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41. 发明专利

JP2016086159A 発光素子パッケージ及びそれを含む発光装置审中-公开
标题翻译：发光元件包装和发光装置，包括它们
公开(公告)号：JP2016086159A
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：JP2015200947
申请日：2015-10-09
申请人：エルジーイノテックカンパニーリミテッド
发明人：リム,ウシク , セオ,ジェウォン , イム,ボムジン
IPC分类号： H01L33/52 , H01L33/10
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/382 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2224/16245 , H01L2924/181
摘要：【課題】接着力が改善され、互いに異なる層間の熱膨張係数の差による応力による各層の破壊を防止することができ、増加した光反射度を有し、信頼性が向上した発光素子パッケージ及びそれを含む発光装置を提供する。【解決手段】実施例の発光素子パッケージは、基板と、基板の下に配置され、第1導電型半導体層、活性層、及び第2導電型半導体層を含む発光構造物と、第2導電型半導体層及び活性層を貫通して第1導電型半導体層に接触する第1電極と、第2導電型半導体層と接触するコンタクト層と、第2導電型半導体層と第1電極との間及び活性層と第1電極との間に配置され、コンタクト層の側部及び上部をキャッピングする第1絶縁層と、第1絶縁層を貫通してコンタクト層と接触する第2電極とを含む。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有改进的粘合力，增加的光反射度和提高的可靠性的发光元件封装，并且能够防止由于相互之间的热膨胀系数差引起的应力而导致的每层的破坏不同层，以及包括发光元件封装的发光器件。解决方案：实施例的发光元件封装包括：衬底; 发光结构，设置在所述基板下方，并且包括第一导电类型的半导体层，有源层和第二导电类型的半导体层; 穿过第二导电类型的半导体层的第一电极和有源层与第一导电类型的半导体层接触; 接触层与第二导电类型的半导体层接触; 第一绝缘层，设置在第二导电类型的半导体层与第一电极之间以及有源层与第一电极之间并且覆盖接触层的侧部和上部; 以及穿过第一绝缘层以与接触层接触的第二电极。选择图：图2

42. 发明专利

JP5912442B2 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5912442B2
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：JP2011251271
申请日：2011-11-17
申请人：スタンレー電気株式会社
发明人：柴田康之 , 梁吉鎬
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L2924/0002 , H01L2933/0091 , H01L33/16

43. 发明专利

JP5889413B2 光電半導体チップ、及び、光電半導体チップの製造方法有权
标题翻译：光电子半导体芯片，以及用于制造光电半导体芯片的制造方法
公开(公告)号：JP5889413B2
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：JP2014532321
申请日：2012-09-19
申请人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング , Osram Opto Semiconductors GmbH
发明人：カイゲーアケ , コアビニアンペアツルマイアー , リヒャートフレーター , クリスティアンシュミート
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/10
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/405

44. 发明专利

JP2016039361A 半導体発光素子有权
标题翻译：半导体发光元件
公开(公告)号：JP2016039361A
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：JP2015027958
申请日：2015-02-16
申请人：株式会社東芝
发明人：田島純平 , 大野浩志 , 伊藤俊秀 , 上杉謙次郎 , 布上真也
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/08
CPC分类号： H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/405
摘要：【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子は、金属層と、第1導電形の第1、第3半導体層と、第2導電形の第2、第4半導体層と、第1、第2発光層と、第1〜第6電極と、第1素子間配線部と、を含む。第1半導体層は、第3方向に延在した第1〜第3領域を含む。第2半導体層は、第1、第2領域と金属層との間に設けられる。第3半導体層は、第2方向に延在した第4〜第6領域を含む。第4半導体層は、第4、第5領域と金属層との間に設けられる。第1、第2電極は、第1、第2領域において第2半導体層と金属層との間に設けられる。第3電極は、第3領域と金属層との間に設けられる。第4、第5電極は、第4、第5領域において第4半導体層と金属層との間に設けられる。第6電極は、第6領域と金属層との間に設けられる。第1素子間配線部は、第2、第6電極と金属層との間に設けられる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种高效率的半导体发光元件。解决方案：半导体发光元件包括金属层，第一导电型第一和第三半导体层，第二导电类型第二和第四半导体层，第一和第二发光层第一至第六电极和第一元件间配线部分。第二半导体层设置在第一和第二区域与金属层之间。第三半导体层包括沿第二方向延伸的第四至第六区域。第四半导体层设置在第四和第五区域与金属层之间。第一和第二电极分别设置在第一和第二区域中的第二半导体层和金属层之间。第三电极设置在第三区域和金属层之间。第四和第五电极设置在第四和第五区域中的第四半导体层和金属层之间。第六电极设置在第六区域和金属层之间。第一元件间接线部分设置在第二和第六电极与金属层之间。选择的图示：图1

