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41. 发明专利

JPWO2016117073A1 太陽電池の製造方法および太陽電池有权
公开(公告)号：JPWO2016117073A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：JP2016570415
申请日：2015-01-22
申请人：三菱電機株式会社
发明人：恵美杉村 , 恵美杉村
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/068 , H01L31/074 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：受光面1Aおよび裏面1Bを有するp型単結晶シリコン基板1の側面1Cに選択的に酸化膜10を形成する工程と、酸化膜10の形成されたp型単結晶シリコン基板1の受光面1Aにn型拡散層3を形成する工程と、n型拡散層3の形成されたp型単結晶シリコン基板1の裏面1Bにn型拡散層3よりも高濃度のp型拡散層8を形成する工程とを含む。上記構成により、受光面1Aの損傷の抑制、拡散層の削り量を抑制し、光電変換効率の向上をはかりつつも、端面すなわち側面1Cへの拡散を防止し、端部の拡散層からのリークを抑制し、太陽電池の良品率向上をはかる。

42. 发明专利

JP2017069567A 太陽電池审中-公开
公开(公告)号：JP2017069567A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2016195586
申请日：2016-10-03
申请人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド
发明人：チャンチェウォン , キムチンスン , ユンピルウォン , チョンイルヒョン , リスンフン , シムスンファン , キムチナ
IPC分类号： H01L31/074
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/02008 , H01L31/02167 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/02363 , H01L31/032 , H01L31/074 , Y02E10/50
摘要：【課題】本発明は、優れた効率を有し、高い生産性を有する太陽電池を提供しようとする。【解決手段】本発明の実施例に係る太陽電池は、半導体物質を含む半導体基板と、前記半導体基板の一面上に位置するトンネル層と、前記トンネル層上に共に位置し、互いに反対の導電型を有する第1導電型領域及び第2導電型領域と、前記第1導電型領域に電気的に接続される第1電極及び前記第2導電型領域に電気的に接続される第2電極を含む電極を含み、前記第1導電型領域及び前記第2導電型領域のうちの少なくとも1つが金属化合物層で構成される。【選択図】図3

43. 发明专利

JP2016154231A 半導体素子及び太陽電池有权
标题翻译：半导体元件和太阳能电池
公开(公告)号：JP2016154231A
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：JP2016028098
申请日：2016-02-17
申请人：旭化成株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：渡辺明 , 湯本徹
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/368 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L31/0264 , H01L31/022425 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , H01L31/03926 , H01L31/072 , H01L31/074 , H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/541 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：【課題】低温プロセスで、大面積かつ低コスト化が可能な半導体膜形成用塗布液により作製された半導体膜を有する素子を提供する。【解決手段】太陽電池100は、基板110の上に、陽極層120、半導体膜からなる層130、n型半導体層140、及び陰極層150を備える。半導体膜は、無機半導体粒子及び比誘電率が10以上の有機化合物を含む(ただし、金属錯体色素は含まない)。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有半导体膜的元件，该半导体膜由用于通过低温工艺实现大面积和低成本的用于半导体膜形成的涂布液制造。解决方案：太阳能电池100包括在基板 110，阳极层120，由半导体膜，n型半导体层140和阴极层150构成的层130.半导体膜含有无机半导体颗粒和相对介电常数不低于10的有机化合物（请注意，不含金属络合染料）。选择图：图1

44. 发明专利

JP5930038B2 太陽電池及び太陽電池の製造方法有权
公开(公告)号：JP5930038B2
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：JP2014525862
申请日：2013-07-18
申请人：旭化成株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：渡辺明 , 湯本徹
IPC分类号： H01L21/368 , H01L31/072 , H01L31/18 , H01L21/208
CPC分类号： H01L31/0264 , H01L31/022425 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , H01L31/03926 , H01L31/072 , H01L31/074 , H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/541 , Y02E10/547 , Y02P70/521

45. 发明专利

JP2014212322A 半導体材料を用いた薄膜光電材料のための方法及び構造审中-公开
标题翻译：使用半导体材料的薄膜光伏材料的方法和结构
公开(公告)号：JP2014212322A
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：JP2014105651
申请日：2014-05-21
申请人：スティオンコーポレイション , Stion Corp , スティオンコーポレイション
发明人： LEE HOWARD W H
IPC分类号： H01L31/0352 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/06 , H01L31/074 , Y02E10/50 , Y10T428/25
摘要：【課題】IV族物質(例:シリコン、ゲルマニウム、シリコン・ゲルマニウム合金)及び酸化銅等といった金属酸化物を含む薄膜処理を用いた光電物質の製造方法及び構造を提供する。【解決手段】デバイスは、電子収集電極及びホール収集電極間に配置されたナノ構造物質を有する。電子輸送/ホール遮断材料は、電子収集電極とナノ構造物質との間に配置される。特定の実施例においては、ナノ構造物質における光吸収により生成される負電荷キャリアは、電子輸送/ホール遮断材料に選択的に分離される。特定の実施例においては、ナノ構造物質は、波長が約400nm〜700nmに及ぶ光に対し、少なくとも103cm−1の光吸収係数を有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供使用包括IV族材料（例如硅，锗和硅 - 锗合金）和金属氧化物如氧化铜的薄膜工艺制造光伏材料的方法和结构。解决方案：器件具有位于电子收集电极和空穴收集电极之间的纳米结构材料。电子传输/空穴阻挡材料位于电子收集电极和纳米结构材料之间。在具体实施方案中，通过纳米结构材料的光学吸收产生的带负电荷的载体优先分离成电子传输/空穴阻挡材料。在具体实施方案中，纳米结构材料对波长在约400至700nm范围内的光具有至少10cm的光学吸收系数。

