专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

31. 发明专利

JP4158267B2 Non-single-crystal solar cells 有权
公开(公告)号：JP4158267B2
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：JP6843699
申请日：1999-03-15
申请人：富士電機ホールディングス株式会社
发明人：敏明佐々木 , 伸二藤掛
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0376 , H01L31/075 , H01L31/20
CPC分类号： H01L31/03767 , H01L31/075 , H01L31/20 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521 , Y10S136/29

32. 发明专利

JP2008135740A Amorphous-crystalline tandem nanostructured solar cell 审中-公开
标题翻译： AMORPHOUS-CRYSTALLINE TANDEM NANOSTRUCTURED SOLAR CELL
公开(公告)号：JP2008135740A
公开(公告)日：2008-06-12
申请号：JP2007296185
申请日：2007-11-15
申请人： General Electric Co , ゼネラル・エレクトリック・カンパニイGeneral Electric Company
发明人： TSAKALAKOS LOUCAS , KOREVAAR BASTIAAN ARIE
IPC分类号： H01L31/04 , H01L21/205
CPC分类号： H01L31/20 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C23C18/00 , C25D1/006 , C25D7/126 , H01L31/0687 , H01L51/4266 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plurality of elongated nanostructures arranged on the surface of a substrate, and provide a photovoltaic device comprising a multilayer film forming a plurality of photoactive junctions by conformal deposition on the elongated nanostructures. SOLUTION: There is included a stage of forming a plurality of elongated nanostructures 101 on the surface of a substrate 102 and forming a plurality of photoactive junctions by the conformal deposition of a multilayer film 103. A plurality of photoactive junctions is designed to capture light with different wavelengths. A solar panel comprises one or more photovoltaic devices. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供布置在基板表面上的多个细长纳米结构，并提供包括通过在细长纳米结构上通过共形沉积形成多个光活性连接的多层膜的光伏器件。解决方案：包括在衬底102的表面上形成多个细长纳米结构101的阶段，并且通过多层膜103的共形沉积形成多个光活性接合。多个光活性连接被设计为捕捉不同波长的光。太阳能电池板包括一个或多个光伏器件。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

33. 发明专利

JPS57126175A Amorphous silicon carbide/amorophous silicon hetero junction optoelectric element 失效
标题翻译：非晶硅碳化硅/非晶硅硅异质结型光电元件
公开(公告)号：JPS57126175A
公开(公告)日：1982-08-05
申请号：JP1231381
申请日：1981-01-29
申请人： Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd
发明人： HAMAKAWA YOSHIHIRO , OOWADA YOSHIHISA
IPC分类号： H01L31/04 , H01L21/205 , H01L31/075 , H01L31/20
CPC分类号： H01L31/204 , H01L31/075 , H01L31/20 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： PURPOSE:To obtain high optoelectric conversion efficiency when a hetero junction optoelectric element is to be formed by a method wherein a thin film doped with amorphous silicon carbide is ued at least for one side of the P type layer or the N type layer of a P-I-N junction. CONSTITUTION:When the hetero junction optoelectric element is to be formed, the element having the form to be injected with light from the P type layer side is constituted of glass 19, a transparent electrode 20, a P type a-Si1-xCx layer 21, an I type a- Si layer 22, an N type a-Si layer 23, and an electrode 24 from the injecting side of light. When light is to be injected in the N type layer side, the element is constituted of a transparent electrode 29, an N type a-Si1-xCx layer 28, an I type a-Si layer 27, a P type a-Si layer 26, and an electrode substrate 25 from the light injecting side. In this constitution, the layer indicated with a general expression of a-Si1-xCx layer is the layer doped with amorphous silicon carbide, x is selected as 0.05-0.95, and electric conductivity is made as 10 -10 OMEGAcm . Moreover silane, silane fluoride, hydrocarbon, hydrocarbon fluoride, etc., is used as the material, and is formed to have thickness of 30-300Angstrom by plasma decomposition, etc.
摘要翻译：目的：为了通过以下方法形成异质结光电元件以获得高的光电转换效率：其中掺杂有非晶碳化硅的薄膜至少在P型层的一侧或PIN型的N型层交界处构成：当要形成异质结光电元件时，具有从P型层侧注入光的形式的元件由玻璃19，透明电极20，P型a-Si1-xCx层21 ，I型a-Si层22，N型a-Si层23和从注入侧的电极24。当在N型层侧注入光时，该元件由透明电极29，N型a-Si 1-x C x层28，I型a-Si层27，P型a-Si层 26，以及来自光注入侧的电极基板25。在这种结构中，用a-Si1-xCx层的一般表示表示的层是掺杂有非晶碳化硅的层，x选择为0.05-0.95，并且导电率为10 -8 -10 -1， 7> OMEGAcm <-1>。此外，使用硅烷，硅烷氟化物，烃，烃氟化物等作为材料，通过等离子体分解等形成为30〜300埃的厚度。

34. 发明专利

JP2018142703A 太陽電池及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018142703A
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：JP2018030988
申请日：2018-02-23
申请人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド
发明人：トヨンク , キムソンチン , チェヒョンウク
IPC分类号： H01L31/068 , H01L21/3065 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0216 , H01L31/02167 , H01L31/0224 , H01L31/022425 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/0352 , H01L31/0376 , H01L31/03762 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , H01L31/20 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：【課題】本発明は、太陽電池の効率を向上させ、工程性に優れた太陽電池及び太陽電池製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板の一面及び前記一面と対向する他面上に第1導電型ドーパントを含む第1導電型領域を形成し、前記半導体基板の他面に配置された前記第1導電型領域を乾式食刻で除去し、前記半導体基板の他面に第2導電型ドーパントを含む第2導電型領域を形成する太陽電池及びその製造方法を提供する。【選択図】図1

