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41. 发明专利

JP2003073838A Apparatus for plasma treatment 有权
标题翻译：用于血浆治疗的装置
公开(公告)号：JP2003073838A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：JP2001265272
申请日：2001-09-03
申请人： Foi:Kk , 株式会社エフオーアイ
发明人： TASHIRO MASAHITO
IPC分类号： H05H1/46 , B01J3/00 , B01J19/08 , C23C16/509 , H01L21/302 , H01L21/3065
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To realize an apparatus for plasma treatment, which facilitates designing on high-frequency power feeding.
SOLUTION: An interconnection 4a for high-frequency power feeding penetrates through a variable valve 70 for adjusting exhaust of a vacuum chamber 2. The valve 70 has a structure of accommodating an inner cylinder 72 both ends of which are opened, so as to be rotatable in an outer cylinder 71 only one end of which is opened, and is penetrated by the interconnection 4a at a part of a closed end 71b of the outer cylinder 71. Thereby, the apparatus for easy designing on the high-frequency power feeding can be realized, because it facilitates detour around an electrode support part of the interconnection.
COPYRIGHT: (C)2003,JPO
摘要翻译：要解决的问题：实现用于等离子体处理的装置，其有助于高频供电设计。解决方案：用于高频电力馈送的互连4a穿过用于调节真空室2的排气的可变阀70.阀70具有容纳其两端打开的内筒72的结构，以便可旋转在外筒71的一端开口的状态下，在外筒71的封闭端71b的一部分被互连线4a穿透的外筒71中。由此，能够容易地进行高频供电设计的装置实现了，因为它有助于围绕互连的电极支撑部分绕行。

43. 发明专利

JP4522003B2 Plasma processing apparatus 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP4522003B2
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：JP2001049701
申请日：2001-02-26
申请人：株式会社エフオーアイ
发明人：俊久野沢
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46 , B01J19/08 , C23C16/44 , C23C16/505 , H01L21/205 , H01L21/302

44. 发明专利

JP4405496B2 Plasma processing apparatus 有权
公开(公告)号：JP4405496B2
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：JP2006307098
申请日：2006-11-13
申请人：株式会社エフオーアイ
发明人：理一郎原野 , 裕奥村
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/505 , H01L21/205 , H01L21/31 , H05H1/46

45. 发明专利

JP4358192B2 Plasma generating apparatus 有权
公开(公告)号：JP4358192B2
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：JP2006033093
申请日：2006-02-09
申请人：株式会社エフオーアイ
发明人：隆佐藤 , 裕奥村 , 哲夫徳村 , 利規瀬川 , 清隆石橋 , 和基茂山 , 俊久野沢
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/505 , H05H1/46

46. 发明专利

JP4311828B2 Plasma processing apparatus 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP4311828B2
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：JP26535499
申请日：1999-09-20
申请人：株式会社エフオーアイ
发明人：利規瀬川 , 正悟猿丸 , 清隆石橋 , 俊久野沢
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/3065 , C23F4/00 , H05H1/46

47. 发明专利

JP4297387B2 Semiconductor manufacturing equipment 失效
公开(公告)号：JP4297387B2
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：JP5747398
申请日：1998-02-23
申请人：株式会社エフオーアイ
发明人：裕奥村
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/3205 , H01L23/52

48. 发明专利

JP4165845B2 Surface treatment methods and cleaning equipment 有权
公开(公告)号：JP4165845B2
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：JP34681798
申请日：1998-12-07
申请人：株式会社エフオーアイ
发明人：裕史後藤 , 之博楠見 , 哲也西塚
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/3065

49. 发明专利

JP4111383B2 Plasma generating apparatus 有权
公开(公告)号：JP4111383B2
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：JP2002344621
申请日：2002-11-27
申请人：株式会社エフオーアイ
发明人：信一郎佐藤 , 康弘戸部 , 宏服部 , 利己菊地
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46 , B01J19/08 , C23C16/507 , H01L21/31

50. 发明专利

JP4043089B2 Plasma processing apparatus 失效
公开(公告)号：JP4043089B2
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：JP5606098
申请日：1998-02-20
申请人：株式会社エフオーアイ
发明人：理一郎原野 , 裕奥村
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46 , C23C16/50 , C23F4/00 , H01L21/205 , H01L21/302

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