专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

31. 发明专利

JP2015130434A 発光装置、照明用光源及び照明装置有权
标题翻译：发光装置，用于照明和发光的光源
公开(公告)号：JP2015130434A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：JP2014001759
申请日：2014-01-08
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：大村考志 , 岩橋友也 , 平松宏司 , 鄭然
IPC分类号： F21V19/00 , F21V29/00 , H01L33/48
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/641 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48139 , H01L2224/48484 , H01L33/644
摘要：【課題】演色性を向上と色ずれの抑制との両立を図ることができる発光装置等を提供する。【解決手段】基板10と、基板10に実装された第一発光素子21及び第二発光素子22と、基板10に形成された伝熱パターン40と備え、第二発光素子22は、第一発光素子21よりも、温度上昇に伴う光出力の低下の割合が大きく、第二発光素子22は、伝熱パターン40の上に実装されており、第一発光素子21は、伝熱パターン40の上に実装されていない。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供能够在防止颜色漂移的同时提高显色性的发光装置等。解决方案：发光装置包括：电路板10; 安装在电路板10上的第一发光元件21和第二发光元件22; 以及形成在电路板10上的传热图案40.在第二发光元件22中，由于温度升高导致的光输出的减小比率大于第一发光元件21.第二发光元件22被安装第一发光元件21安装在传热图案40之外。

33. 发明专利

JP2015507374A オプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法、およびオプトエレクトロニクス半導体チップ审中-公开
标题翻译：制造的光电子半导体芯片的方法，以及光电子半导体芯片
公开(公告)号：JP2015507374A
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：JP2014557041
申请日：2013-02-14
申请人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
发明人：ブリッタゲーツ , ブリッタゲーツ , ユルゲンムースブルガー , ユルゲンムースブルガー , アンドレアスプルーセル , アンドレアスプルーセル , マティアスサバシル , マティアスサバシル
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/60
CPC分类号： H01L33/641 , C23C24/04 , C25D7/12 , H01L33/0079 , H01L33/46 , H01L33/644 , H01L2924/0002 , H01L2933/0025 , H01L2933/005 , H01L2933/0075 , H01L2924/00
摘要：成長基板(1)上にオプトエレクトロニクス半導体積層体(2)を成長させる工程と、エアロゾル・デポジション・プロセスにより電気的絶縁材料の粒子を堆積することによって、成長基板(1)の反対を向くオプトエレクトロニクス半導体積層体(2)の一面上に電気的絶縁層(4)を形成する工程と、電気的絶縁層(4)の形成後に成長基板(1)の少なくとも一部を除去する工程とを含む、オプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法を特定する。また、オプトエレクトロニクス半導体チップを特定する。
摘要翻译：光电面向上的光电子半导体层叠体（2）在生长衬底（1）不断增长，通过气溶胶沉积工艺沉积电绝缘材料的颗粒，生长衬底的相反的（1）和的表面上形成电子器件的半导体层叠体的电绝缘层（2）（4），和电绝缘层的形成后除去至少生长衬底的一部分（4）（1）指定用于光电子半导体芯片的制造方法。此外，为了识别光电子半导体芯片。

34. 发明专利

JP5676278B2 アルミニウム−黒鉛複合体、それを用いた放熱部品及びＬＥＤ発光部材有权
标题翻译：铝 - 石墨复合材料，所述热辐射部分和使用相同的LED元件
公开(公告)号：JP5676278B2
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：JP2010547475
申请日：2010-01-15
申请人：電気化学工業株式会社
发明人：廣津留　秀樹 , 秀樹廣津留 , 智志日隈 , 智志日隈 , 真也成田 , 真也成田 , 好彦辻村 , 好彦辻村
IPC分类号： C04B41/88 , C22C1/00 , H01L23/373 , H01L33/64
CPC分类号： C04B41/009 , C04B41/5155 , C04B41/88 , C22C21/02 , H01L33/641 , H01L2933/0075 , C04B41/4521 , C04B41/4523 , C04B35/522

35. 发明专利

JPWO2013015073A1 配線基板および電子装置有权
标题翻译：配线基板和电子装置
公开(公告)号：JPWO2013015073A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2013525641
申请日：2012-06-29
申请人：京セラ株式会社
发明人：弘川越 , 弘川越 , 和彦八木 , 和彦八木
IPC分类号： H05K1/02 , H01L23/12
CPC分类号： H05K1/0209 , H01L23/3107 , H01L23/3677 , H01L23/498 , H01L23/49844 , H01L24/73 , H01L33/641 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/48644 , H01L2224/48655 , H01L2224/73265 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H05K1/0204 , H05K3/246 , H05K2201/10416 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：【課題】表面金属層上にめっき層が十分に被着され、信頼性に優れた配線基板を提供すること。【解決手段】絶縁基体11と、絶縁基体11から部分的に露出するように絶縁基体11内に設けられており、Cuを含む放熱部材12と、放熱部材12に接して放熱部材12を覆うように絶縁基体11の表面に設けられており、主成分としてMoを含んでおり、Cuを含む表面部を有している表面金属層13と、表面金属層上に設けられためっき層16とを有しており、放熱部材12に含まれているCuと表面部に含まれているCuとがつながっている配線基板である。【選択図】図2
摘要翻译：表面金属层上的电镀层充分粘合，以提供优异的布线板的可靠性。和A绝缘基体11在绝缘基底11，从而被设置为以部分地暴露绝缘基体11，以及散热部件12包含Cu，以便覆盖所述热辐射构件12与散热构件12接触在设置在绝缘基体11的表面上包括一个钼作为主要成分，具有包含Cu，设置在表面金属层上的镀敷层16的表面部分的表面金属层13 它包含在铜布线基板和Cu和被包括在散热构件12连接的表面部分。 .The

