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31. 发明专利

JP2014059155A Radioactive ray detector manufacturing method 有权
标题翻译：放射性检测器制造方法
公开(公告)号：JP2014059155A
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：JP2012202723
申请日：2012-09-14
申请人： Shimadzu Corp , 株式会社島津製作所
发明人： TOKUDA SATOSHI , YOSHIMUTA TOSHINORI , KISHIHARA HIROYUKI , KAINO MASATOMO , YOSHIMATSU SEINA , TOKI TAKAHIRO , SATO TOSHIYUKI
IPC分类号： G01T1/24 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L31/08
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L27/14632 , H01L27/14687 , H01L27/14696 , H01L31/115 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a radioactive ray detector that has radiosensitivity improved by improving characteristics of a CdTe layer.SOLUTION: The radioactive ray detector manufacturing method according to the present invention is configured to comprise a heat treatment process S3 of performing a heat treatment to a conversion layer 9 made of a polycrystalline film having chlorine doped. By performing the heat treatment process S3, an area rich in Zn developed at an interface between the conversion layer 9 and an electron injection prevention layer 7 disappears. Further, a chlorine atom doped in the conversion layer 9 is caused to be arranged at a Te site of a crystal lattice, and the conversion layer 9 is surely formed into an N-type. Thereby, the conversion layer 9 is made homogeneous and has characteristics improved, and then, the radioactive ray detector can be manufactured that can surely collect an electric charge generated in the conversion layer 9 and has high sensitivity.
摘要翻译：要解决的问题：通过改善CdTe层的特性来制造具有改善放射敏感性的放射线检测器。解决方案：根据本发明的放射线检测器制造方法被构造成包括进行热处理的热处理工艺S3 涉及由具有氯掺杂的多晶膜制成的转换层9。通过进行热处理工序S3，在转换层9和电子注入防止层7之间的界面处富含Zn的区域消失。此外，使掺杂在转换层9中的氯原子布置在晶格的Te位置处，并且转换层9可靠地形成为N型。由此，使转换层9均匀且具有改善的特性，然后可以制造能够可靠地收集在转换层9中产生的电荷并具有高灵敏度的放射线检测器。

32. 发明专利

JP5296357B2 Method for metallizing a photovoltaic cell with multiple annealing operation 有权
公开(公告)号：JP5296357B2
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：JP2007244235
申请日：2007-09-20
申请人：コミッサリアアレネルジーアトミークエオゼネルジザルタナテイヴ
发明人：ピエール・ジャン・リベイロン , セバスティアン・デュボワ , ニコラス・アンジャルベール
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L31/022425 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The method involves forming a silver based metallization (110) on a front surface (108) of a photovoltaic cell (100) using serigraphy. The photovoltaic cell is annealed with temperature comprised between 800 and 900 degree Celsius. An aluminum based metallization (112) is formed on a rear surface of a P type polycrystalline silicon based substrate (102) of the cell. The cell is again annealed with the temperature comprised between 800 and 900 degree Celsius. A silicon nitride based and hydrogen rich anti-reflection coating layer (106) is formed on a front surface of the substrate. An independent claim is also included for a method for forming a photovoltaic cell.