35. 发明专利

JPWO2015152020A1 太陽電池モジュールおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2015152020A1
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：JP2016511607
申请日：2015-03-26
申请人：株式会社カネカ
发明人：邦裕中野 , 邦裕中野 , 訓太吉河 , 訓太吉河 , 徹寺下 , 徹寺下 , 平石　将史 , 将史平石 , 山本　憲治 , 憲治山本
IPC分类号： H01L31/05 , H01L31/0216 , H01L31/043 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/043 , H01L31/0201 , H01L31/02167 , H01L31/022433 , H01L31/022466 , H01L31/035281 , H01L31/0504 , H01L31/077 , H01L31/20 , Y02E10/50
摘要：本発明の太陽電池モジュール200においては、第一太陽電池110aの受光面の割断面10a側の周縁が、第二太陽電池110bの裏面の周縁に重なるように、第一太陽電池110aと第二太陽電池110bとが、導電性部材80を介して積層されている。第一太陽電池110aおよび第二太陽電池110bは、それぞれ、一導電型結晶シリコン基板を備える光電変換部150a,150bと、受光面上に設けられた集電極17,27と、裏面上に設けられた裏面電極18,28とを備える。第一太陽電池110aと第二太陽電池110bとの積層部では、第一太陽電池110aの集電極17と第二太陽電池110bの裏面電極28とが、導電性部材80に接することで電気的に接続されている。第一太陽電池110aの受光面の割断面10a側の周縁のうち、集電極17が設けられていない周縁上に、絶縁性部材90が設けられている。

36. 发明专利

JPWO2015115360A1 太陽電池审中-公开
公开(公告)号：JPWO2015115360A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2015559928
申请日：2015-01-26
申请人：パナソニックIpマネジメント株式会社
发明人：正人重松 , 正人重松 , 尚史林 , 尚史林
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0747
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/0747 , H01L31/075 , H01L31/1804 , H01L31/20 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：受光面と裏面12とを有する第1導電型または第2導電型の半導体基板10nと、裏面12上に形成される第1導電型を有する第1半導体層20nと、裏面12上に形成される第2導電型を有する第2半導体層30pと、第1半導体層20nと電気的に接続された第1電極50nと、第2半導体層30pと電気的に接続された第2電極50pと、第1半導体層20nが設けられる第1導電型領域Rnと第2半導体層30pが設けられる第2導電型領域Rpの境界領域Rに設けられる絶縁層40とを備える太陽電池1であって、絶縁層40の第2導電型領域Rp側の側面が、第2導電型領域Rpに近づくにつれて厚みが薄くなるように傾斜した傾斜面40aを有しており、厚み方向に垂直でかつ第2導電型領域Rpに向かう方向における傾斜面40aの幅Wが、傾斜面40aが形成されていない部分における絶縁層40の厚みTの10〜300倍の範囲内である。

37. 发明专利

JP5974300B2 太陽電池及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP5974300B2
公开(公告)日：2016-08-23
申请号：JP2012530627
申请日：2011-08-16
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：村上洋平 , 井手大輔 , 森上光章 , 後藤良
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/20 , H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , Y02E10/547

38. 发明专利

JP2016111097A 光電変換装置审中-公开
标题翻译：光电转换器件
公开(公告)号：JP2016111097A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2014245262
申请日：2014-12-03
申请人：シャープ株式会社
发明人：原田真臣 , 神川剛 , 酒井敏彦 , 國吉督章 , 鄒柳民
IPC分类号： H01L31/05 , H01L31/0236 , H01L31/0747 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/03529 , H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/0376 , H01L31/0747 , H01L31/20 , Y02E10/50
摘要：【課題】n型半導体層上の電極と、p型半導体層上の電極の間隔を小さくしても、pn接合が短絡しにくい光電変換装置を提供する。【解決手段】光電変換装置は、半導体基板101の裏面に形成されたn型非晶質半導体層102nと、p型非晶質半導体層102pとを備える。また、n型非晶質半導体層102n、及びp型非晶質半導体層102pの少なくとも一方の半導体層の上には、離間して配置された複数の電極103が形成されている。複数の電極103の表面には導電部302が形成され、導電部302によって複数の電極103が電気的に接続されている。【選択図】図4B
摘要翻译：要解决的问题：即使当n型半导体层上的电极和p型半导体层上的电极之间的距离减小时，也提供其中pn结不太可能短路的光电转换装置。解决方案：光电转换装置包括形成在半导体衬底101的背面上的n型非晶半导体层102n和p型非晶半导体层102p。在n型非晶半导体层102n或p- 形成非晶半导体层102p，多个彼此间隔设置的电极103。在多个电极103的表面上，形成导电部302，并且多个电极103通过导电部302电连接。图4B：

39. 发明专利

JP5820989B2 光電変換素子の製造方法有权
标题翻译：制造光电转换元件的方法
公开(公告)号：JP5820989B2
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：JP2013507387
申请日：2012-03-16
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：桐畑豊 , 橋口大樹
IPC分类号： H01L31/0747
CPC分类号： H01L31/20 , H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521

40. 发明专利

JP5526461B2 Photovoltaic device 有权
公开(公告)号：JP5526461B2
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：JP2007070014
申请日：2007-03-19
申请人：三洋電機株式会社
发明人：朗寺川
IPC分类号： H01L31/06
CPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式