45. 发明专利

JP5858633B2 発光素子、発光素子パッケージ有权
标题翻译：发光元件，所述发光元件包
公开(公告)号：JP5858633B2
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：JP2011081407
申请日：2011-04-01
申请人：エルジーイノテックカンパニーリミテッド
发明人：ジョン,ワンヒ
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L2224/48091 , H01L2924/12032 , H01L2933/0016 , H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/22

46. 发明专利

JP2016018836A 半導体発光素子审中-公开
标题翻译：半导体发光元件
公开(公告)号：JP2016018836A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：JP2014139421
申请日：2014-07-07
申请人：株式会社東芝
发明人：上杉謙次郎 , 田島純平 , 大野浩志 , 伊藤俊秀 , 木村重哉 , 布上真也
IPC分类号： H01L33/10
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/44 , H01L33/405
摘要：【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。【解決手段】実施形態の半導体発光素子は、金属層と、第1半導体層と、発光層と、第2半導体層と、第1電極と、第2電極と、絶縁層と、を含む。第1半導体層は、金属層と第1方向に離間し、第1方向と交差する第2方向に並ぶ第1領域と第2領域と第3領域とを含む。発光層は、第2領域と金属層との間に設けられ第2方向と交差する第1側面を含む。第2半導体層は、発光層と金属層との間に設けられ第2方向と交差する第2側面を含む。第1電極は、第1領域と金属層との間に設けられ第1領域と金属層とに電気的に接続される。第2電極は、第2半導体層と電気的に接続され、第3領域と金属層との間に設けられた第1部分と第1部分と連続した第2部分とを含む。絶縁層は、第1部分と第3領域との間と、第2電極と第1側面との間と、に設けられ、第2電極と金属層との間と、第2電極と第1電極との間と、に設けられる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种高效率的半导体发光元件。解决方案：实施例的半导体发光元件包括金属层，第一半导体层，发光层，第二半导体层，第一电极，第二电极和绝缘层。第一半导体层在第一方向上与金属层分离，并且包括沿与第一方向交叉的第二方向布置的第一区域，第二区域和第三区域。发光层设置在第二区域和金属层之间，并且包括与第二方向交叉的第一侧表面。第二半导体层设置在发光层和金属层之间，并且包括与第二方向交叉的第二侧面。第一电极设置在第一区域和金属层之间，并且电连接到第一区域和金属层。第二电极电连接到第二半导体层，并且包括设置在第三区域和金属层之间的第一部分和与第一部分连续的第二部分。绝缘层设置在第一部分和第三区域之间，第二电极和第一侧表面之间，第二电极和金属层之间，以及第二电极和第一电极之间。选择的图示：图1

47. 发明专利

JP2016006886A 光結合層を有する発光素子有权
标题翻译：具有光耦合层的发光元件
公开(公告)号：JP2016006886A
公开(公告)日：2016-01-14
申请号：JP2015148888
申请日：2015-07-28
申请人：株式会社東芝
发明人：ヤン, リー , リン, チャオ−クン , チュン, チーウェイ
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L33/0025 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2924/00 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058
摘要：【課題】適切な粗面化と電流拡散の両方のために必要となる厚いn形半導体層から形成される光結合層を提供する。【解決手段】光結合層235は、組成的に傾斜していない1層以上の不連続的な層を含み、n形III−V族半導体層230側から、III−V族半導体材料からなる第1層、及びアンドープ窒化ガリウムからなる第2層、を含み、前記第1層及び前記第2層が光結合突起形状を構成する。金属電極240は、前記複数の光結合突起形状の高さよりも厚く、前記光結合突起形状の突起間を埋め込んで形成され、前記光結合突起形状上で前記第1層及び前記第2層に接触して設けられ、前記n形半導体層230と電気的に接続される。前記光結合突起形状は、活性層225から前記n形III-V族半導体層230に向かう方向において、その幅が狭くなる形状を有する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供由适当的粗加工和电流扩散所需的厚n型半导体层形成的光耦合层。解决方案：光耦合层235包括一个或多个不连续的不连续的层，并且包括从n型III-V族半导体层230侧形成由III-V族半导体材料形成的第一层和由未掺杂的氮化镓形成的第二层。第一层和第二层构成光耦合突出形状。金属电极240比光耦合突起形状的高度厚，掩埋在光耦合突起之间，与光耦合突出形状与第一和第二层接触，并与n型导电层电连接在从有源层225到n型III-V族半导体层230的方向上，光耦合突出形状变窄。