46. 发明专利

JP2014527277A Nanowires or microwires based, mechanically stable device and a manufacturing method thereof having improved optical properties 审中-公开
公开(公告)号：JP2014527277A
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：JP2013558480
申请日：2012-03-06
申请人：コミサリアアレネルジーアトミックエオゼネルジーアルテルナティブCommissariat A L’Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives
发明人：ダビド、コーエン , ニコラ、カルス , シモン、ペロー
IPC分类号： H01L31/0352 , H01B5/00 , H01L29/06
CPC分类号： H01L31/022408 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L21/02381 , H01L21/02428 , H01L21/0243 , H01L21/02532 , H01L21/02554 , H01L21/02601 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02639 , H01L29/0665 , H01L29/0676 , H01L29/127 , H01L31/0312 , H01L31/0352 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/074 , Y02E10/50
摘要：本デバイスは、ナノメートルまたはマイクロメートルの寸法を有していて、シリコン、ゲルマニウムおよびシリコン‐ゲルマニウム合金からなる群から選ばれた半導体材料で形成された、ワイヤ（２）を備えている。本デバイスはさらに、該デバイスの機械的強度および光吸収特性を強化するペレット（３）を備えている。ペレット（３）は、１００ナノメートル〜１マイクロメートルの間に含まれる直径を有しており、１０ナノメートル〜２００ナノメートルの間の間に含まれる直径を有する酸化亜鉛粒子の球状凝集体で形成されている。ペレット（３）は、特に、ワイヤ（２）を、アルコール系溶媒と酢酸亜鉛とを収容した浴の中に、該アルコール系溶媒を液体状に維持する圧力条件および温度条件のもとで浸漬し、該ワイヤに対して熱焼きなましを施して、前記酢酸亜鉛を酸化亜鉛に変化させることにより得られる。

47. 发明专利

JP2013123043A Photoelectric conversion device 有权
标题翻译：光电转换器件
公开(公告)号：JP2013123043A
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：JP2012246463
申请日：2012-11-08
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： KATAISHI RIHO , ASAMI YOSHINOBU
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/074 , H01L31/0747 , Y02E10/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoelectric conversion device which has little light absorption loss in a window layer and has favorable electric characteristics.SOLUTION: The photoelectric conversion device includes, between a pair of electrodes, a light-transmitting semiconductor layer which has one conductivity type and serves as a window layer, and a silicon semiconductor substrate having a conductivity type for forming a p-n junction or a silicon semiconductor layer having a conductivity type for forming a p-i-n junction. The light-transmitting semiconductor layer can be formed using an inorganic compound containing, as its main component, an oxide of a metal belonging to any of Groups 4 to 8 of the periodic table, with a band gap greater than or equal to 2 eV.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在窗口层中具有很小的光吸收损失并且具有良好的电特性的光电转换装置。解决方案：光电转换装置在一对电极之间包括具有一种导电类型并用作窗口层的透光半导体层和具有用于形成pn结的导电类型的硅半导体衬底或具有用于形成pin结的导电类型的硅半导体层。透光半导体层可以使用含有大于或等于2eV的带隙的含有属于周期表第4至8族中的任何一种的金属的氧化物作为其主要成分的无机化合物形成。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

