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41. 发明专利

JP6207610B2 基準セル修復機構有权
公开(公告)号：JP6207610B2
公开(公告)日：2017-10-04
申请号：JP2015532106
申请日：2013-09-13
申请人：クアルコム,インコーポレイテッド
发明人：ジュン・ピル・キム , テヒュン・キム , スンリュル・キム
IPC分类号： G11C29/00 , G11C7/14 , G11C11/16
CPC分类号： G11C11/16 , G11C11/165 , G11C11/1673 , G11C29/787 , G11C29/832

42. 发明专利

JP2014063551A Semiconductor memory device 审中-公开
标题翻译：半导体存储器件
公开(公告)号：JP2014063551A
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：JP2012208786
申请日：2012-09-21
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： ASAOKA NORIO , SHIRAKAWA MASANOBU
IPC分类号： G11C29/12 , G11C16/02 , G11C16/04
CPC分类号： G11C16/0483 , G11C11/5621 , G11C16/04 , G11C16/06 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/3445 , G11C29/04 , G11C29/44 , G11C29/785 , G11C29/789 , G11C29/832
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor memory device capable of improving use efficiency.SOLUTION: A semiconductor memory device 1 in an embodiment includes: first and second selection transistors ST1 and ST2 that include a charge storage layer and a control gate; and a plurality of memory cell transistors MT each of which includes a charge storage layer and a control gate and is connected between the first and second selection transistors in series. If any of the memory cell transistors MT is defective, information on the defect is written in at least one of the first and second selection transistors ST1 and ST2.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提高使用效率的半导体存储器件。解决方案：实施例中的半导体存储器件1包括：包括电荷存储层和控制栅极的第一和第二选择晶体管ST1和ST2; 以及多个存储单元晶体管MT，每个存储单元晶体管MT包括电荷存储层和控制栅极，并且串联连接在第一和第二选择晶体管之间。如果存储单元晶体管MT中的任何一个有缺陷，则将缺陷信息写入第一和第二选择晶体管ST1和ST2中的至少一个。

43. 发明专利

JP5367400B2 Semiconductor memory device, and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5367400B2
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：JP2009030109
申请日：2009-02-12
申请人：株式会社東芝
发明人：充佐藤 , 政則小村 , 裕士菅野 , 賢一室岡
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/329 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/1021 , G11C29/832 , G11C29/88 , G11C2213/72 , H01L27/24 , H01L29/0657 , H01L29/868
摘要： A semiconductor memory device includes first and second memory cells each including a variable resistance element and a diode and having a pillar shape, and an insulating layer provided between the first memory cell and the second memory cell and including a void. A central portion of the diode has a smaller width than widths of upper and lower portions of the diode.

44. 发明专利

JP4828938B2 Non-volatile semiconductor memory device and a method of driving the same 有权
公开(公告)号：JP4828938B2
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：JP2005378861
申请日：2005-12-28
申请人：株式会社東芝
发明人：拓也二山
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/06 , G11C29/04
CPC分类号： G11C8/10 , G11C16/04 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/16 , G11C29/765 , G11C29/82 , G11C29/832 , G11C2229/723

45. 发明专利

JP2010186872A Semiconductor memory device and method of manufacturing the same 有权
标题翻译：半导体存储器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2010186872A
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：JP2009030109
申请日：2009-02-12
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： SATO MITSURU , KOMURA MASANORI , SUGANO YUJI , MUROOKA KENICHI
IPC分类号： H01L27/10 , H01L21/329 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/105 , H01L29/861 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/1021 , G11C29/832 , G11C29/88 , G11C2213/72 , H01L27/24 , H01L29/0657 , H01L29/868
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve reverse characteristics without deteriorating forward characteristics of a diode.
SOLUTION: A semiconductor memory device includes first and second memory cells each including a variable resistance element 19 and a diode D and having a pillar shape, and an insulating layer 20 provided between the first memory cell and the second memory cell and including a void 21. A central portion of the diode D has a smaller width than widths of upper and lower portions of the diode.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提高反向特性而不劣化二极管的正向特性。解决方案：半导体存储器件包括第一和第二存储单元，每个存储单元包括可变电阻元件19和二极管D并具有柱形形状，以及设置在第一存储单元和第二存储单元之间的绝缘层20，二极管D的中心部分具有比二极管的上部和下部宽度小的宽度。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

