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31. 发明专利

JP6084614B2 RF応用のMEMS可変キャパシタおよびその製造方法有权
标题翻译： MEMS可变电容器和它们的RF应用的制造方法
公开(公告)号：JP6084614B2
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：JP2014526254
申请日：2012-08-17
申请人：キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッド , CAVENDISH KINETICS, INC.
发明人：ロベルト・ガッディ , ロベルトゥス・ペトルス・ファン・カンペン , リチャード・エル・ナイプ , アナルツ・ウナムノ
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , H01G7/00
CPC分类号： H01G5/16 , H01G5/38 , H01G7/00 , H01H59/0009 , Y10T29/43

34. 发明专利

JP2016014888A 光変調用浮動ロッカーMEMSデバイスの製造方法および動作方法审中-公开
标题翻译：用于浮动用于轻型调制的摇臂MEMS器件的制造方法和操作方法
公开(公告)号：JP2016014888A
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：JP2015163997
申请日：2015-08-21
申请人：キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッド , CAVENDISH KINETICS, INC.
发明人：チャールズ・ゴードン・スミス , リチャード・エル・ナイプ
IPC分类号： H01L27/10 , B81C1/00 , G02B26/02
CPC分类号： G02B26/0833 , B81C1/00317 , G02B26/0841 , B81B2201/042 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145
摘要：【課題】投影ディスプレイ用の高速スイッチングミラーアレイ製作方法を提供する。【解決手段】導電層を第1犠牲層及び複数の導電電極の上に堆積すること、導電層をパターニングして複数のミラーエレメントを形成すること、第2犠牲層をミラーエレメントの上に堆積すること、第1犠牲層、ミラーエレメント及び第2犠牲層を隣接する空洞内に包囲し個々のミラーエレメントを個別の空洞内に収容し各空洞が透明層又はキャップ層と境界を接するようにすること、第1、2犠牲層を除去し各ミラーエレメントを空洞内で解放しミラーエレメントを支柱の上に載った状態で複数の導電電極のいずれかと接触したり離れたりして旋回し、かつ動作時に透明層又はキャップ層から離隔している分離した浮動ロッカーを形成すること、空洞を封止すること、からなる高速スイッチングミラーアレイ製造方法。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供制造用于投影显示器的反射镜的快速开关阵列的方法。解决方案：制造反射镜的快速切换阵列的方法包括以下步骤：在第一牺牲层和多个第一牺牲层上沉积导电层的导电电极; 图案化导电层以形成多个镜元件; 在所述反射镜元件上沉积第二牺牲层; 将相邻空腔内的第一牺牲层，反射镜元件和第二牺牲层封闭在一起，以独立地将镜子元件容纳在单独的空腔中，每个空腔由透明层或盖层束缚; 去除第一和第二牺牲层以释放空腔内的镜子元件，使得每个反射镜元件形成离散的浮动第一摇杆，其位于支点上并枢转进入和离开与多个导电电极中的一个接触，其中浮动在操作过程中摇杆与透明层或盖层保持间隔; 并密封空腔。

35. 发明专利

JP2019527960A DVCを用いてアンテナを調整する方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019527960A
公开(公告)日：2019-10-03
申请号：JP2019502056
申请日：2017-07-19
申请人：キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッド , CAVENDISH KINETICS, INC.
发明人：チェンホイ・ニウ , レイ・パークハースト , ポール・アンソニー・トーナッタ・ジュニア , ラーズ・アーンスト・ジョンソン
IPC分类号： H03H7/38 , H01Q1/24 , H04B1/40 , H01Q1/50
摘要：本開示は、概して、携帯電話機又はウェアラブルデバイスなどの無線通信が可能な任意のデバイスに関する。1つ以上のアンテナを有する。3つの異なるDVC状態でデバイスの反射係数を測定した後、他のすべてのDVC状態の反射係数を計算することができる。従って、3つの反射係数測定値のみに基づいて、アンテナのインピーダンスの変化に合わせてアンテナを調整することができる。

38. 发明专利

JP2018533826A 制御されたコンタクト着地を備えたMEMS RFスイッチ审中-公开
公开(公告)号：JP2018533826A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2018525368
申请日：2016-11-15
申请人：キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッド , CAVENDISH KINETICS, INC.
发明人：ロベルトゥス・ペトルス・ファン・カンペン , リチャード・エル・ナイプ , ミカエル・ルノー , シバジョティ・ゴーシュ・ダスティダー , ジャック・マーセル・ムヤンゴ
IPC分类号： H01H59/00
CPC分类号： H01H59/0009 , B81B3/0008 , B81B3/001 , B81B3/0035 , B81B3/0086 , B81B2201/016 , H01G5/16 , H01H2059/0018 , H01H2059/0072
摘要： MEMSスイッチは、基板101上に配置された、RF電極102と、プルダウン電極104と、アンカー電極108とを含む。複数のアイランド226がプルダウン電極に設けられ、そこから電気的に絶縁されている。RF電極の上には、MEMSブリッジ212,214がプルダウン状態でオーミック接触を形成するRFコンタクト206がある。プルダウン電極104は、誘電体層202で被覆され、ブリッジとプルダウン電極との間の短絡を回避する。コンタクトストッパ224は、アイランド226に対応する場所で誘電体層202の上に配置され、プルダウン状態においてブリッジと誘電体層との間に生ずるギャップは、誘電体の帯電を低減する。代替の実施形態では、コンタクトストッパは、誘電体層202の内部に設けられ、あるいは、アイランド自体の上および誘電体層の下に配置される。スイッチは、広い電圧動作範囲に渡ってMEMSスイッチの接触抵抗の良好な制御性を提供する。

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