37. 发明专利

JP2014531109A 柔軟な照明アセンブリ、照明器具、及び柔軟層を製造する方法。审中-公开
标题翻译：柔性照明组件，产生的照明器具的方法，而软质层。
公开(公告)号：JP2014531109A
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：JP2014527768
申请日：2012-08-20
申请人：コーニンクレッカフィリップスエヌヴェ , コーニンクレッカフィリップスエヌヴェ
发明人：ジアーンホーンユイ , ジアーンホーンユイ
IPC分类号： F21S2/00 , F21V19/00 , F21V23/00 , F21V29/00 , F21V33/00 , H05K1/18
CPC分类号： H01L33/641 , H01L2224/48091 , H05K1/0373 , H05K1/0393 , H05K1/189 , H05K2201/0162 , H05K2201/0209 , H05K2201/10106 , H05K2201/10272 , H05K2201/10287 , H01L2924/00014
摘要：柔軟な照明アセンブリ100、照明器具、柔軟層102を製造する方法、及び柔軟層102の使用が提供される。柔軟な照明アセンブリ100は、柔軟な高分子の柔軟層102を有し、柔軟層102に熱的に結合された光源108を有する。柔軟層102は、六方晶結晶構造を持つ窒化ホウ素粒子106を有する。
摘要翻译：柔性照明组件100，照明设备，制造柔性层102的方法，以及使用柔性层102的设置。柔性照明组件100包括柔性聚合物的柔性层102具有光源108，其热耦合到所述柔性层102。柔性层102具有具有六方晶结构的氮化硼颗粒106。

38. 发明专利

JP2014528013A 高い熱伝導率を有するポリアミド組成物有权
标题翻译：具有高导热性的聚酰胺组合物
公开(公告)号：JP2014528013A
公开(公告)日：2014-10-23
申请号：JP2014531269
申请日：2012-09-25
申请人：ローディアオペレーションズ , ローディアオペレーションズ
发明人：ヨンチュルユ， , ヨンチュルユ， , テギュンキム， , テギュンキム，
IPC分类号： C08L77/00 , C08K3/22 , C08K3/28 , H01L33/64
CPC分类号： H01B3/305 , C08K3/22 , C08K3/28 , C08K5/34922 , C08K5/5205 , C08K5/521 , C08K5/5313 , C08K7/14 , C08K2003/2227 , C08K2003/2248 , C08K2003/2265 , C08K2003/2296 , C08L77/06 , C09K21/12 , H01L33/641
摘要：本発明は、高い熱伝導率を有し、窒化物と金属酸化物と任意選択的な難燃剤系とを含むポリアミドマトリックスを含有する、組成物に関する。前記組成物は特には発光ダイオードを有する照明装置用の部品を製造するために使用することができる。
摘要翻译：本发明具有高的热导率，其包含聚酰胺基体，其包括氮化物和金属氧化物和任选的阻燃剂体系，组合物中。该组合物尤其可用于制造具有发光二极管的照明装置的部分。

40. 发明专利

JP2014168078A Method for fabricating vertical device using metal support film 有权
标题翻译：使用金属支持薄膜制造垂直装置的方法
公开(公告)号：JP2014168078A
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：JP2014081148
申请日：2014-04-10
申请人： Lg Innotek Co Ltd , エルジーイノテックカンパニーリミテッド
发明人： YOO MYUNG CHEOL
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/32 , H01L21/306 , H01L33/00 , H01L33/40 , H01L33/46 , H01L33/64
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/14 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L33/641
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for fabricating a semiconductor device such as a GaN LED on an insulation substrate such as a sapphire.SOLUTION: A semiconductor layer 120 is formed on an insulation substrate using usual techniques. A trench defining boundaries of individual devices is preferably formed in the insulation substrate through the semiconductor layer by means of inductive coupling plasma reactive ion etching. A first support structure 200 is attached to the semiconductor layer. The rigid substrate is replaced with a second support structure preferably having conductivity, and the first support structure is removed. Then, the individual devices are diced by etching preferably through the second support structure. A protective photoresist layer 196 can protect the semiconductor layer so that the first support structure does not adhere. A lower contact 192 having conductivity (in some cases, reflectivity) may be inserted between the second support structure and the semiconductor layer.
摘要翻译：要解决的问题：提供在诸如蓝宝石的绝缘基板上制造诸如GaN LED的半导体器件的方法。解决方案：使用常规技术在绝缘基板上形成半导体层120。通过电感耦合等离子体反应离子蚀刻，优选通过半导体层在绝缘衬底中形成限定各个器件的界限的沟槽。第一支撑结构200附接到半导体层。刚性基板被优选地具有导电性的第二支撑结构代替，并且去除第一支撑结构。然后，通过优选通过第二支撑结构的蚀刻来切割各个装置。保护光致抗蚀剂层196可以保护半导体层，使得第一支撑结构不粘附。可以在第二支撑结构和半导体层之间插入具有导电性的下接触192（在一些情况下为反射率）。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式