46. 发明专利

JP4156781B2 Semiconductor memory integrated circuit 有权
公开(公告)号：JP4156781B2
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：JP2000159480
申请日：2000-05-30
申请人：株式会社東芝
发明人：正美増田 , 輝男高際
IPC分类号： G11C11/413 , G11C8/06 , G11C8/10 , G11C11/401 , G11C11/407 , G11C11/408 , G11C11/417 , H01L21/822 , H01L27/04 , H03K5/135
CPC分类号： G11C29/832 , G11C8/06 , G11C8/10 , G11C29/781

47. 发明专利

JP2008165876A Semiconductor storage device 有权
标题翻译：半导体存储设备
公开(公告)号：JP2008165876A
公开(公告)日：2008-07-17
申请号：JP2006352816
申请日：2006-12-27
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： NAGASHIMA HIROYUKI
IPC分类号： G11C29/44 , G11C16/04 , G11C16/06 , G11C29/04 , G11C29/12
CPC分类号： G11C29/832 , G11C29/4401 , G11C29/72 , G11C29/82
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To automate RD-replacement of a column adjacent to a defective column in a NAND flash memory performing RD-replacement of a defective column by BIST. SOLUTION: For example, a readout result from each sense amplifier of the selected column is compared with an expected value (state 3), and when the defect in the selected column is detected, the RD-replacement of the defective column is performed (state 4). Furthermore, on the basis of, the readout result from each sense amplifier of the defective selected column, it is detected whether or not a bit line at the end of the selected column is open. When it is open, the RD-replacement of the adjacent column at the open bit line side is automatically performed (state 5). COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：在通过BIST执行缺陷列的RD替换的NAND闪存中自动RD替换与缺陷列相邻的列。
解决方案：例如，将所选列的每个读出放大器的读出结果与期望值（状态3）进行比较，并且当检测到所选列中的缺陷时，缺陷列的RD替换为执行（状态4）。此外，基于缺陷选择列的每个读出放大器的读出结果，检测所选列的末尾的位线是否打开。当打开时，自动执行打开位线侧的相邻列的RD替换（状态5）。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

48. 发明专利

JP4070112B2 Non-volatile semiconductor memory device and it erase, program and copy-back program method 有权
公开(公告)号：JP4070112B2
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：JP2003002229
申请日：2003-01-08
申请人：三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人：李濬
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/06 , G11C16/10 , G11C16/34 , G11C29/00
CPC分类号： G11C16/3459 , G11C16/10 , G11C16/3454 , G11C29/70 , G11C29/832 , G11C2216/14

49. 发明专利

JP2008010132A Nonvolatile memory structure 有权
标题翻译：非易失性存储器结构
公开(公告)号：JP2008010132A
公开(公告)日：2008-01-17
申请号：JP2006283960
申请日：2006-10-18
申请人： Siliconmotion Inc , シリコンモーションインコーポレイティッドSiliconmotion Inc.
发明人： CHEN TE-WEI
IPC分类号： G11C29/04 , G11C16/06 , H01L27/10
CPC分类号： G11C29/832 , G11C29/006 , G11C29/78
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel nonvolatile memory array structure capable of facilitating a test process of the nonvolatile memory array by forming an open circuit between an abnormally functioning bit line and a sense amplifier. SOLUTION: This structure includes N pieces of bit lines, M pieces of first wordlines, M×N pieces of first storage cells, second wordline, N pieces of second storage cells, sense amplifier, N pieces of first transistors, N pieces of second transistors, and an enable line. Among them, M and N are natural numbers, and the second storage cells and the first transistors control whether the open circuit is formed between the corresponding bit line and sense amplifier, or not, and a write-in of a test result of the nonvolatile memory array is carried out by the second transistor and the enable line. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种新颖的非易失性存储器阵列结构，其能够通过在异常功能的位线和读出放大器之间形成开路来促进非易失性存储器阵列的测试处理。解决方案：该结构包括N条位线，M条第一字线，M×N条第一存储单元，第二字线，N条第二存储单元，读出放大器，N条第一晶体管，N段的第二晶体管，以及使能线。其中，M和N是自然数，第二存储单元和第一晶体管控制是否在对应的位线和读出放大器之间形成开路，以及写入非易失性的测试结果存储器阵列由第二晶体管和使能线执行。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

50. 发明专利

JP4025275B2 Memory device and memory system 有权
公开(公告)号：JP4025275B2
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：JP2003331889
申请日：2003-09-24
申请人：シャープ株式会社
发明人：知稔佐藤
IPC分类号： G01R31/28 , G11C29/04 , G11C11/401 , G11C29/00
CPC分类号： G11C29/808 , G11C29/72 , G11C29/785 , G11C29/832

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