基本信息:
- 专利标题： 反射構造を有する半導体発光ダイオードおよびその製造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor light-emitting diode having reflection structure and method of manufacturing the same
- 专利标题（中）：具有反射结构的半导体发光二极管及其制造方法
- 申请号：JP2015130167 申请日：2015-06-29
- 公开(公告)号：JP2015216389A 公开(公告)日：2015-12-03
- 发明人： ドノフリオ、マシュー , イベトソン、ジェームス , ヤオ、ジンミン ジャミー
- 申请人： クリー インコーポレイテッド , CREE INC.
- 申请人地址： アメリカ合衆国 ノースカロライナ州 27703 ダラム シリコン ドライブ 4600
- 专利权人： クリー インコーポレイテッド,CREE INC.
- 当前专利权人： クリー インコーポレイテッド,CREE INC.
- 当前专利权人地址： アメリカ合衆国 ノースカロライナ州 27703 ダラム シリコン ドライブ 4600
- 代理人： 名古屋国際特許業務法人
- 优先权： US12/463,709 2009-05-11
- 主分类号： H01L33/10
- IPC分类号： H01L33/10 ; H01L33/22 ; H01L33/02
摘要：
【課題】熱効率および光取出し効率の高い半導体発光デバイスを提供する。 【解決手段】発光ダイオードは、互いに対抗する第1面110aおよび第2面110bを有し、n型層112、p型層114、およびp−n接合部分116を含むダイオード領域110と、p型層にオーム接触して第1面上に延在するアノード接触130と、n型層にオーム接触して透明絶縁層140の内部を通り第1面上に延在する反射カソード接触150とを含む。さらにアノード接触およびカソード接触は、第1面から生じる光の実質的に全てを第1面に向けて反射して戻す反射構造を構成する。 【選択図】図1
摘要（中）：
要解决的问题：提供一种具有高热效率和光提取效率的半导体发光器件。解决方案：一种发光二极管包括具有彼此面对的第一面110a和第二面110b的二极管区域，并且包括 n型层112，p型层114和pn结116，在与p型层欧姆接触的第一面上延伸的阳极接触件130以及在第一面上延伸的反射阴极接触件150， 通过与其欧姆接触的透明绝缘层140。 此外，阳极接触和阴极接触构成用于将从第一面发射的光基本上全部朝向第一面引导的反射结构，并且通过反射使光从其返回。