のアジマス方向の温度均一性を与える効果がある。シリンダの下方部に配置された熱チョーク414は、下部環状真空シーリング面を通る熱遷移を最小にする効果がある。この熱チョークは、6.35mm(0.25インチ)より小さい厚みを有し、円錐状内部表面の長さの少なくとも約25%の長さで突き出す。【選択図】図8
摘要翻译：一个有能力处理半导体衬底，提供在等离子体反应室的可更换上部腔室的。向外突出从A锥形内表面最上表面水平地敷于锥形内表面上凸缘402和突出从所述水平远圆锥形内表面和的所述锥形内表面和和具有较低凸缘404的整体式金属圆柱体。气缸包括构造成密封抵靠配置的上部环形真空密封表面的下部分和所述等离子体反应室，以便密封抵靠等离子体反应室的介质窗下部环形真空密封表面。气缸的上部的热容量部416是通过从圆锥形内表面410和上凸缘402到锥形内表面410的方位方向的垂直的，温度均匀性延伸的外表面之间的圆筒的一部分限定有给予的效果。设置下的气缸414扼流圈的一部分热具有减小通过下环形真空密封表面的热转变的效果。热扼流器，6.35毫米具有（0.25英寸）小于厚度，它突出的圆锥形内表面的长度的长度的至少约25％。点域8

60. 实用新型

JP3160877U シャワーヘッド電極アセンブリの端部クランプ留めおよび機械固定される内側電極失效
标题翻译：端夹紧和被机械地固定在该喷头电极总成的内电极
公开(公告)号：JP3160877U
公开(公告)日：2010-07-15
申请号：JP2010000333
申请日：2010-01-21
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人：デラレラアンソニー , マンキディプラティク , デラレラアンソニー , マンキディプラティク
IPC分类号： H01L21/3065 , F16J15/06
CPC分类号： H01J37/32559 , F16J15/02 , F16J15/064 , F16J15/0831 , F16J15/0887 , F16J15/121 , F16J2015/0856 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J2237/022 , Y10T29/49117
摘要：【課題】シャワーヘッド電極アセンブリの端部クランプ留めおよび機械固定される内側電極を提供すること。【解決手段】好ましい一実施形態によれば、位置合わせ精度の向上および撓みの軽減をもたらし、それによりプラズマ処理速度の均一性を向上させる、半導体基板をエッチングするためのプラズマ反応チャンバ内の内側電極、ガスケットセット、およびそれらのアセンブリが、提供される。さらに、内側電極およびガスケットセットを支持部材に組み付けるための方法が、提供される。【選択図】図1A
摘要翻译：提供一种端夹紧和被机械地固定在该喷头电极总成的内电极。根据一个优选的实施方案中，导致增加和定位精度的浮雕的偏转，从而提高了等离子体处理速率的均匀性，在等离子体反应室中的内部电极对蚀刻半导体衬底，垫圈套，并且设置它们的组装。此外，提供了用于组装所述内电极和在所述支撑构件的垫圈组的方法。点域1A

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