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41. 发明专利

JP2010050459A Method of forming partial germanium-on-insulator structure acquired by concentration of germanium 审中-公开
标题翻译：形成由锗浓度获得的部分绝缘子绝缘体结构的方法
公开(公告)号：JP2010050459A
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：JP2009191900
申请日：2009-08-21
申请人： Commiss Energ Atom , コミツサリアタレネルジーアトミーク
发明人： DAMLENCOURT JEAN-FRANCOIS , VINCENT BENJAMIN
IPC分类号： H01L21/20 , C01B33/12 , C01G17/00 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/31658 , H01L21/02203 , H01L21/02236 , H01L21/02255 , H01L21/28255 , H01L21/7624 , H01L29/1054 , H01L29/78
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To form at least one GeOI (Germanium-on-insulator) structure by concentration of germanium in an SiGe layer supported by a silicon oxide layer. SOLUTION: The silicon oxide layer is doped by germanium. The concentration of germanium in the silicon oxide layer lowers a flow temperature in the silicon oxide layer, to an oxidizing temperature or below enabling the concentration of the germanium in the SiGe region. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：通过在由氧化硅层支撑的SiGe层中浓缩锗来形成至少一种GeOI（绝缘体上锗）结构。解决方案：氧化硅层被锗掺杂。氧化硅层中的锗的浓度将氧化硅层中的流动温度降低至氧化温度或更低，从而能够使SiGe区域中的锗浓度。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

42. 发明专利

JP4415924B2 Method of manufacturing a semiconductor device, apparatus for manufacturing a semiconductor element 有权
公开(公告)号：JP4415924B2
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：JP2005290785
申请日：2005-10-04
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：淳史佐藤 , 倫郁名川 , 光岩井 , 剛金子
IPC分类号： H01S5/183 , H01L21/316 , H01S5/042
CPC分类号： H01S5/18338 , H01L21/02178 , H01L21/02241 , H01L21/02255 , H01L21/31658 , H01S5/0042 , H01S5/18313

43. 发明专利

JP4374030B2 Manufacturing method and a substrate processing apparatus of a semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP4374030B2
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：JP2007017808
申请日：2007-01-29
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：喜世彦前田 , 貴志尾崎 , 和宏湯浅
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/00 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02238 , H01L21/0223 , H01L21/02255 , H01L21/31662 , H01L21/67109

45. 发明专利

JPWO2007086196A1 炭化珪素半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2007086196A1
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：JP2007555863
申请日：2006-12-06
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：増田　健良 , 健良増田
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/316 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/3148 , H01J37/3244 , H01L21/02164 , H01L21/02236 , H01L21/02255 , H01L21/0234 , H01L21/049 , H01L21/3147 , H01L21/31658 , H01L29/1608 , H01L29/518 , H01L29/66068 , H01L29/7802
摘要：ゲート絶縁膜(20)と炭化珪素層(11)との界面領域における界面準位密度の小さい炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。4H−SiC基板(10)の上にエピタキシャル成長層(11)を成長させた後、イオン注入を行なって、イオン注入層であるpウェル領域(12),ソース領域(13),p+コンタクト領域(15)を形成する。その後、熱酸化またはCVDにより、pウェル領域(12),ソース領域(13),p+コンタクト領域(15)の上に、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜(20)を形成する。そして、酸素および窒素の少なくともいずれか一方を含むガスである,N2Oを含むガスを用いてプラズマを発生させて、ゲート絶縁膜(20)をプラズマに曝す。