48. 发明专利

JP2015225915A 発光素子有权
标题翻译：发光元件
公开(公告)号：JP2015225915A
公开(公告)日：2015-12-14
申请号：JP2014108996
申请日：2014-05-27
申请人：豊田合成株式会社
发明人：永松雄一 , 篠原裕直
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/486
摘要：【課題】パッド電極下のAlを含む反射層と、Inを含む酸化物からなる透明電極を有する発光素子であって、透明電極の不透明化を抑えることのできる構造を有する発光素子を提供する。【解決手段】本発明の一態様に係る発光素子1は、発光層12を含む半導体積層体21と、半導体積層体21上に形成されたインジウムを含む酸化物からなる透明電極層14と、透明電極層14上に、透明電極層14に接続するように形成されたパッド電極15と、パッド電極15下に、透明電極層14に接触しないように形成された、Alを含む反射層16と、を有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种发光元件，其包括在焊盘电极下包括Al的反射层和由包含In的氧化物构成的透明电极的发光元件，并且具有能够抑制透明电极的不透明性的结构。解决方案：根据实施例的发光元件1包括：包括发光层12的半导体层叠体21; 在半导体层叠体21上形成的由包含铟的氧化物构成的透明电极层14; 形成在透明电极层14上以与透明电极层14连接的焊盘电极15; 以及形成为不与焊盘电极15下方的透明电极层14接触并包括AI的反射层16。

49. 发明专利

JP2015220456A 発光素子及びそれを含む照明装置审中-公开
标题翻译：发光元件和照明装置，包括它们
公开(公告)号：JP2015220456A
公开(公告)日：2015-12-07
申请号：JP2015078920
申请日：2015-04-08
申请人：エルジーイノテックカンパニーリミテッド
发明人：ムン・ジヒョン , キム・スンキョン , ナ・ミンギュ
IPC分类号： H01L33/10
CPC分类号： H01L33/46 , H01L27/156 , H01L33/10 , H01L33/405 , H01L33/42
摘要：【課題】改善された光学的及び電気的特性を有する発光素子、及びそれを含む照明装置を提供する。【解決手段】実施例の発光素子は、基板と、基板上に配置される複数の発光セルと、複数の発光セルを互いに接続する接続電極と、接続電極によって接続された隣接する発光セルと接続電極との間に配置された第1絶縁層とを含み、複数の発光セルのそれぞれは、第1導電型半導体層、活性層及び第2導電型半導体層を含む発光構造物と、第2導電型半導体層上に配置された反射層とを含み、接続電極は、隣接する発光セルのいずれか一方の第1導電型半導体層と、他方の反射層とを接続し、第2導電型半導体層の第1方向への第1幅は、反射層の第1方向への第2幅以上であり、第1方向は、発光構造物の厚さ方向と異なる方向である。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有改善的光学和电学特性的发光元件，以及包括该发光元件的照明装置。一种实施方式的发光元件包括：基板，多个发光元件，所述基板，连接所述多个发光单元的连接电极以及布置在通过所述连接电极和所述连接电极连接的相邻的发光单元之间的第一绝缘层。多个发光单元中的每一个包括包括第一导电类型的半导体层，有源层和第二导电类型的半导体层的发光结构，以及布置在第二导电类型的半导体层上的反射层第二导电类型。连接电极将相邻的发光单元中的任一个的第一导电类型的半导体层与另一反射层连接。第二导电类型的半导体层的第一方向上的第一宽度不小于反射层的第一方向上的第二宽度。第一方向与发光结构的厚度方向不同。

50. 发明专利

JP2015216389A 反射構造を有する半導体発光ダイオードおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：具有反射结构的半导体发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：JP2015216389A
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：JP2015130167
申请日：2015-06-29
申请人：クリーインコーポレイテッド , CREE INC.
发明人：ドノフリオ、マシュー , イベトソン、ジェームス , ヤオ、ジンミンジャミー
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/02
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0066 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/46 , H01L33/60
摘要：【課題】熱効率および光取出し効率の高い半導体発光デバイスを提供する。【解決手段】発光ダイオードは、互いに対抗する第1面110aおよび第2面110bを有し、n型層112、p型層114、およびp−n接合部分116を含むダイオード領域110と、p型層にオーム接触して第1面上に延在するアノード接触130と、n型層にオーム接触して透明絶縁層140の内部を通り第1面上に延在する反射カソード接触150とを含む。さらにアノード接触およびカソード接触は、第1面から生じる光の実質的に全てを第1面に向けて反射して戻す反射構造を構成する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有高热效率和光提取效率的半导体发光器件。解决方案：一种发光二极管包括具有彼此面对的第一面110a和第二面110b的二极管区域，并且包括 n型层112，p型层114和pn结116，在与p型层欧姆接触的第一面上延伸的阳极接触件130以及在第一面上延伸的反射阴极接触件150，通过与其欧姆接触的透明绝缘层140。此外，阳极接触和阴极接触构成用于将从第一面发射的光基本上全部朝向第一面引导的反射结构，并且通过反射使光从其返回。

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