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3. 发明专利

JP2016006886A 光結合層を有する発光素子有权
标题翻译：具有光耦合层的发光元件
公开(公告)号：JP2016006886A
公开(公告)日：2016-01-14
申请号：JP2015148888
申请日：2015-07-28
申请人：株式会社東芝
发明人：ヤン, リー , リン, チャオ−クン , チュン, チーウェイ
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L33/0025 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2924/00 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058
摘要：【課題】適切な粗面化と電流拡散の両方のために必要となる厚いn形半導体層から形成される光結合層を提供する。【解決手段】光結合層235は、組成的に傾斜していない1層以上の不連続的な層を含み、n形III−V族半導体層230側から、III−V族半導体材料からなる第1層、及びアンドープ窒化ガリウムからなる第2層、を含み、前記第1層及び前記第2層が光結合突起形状を構成する。金属電極240は、前記複数の光結合突起形状の高さよりも厚く、前記光結合突起形状の突起間を埋め込んで形成され、前記光結合突起形状上で前記第1層及び前記第2層に接触して設けられ、前記n形半導体層230と電気的に接続される。前記光結合突起形状は、活性層225から前記n形III-V族半導体層230に向かう方向において、その幅が狭くなる形状を有する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供由适当的粗加工和电流扩散所需的厚n型半导体层形成的光耦合层。解决方案：光耦合层235包括一个或多个不连续的不连续的层，并且包括从n型III-V族半导体层230侧形成由III-V族半导体材料形成的第一层和由未掺杂的氮化镓形成的第二层。第一层和第二层构成光耦合突出形状。金属电极240比光耦合突起形状的高度厚，掩埋在光耦合突起之间，与光耦合突出形状与第一和第二层接触，并与n型导电层电连接在从有源层225到n型III-V族半导体层230的方向上，光耦合突出形状变窄。

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