33. 发明专利

JP2013532225A Silicon / germanium · nanoparticle ink, laser pyrolysis reactor for synthesizing nanoparticles, and related methods 审中-公开
公开(公告)号：JP2013532225A
公开(公告)日：2013-08-15
申请号：JP2013518566
申请日：2011-06-28
申请人：ナノグラム・コーポレイションNanoGram Corporation
发明人：チルボルシブクマー , アルトマンイゴール , エム．フレイバーナード , ウェイドンリ , クォチュンリュー , ビー．リンチロバート , エリザベスペングラ−レウンジーナ , スリニバサンウマ
IPC分类号： C09D17/00 , C09D11/02
CPC分类号： C09D11/38 , B01D21/262 , B01J19/121 , B01J2219/0869 , B01J2219/0871 , B01J2219/0875 , B82Y30/00 , C01B33/02 , C08K3/08 , C08K3/36 , C08K9/02 , C09D5/24 , C09D7/67 , C09D7/68 , C09D7/80 , C09D11/037 , C09D11/101 , C09D11/322 , C09D11/36 , C09D11/52 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L23/4828 , H01L23/53276 , H01L31/00 , H01L31/02363 , H01L31/03682 , H01L31/03762 , H01L31/0747 , H01L31/182 , H01L31/1864 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , Y02E10/546 , Y02E10/548 , Y02P70/521 , H01L2924/00
摘要：元素シリコン粒子の合成に特に適した所望の粒子クエンチングを可能にするためのレーザー熱分解反応器設計、及び相応の反応物質入口ノズルが記載されている。具体的には、ノズルは、反応物質前駆体流を取り囲む実質的な不活性ガス流に基づく不活性ガスを用いて、そして反応物質前駆体流及びクエンチ・ガス流を事実上取り囲む大型不活性エントレインメント流を用いて、核形成及びクエンチングを促進するための設計を有することができる。有機化合物による表面改質を施されていないシリコン・ナノ粒子を有する改善されたシリコン・ナノ粒子インクが記載されている。シリコン・インク特性は、特定の印刷用途、例えばインクジェット印刷、グラビア印刷、又はスクリーン印刷に合わせて設計することができる。シリコン・ナノ粒子を表面改質することなしに、インク設計のためのフレキシビリティを提供する好適な処理方法が記載されている。

34. 发明专利

JP5244170B2 The heat treatment apparatus of the solar cell 有权
公开(公告)号：JP5244170B2
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：JP2010508110
申请日：2009-04-14
申请人：本田技研工業株式会社
发明人：剛越前谷 , 祐一平野 , 仁志長▲崎▼ , 圭哉徳永 , 諭米澤
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/0322 , C23C14/165 , C23C14/5806 , C23C14/5866 , H01L31/1864 , Y02E10/541 , Y02P70/521

35. 发明专利

JPWO2011132778A1 ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2011132778A1
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：JP2012511720
申请日：2011-04-22
申请人：日立化成株式会社
发明人：洋一町井 , 洋一町井 , 吉田　誠人 , 誠人吉田 , 野尻　剛 , 剛野尻 , 香岡庭 , 香岡庭 , 岩室　光則 , 光則岩室 , 修一郎足立 , 修一郎足立 , 鉄也佐藤 , 鉄也佐藤 , 木沢　桂子 , 桂子木沢
IPC分类号： H01L21/225 , C03C3/089 , H01L21/322 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/1864 , C03C8/16 , C03C8/18 , H01L21/2225 , H01L21/2255 , H01L31/022425 , H01L31/032 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本発明のp型拡散層形成組成物は、アクセプタ元素を含みライフタイムキラー元素の総量が1000ppm以下であるガラス粉末と、分散媒と、を含有する。このp型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、p型拡散層、及びp型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。

36. 发明专利

JPWO2011101993A1 太陽電池およびその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2011101993A1
公开(公告)日：2013-06-17
申请号：JP2012500444
申请日：2010-02-22
申请人：株式会社東芝
发明人：斉藤　三長 , 三長斉藤 , 細矢　雅弘 , 雅弘細矢
IPC分类号： H01L51/42
CPC分类号： H01L51/426 , B82Y10/00 , H01L31/022425 , H01L31/03529 , H01L31/1864 , H01L51/0026 , H01L51/0027 , H01L51/0046 , H01L51/0047 , H01L51/424 , H01L51/441 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：本発明の太陽電池の製造方法は、互いに離間して配置された一対の電極11および12の間に、p型半導体とn型半導体とを含むヘテロ接合型の光電変換層13を形成し、前記光電変換層13に周波数が0.01kHz以上1kHz未満の交流電圧を印加しながら熱アニーリングを行い、前記光電変換層13における前記p型半導体と前記n型半導体の混合状態を制御することを特徴とする