46. 发明专利

JP2008300435A Silicon oxide film forming method of soi wafer 有权
标题翻译：硅氧烷膜形成SOI波形的方法
公开(公告)号：JP2008300435A
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：JP2007142338
申请日：2007-05-29
申请人： Nagano Electronics Industrial Co Ltd , Shin Etsu Handotai Co Ltd , 信越半導体株式会社 , 長野電子工業株式会社
发明人： YOKOGAWA ISAO , NOTO NOBUHIKO , YAMAGUCHI SHINICHI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/316 , H01L21/324 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/324 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/31662 , H01L21/7624
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon oxide film forming method of an SOI wafer capable of suppressing the warp of the SOI wafer after thermal oxidation processing, reducing the exposure failure and/or the adsorption failure due to the SOI wafer warp, and enhancing the yield of device manufacturing, even when the SOI wafer having a thick oxide film on the backside thereof is used and a silicon oxide film for forming the device is formed on the surface on the SOI layer side by thermal oxidation. SOLUTION: In this silicon oxide film forming method of the SOI wafer, the SOI wafer having the oxide film at least on the backside thereof is subjected to thermal oxidation processing (process (A)), and after thermal oxidation processing, it is subjected to heat treatment in a non-oxidizing atmosphere at a temperature higher than that for thermal oxidation processing (process (B)) to form the silicon oxide film on the surface of the SOI layer. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供能够在热氧化处理之后抑制SOI晶片的翘曲的SOI晶片的氧化硅膜形成方法，减少由于SOI晶片翘曲引起的暴露失败和/或吸附失效，并且即使当使用其背面具有厚氧化膜的SOI晶片并且通过热氧化在SOI层侧的表面上形成用于形成器件的氧化硅膜时，也提高器件制造的产量。解决方案：在该SOI晶片的氧化硅膜形成方法中，至少在其背面具有氧化膜的SOI晶片经受热氧化处理（工艺（A）），并且在热氧化处理之后在非氧化性气氛中在高于热氧化处理的温度下进行热处理（工序（B）），在SOI层的表面形成氧化硅膜。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

47. 发明专利

JP4164092B2 Manufacturing method and a substrate processing apparatus of a semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP4164092B2
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：JP2005513354
申请日：2004-08-25
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：喜世彦前田 , 貴志尾崎 , 和宏湯浅
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/00 , H01L21/316 , H01L21/76
CPC分类号： H01L21/02238 , H01L21/0223 , H01L21/02255 , H01L21/31662 , H01L21/67109

48. 发明专利

JP2008535243A A method and system for forming a oxynitride layer 有权
公开(公告)号：JP2008535243A
公开(公告)日：2008-08-28
申请号：JP2008504042
申请日：2006-02-16
申请人：インターナショナルビジネスマシーンズコーポレイション , 東京エレクトロン株式会社
发明人：オメーラ，デイヴィッド，エル , シアー，クリステン , ワイダ，コリー , 真信井下田 , 俊治古川
IPC分类号： H01L21/318
CPC分类号： C23C8/34 , C23C8/36 , H01J37/32192 , H01L21/0214 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02332 , H01L21/02337 , H01L21/0234 , H01L21/3144 , H01L21/31662
摘要：本発明は概して、基板上に酸窒化膜を成膜する方法を供する。基板表面は、紫外（ＵＶ）放射線によって誘起される第１プロセスガスの分解によって生成される酸素ラジカルに曝露される。第１プロセスガスは表面上に酸化膜を形成する酸素を有する少なくとも１の分子組成物を有する。酸化膜は、プラズマによって誘起される第２プロセスガスの分解によって生成される窒素ラジカルに曝露される。第２プロセスガスは窒素を有する少なくとも１の分子組成物を有する。窒素は複数のスリットを有する平面アンテナ部を介するマイクロ波照射に基づくプラズマに用いられ、それによって酸化膜を窒化しかつ酸窒化膜が形成される。

50. 发明专利

JPWO2005059988A1 成膜方法有权
公开(公告)号：JPWO2005059988A1
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：JP2005516343
申请日：2004-12-16
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：青山　真太郎 , 真太郎青山 , 井下田　真信 , 真信井下田 , 和良山崎 , 和良山崎
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/00 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/67109 , H01L21/0214 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/31662 , H01L21/67155
摘要：処理容器内において被処理基板表面に所定の処理温度で酸化膜を形成する成膜方法は、前記基板を前記所定の処理温度まで昇温する昇温工程を含み、前記昇温工程は前記基板を、前記基板の温度が450℃の温度に達する前に、酸素を含む雰囲気中に保持する工程を含む。

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