48. 发明专利

JP2010050356A Process for manufacturing heterojunction solar cell and heterojunction solar cell 审中-公开
标题翻译：制造异常太阳能电池和异质太阳能电池的方法
公开(公告)号：JP2010050356A
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：JP2008214577
申请日：2008-08-22
申请人： Shin-Etsu Chemical Co Ltd , 信越化学工業株式会社
发明人： ITO ATSUO , AKIYAMA SHOJI , KAWAI MAKOTO , TANAKA KOICHI , TOBISAKA YUUJI , KUBOTA YOSHIHIRO
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/074 , H01L31/03926 , H01L31/056 , H01L31/182 , H01L31/1896 , Y02E10/52 , Y02E10/546
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heterojunction solar cell where a silicon layer constituting a photoconversion layer is composed of a single crystal silicon having high crystallinity. SOLUTION: A process for manufacturing the heterojunction solar cell comprises the steps of: implanting at least one of a hydrogen ion and a noble gas ion into an n-type single crystal silicon substrate to form an ion-implanted layer; allowing an ion-implanted surface of the n-type single crystal silicon substrate to adhere to a metal substrate via an electroconductive adhesive; curing the electroconductive adhesive to form an electroconductive adhesion layer so that the n-type single crystal silicon substrate and the metal substrate can be laminated together; giving an impact to the ion-implanted layer to mechanically delaminate the n-type single crystal silicon substrate so as to leave an n-type single crystal silicon layer; depositing an n-type transparent semiconductor layer on the n-type single crystal silicon layer; forming a collecting electrode on part of the n-type transparent semiconductor layer; and forming a transparent protective film on the n-type transparent semiconductor layer at part of which the collecting electrode is formed. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供构成光转换层的硅层由具有高结晶度的单晶硅构成的异质结太阳能电池。解决方案：用于制造异质结太阳能电池的方法包括以下步骤：将氢离子和惰性气体离子中的至少一种注入到n型单晶硅衬底中以形成离子注入层; 允许n型单晶硅衬底的离子注入表面通过导电粘合剂粘附到金属衬底; 固化导电粘合剂以形成导电粘合层，使得n型单晶硅基板和金属基板可以层压在一起; 对离子注入层产生影响以使n型单晶硅衬底机械分层以留下n型单晶硅层; 在n型单晶硅层上沉积n型透明半导体层; 在n型透明半导体层的一部分上形成集电极; 在n型透明半导体层上形成透明保护膜，其中形成有集电极。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

49. 发明专利

JP2010500741A Method of fabricating a semiconductor device interface characteristics and diffusion tails is controlled to iv group on the substrate 审中-公开
公开(公告)号：JP2010500741A
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：JP2009523114
申请日：2007-07-19
申请人：シリウムテクノロジーズインコーポレイテッド
发明人：サイモンファファルド， , ノベルトプエッツ， , ジョセフ，リネー，ブルーノリール，
IPC分类号： H01L31/04 , H01L21/205 , H01L33/00 , H01L33/30
CPC分类号： H01L33/0066 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02439 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02502 , H01L21/02521 , H01L21/02546 , H01L31/074 , Y02E10/50
摘要： An opto-electronic device, such as a solar cell or a light emitting diode, is fabricated by forming a nucleating layer (22) on a p-type group IV layer (20). The nucleating layer (22) includes a III-V compound selected from the group consisting of AlAs, AlSb, AIN, Bas, BSb, GaN, GaSB, and InAs. A first III-V compound layer (24) is formed on the nucleating layer (22) and includes as group III element, at least one of gallium, indium, and aluminium, and as a group V element, phosphorus. The p-type group IV layer, which may be a p-type silicon layer, includes phosphorus atoms diffused from the first III-V compound layer, the concentration of the phosphorus atoms therein being a function of the thickness of the nucleating layer. The first III-V compound layer includes group IV atoms diffused from the p-type group IV layer, the concentration of the group IV atoms therein being a function of the thickness of the nucleating layer.

50. 发明专利

JP2008177539A Graded hybrid amorphous silicon nanowire solar cells 审中-公开
标题翻译：分级混合非晶硅纳米级太阳能电池
公开(公告)号：JP2008177539A
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：JP2007296263
申请日：2007-11-15
申请人： General Electric Co , ゼネラル・エレクトリック・カンパニイGeneral Electric Company
发明人： TSAKALAKOS LOUCAS , JOHNSON JAMES NEIL , MANIVANNAN VENKATESAN
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/065
CPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/065 , H01L31/074 , Y02E10/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device structure and a manufacturing method which reduce surface and interface defects, which become the causes for reducing efficiency, in a photovoltaic device. SOLUTION: The photovoltaic device is constituted by (a) a plurality of elongated semiconductor nanostructures (nanowire is one of these), having first type doping, in which a plurality of the elongated semiconductor nanostructures are arranged on a substrate, and (b) a single amorphous layer of a semiconductor material, having second type doping, in which the layer is provided on the elongated semiconductor nanostructures in a conformal manner. In the amorphous layer, a composition is made gradient by the second type doping, so that the layer is formed as intrinsic composition substantially in the interface with the elongated semiconductor nanostructures, and that the layer may become conductive composition substantially at an opposite side of the amorphous layer. With such an amorphous layer with the graded composition, a bandgap is obtained which has a localization state that changes continuously. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在光伏器件中减少成为降低效率的原因的表面和界面缺陷的器件结构和制造方法。解决方案：光电器件由（a）多个细长半导体纳米结构（纳米线是其中之一）构成，具有第一类掺杂，其中多个细长半导体纳米结构布置在衬底上，和（ b）具有第二类型掺杂的半导体材料的单个非晶层，其中以保形方式在所述细长半导体纳米结构上提供所述层。在非晶层中，通过第二种掺杂使组合物变得梯度，使得该层基本上在与细长半导体纳米结构的界面中形成为本征组成，并且该层可以基本上形成在非晶层。对于具有渐变组成的这种非晶层，获得具有连续变化的定位状态的带隙。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

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