37. 发明专利

JP2013058540A Method for preparing cigs film and method for manufacturing cigs solar cell using the same 有权
标题翻译：用于制备CIGS膜的方法和使用其制造CIGS太阳能电池的方法
公开(公告)号：JP2013058540A
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：JP2011194933
申请日：2011-09-07
申请人： Nitto Denko Corp , 日東電工株式会社
发明人： NISHII HIROTO , MORITA SHIGENORI , TERACHI SEIKI , HOSOKAWA KAZUTO , MINEMOTO TAKASHI
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L31/0322 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a method for preparing a CIGS film, by which a CIGS film excellent in conversion efficiency can be prepared at low cost and with good reproducibility even when a large area element is manufactured; and a method for manufacturing a CIGS solar cell, including the method for preparing a CIGS film.SOLUTION: The method for preparing a CIGS film includes: a lamination step of laminating a layer (A) including indium, gallium and selenium and a layer (B) including copper and selenium, in the order, on a substrate in a solid phase state; and a heating step of heating a laminate comprising the layer (A) and the layer (B) which are laminated, melting the compound of copper and selenium in the layer (B) to be changed in a liquid phase state, thereby diffusing copper in the layer (B) into the layer (A) to be grown in crystals, and obtaining a CIGS film.
摘要翻译：要解决的问题：提供：制备CIGS膜的方法，通过该方法可以以低成本且即使在制造大面积元件时具有良好的再现性来制备转化效率优异的CIGS膜; 以及CIGS太阳能电池的制造方法，包括CIGS膜的制造方法。解决方案：制备CIGS膜的方法包括：层压步骤，其将包括铟，镓和硒的层（A）和包含铜和硒的层（B）依次层叠在基板上固相状态; 以及加热层叠体的层叠体（A）和层（B）的层叠体的加热工序，使层（B）中的铜和硒化合物熔融成液相状态，使铜扩散将层（B）进入层（A）中以生长晶体，并获得CIGS膜。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

38. 发明专利

JP5138253B2 Annealing device 有权
公开(公告)号：JP5138253B2
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：JP2007081609
申请日：2007-03-27
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：河西　　繁 , 大幸宮下 , 昌剛米田 , 智博鈴木 , 澄田中 , 正道野村 , 美和清水
IPC分类号： H01L21/26 , C23C14/58 , C23C16/56 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/67109 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521

39. 发明专利

JP5047186B2 Solar cell element and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5047186B2
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：JP2008539724
申请日：2007-09-27
申请人：京セラ株式会社
发明人：洋介猪股 , 塁矢田部 , 憲一黒部
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L21/18 , H01L21/2252 , H01L21/2255 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/04 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/50 , Y02E10/52 , Y02P70/521
摘要： [Object] To provide a method for manufacturing a solar cell element including a semiconductor substrate that includes a high-concentration dopant layer located near the surface of the semiconductor substrate and a low-concentration dopant layer located more inside the semiconductor substrate than the high-concentration dopant layer. [Solving Means] A method includes heating a semiconductor substrate having a first conductivity type in a first atmosphere which contains a dopant having a second conductivity type and which has a first dopant concentration; heating in a second atmosphere the semiconductor substrate heated in the first atmosphere, the second atmosphere having a second dopant concentration less than the first dopant concentration; and heating in a third atmosphere the semiconductor substrate heated in the second atmosphere, the third atmosphere having a third dopant concentration greater than the second dopant concentration.

40. 发明专利

JPWO2010098293A1 薄膜化合物太陽電池の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2010098293A1
公开(公告)日：2012-08-30
申请号：JP2011501582
申请日：2010-02-22
申请人：シャープ株式会社
发明人：知也児玉 , 知也児玉
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/18 , H01L31/022425 , H01L31/0392 , H01L31/03926 , H01L31/048 , H01L31/06875 , H01L31/0693 , H01L31/1864 , H01L31/1892 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要：【課題】基材を設けても、電極の密着性を向上させることができるとともに、基材の剥離が生じることのない薄膜化合物太陽電池を製造する。【解決手段】基板上に複数の化合物半導体層からなるセル本体が形成される。セル本体に裏面電極7が形成され、裏面電極7上に基材としての裏面フィルム8が形成される。裏面フィルム8上に補強材9が取り付けられる。セル本体から基板が分離され、セル本体がメサエッチングされる。エッチング後のコンタクト層3上に表面電極13が形成される。補強材9が剥離され、表面電極13が焼成される。作成された薄膜化合物太陽電池が複数の太陽電池素子に分離される。【選択図】図18

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