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21. 发明专利

JP5452195B2 Semiconductor device and power converter using the same 有权
公开(公告)号：JP5452195B2
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：JP2009275047
申请日：2009-12-03
申请人：株式会社日立パワーデバイス
发明人：聡渡邉 , 睦宏森 , 大夏新井
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L21/2815 , H01L29/0607 , H01L29/0611 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0646 , H01L29/0657 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/66348 , H01L29/7397

22. 发明专利

JPWO2010125661A1 半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2010125661A1
公开(公告)日：2012-10-25
申请号：JP2011511228
申请日：2009-04-30
申请人：三菱電機株式会社
发明人：三浦　成久 , 成久三浦 , 中田　修平 , 修平中田 , 大塚　健一 , 健一大塚 , 昭裕渡辺 , 昭裕渡辺 , 油谷　直毅 , 直毅油谷
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L27/04 , H01L29/12 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L23/53209 , H01L29/0611 , H01L29/0615 , H01L29/0638 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/42372 , H01L29/4238 , H01L29/45 , H01L29/4916 , H01L29/4941 , H01L29/4975 , H01L29/66068 , H01L29/7805 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：第1導電型の半導体基板の第1主面内のセル領域において表層に第2導電型の第1ウェルが形成されている。第1ウェル内において表層に第1導電型の拡散領域が形成されている。第1ウェル上に第1ゲート絶縁膜が形成され、その上に第1ゲート電極が形成されている。セル領域の外周部において第1主面の表層に第2導電型の第2ウェルが形成されている。第2ウェル上に第2ゲート絶縁膜が形成され、その外周側に厚いフィールド酸化膜が形成されている。ゲート絶縁膜及びフィールド酸化膜上に連続して、第1ゲート電極に接続された第2ゲート電極が形成されている。第1,第2ウェル及び拡散領域に第1電極が接続されている。半導体基板の第2主面に第2電極が形成されている。セル領域の外周を1周するようにフィールド酸化膜上に、第2ゲート電極に接続されたゲート配線が形成されている。ゲート配線は、第2ゲート電極の構成物質をシリサイド化させたものである。

23. 发明专利

JP3779243B2 Semiconductor device and a method of manufacturing the same 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP3779243B2
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：JP2002223343
申请日：2002-07-31
申请人：富士通株式会社
发明人：健一渡邉
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/822 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L27/04
CPC分类号： H01L21/76877 , H01L21/76804 , H01L21/76843 , H01L23/481 , H01L23/485 , H01L23/522 , H01L23/5226 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/53204 , H01L23/53223 , H01L23/53228 , H01L23/53266 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L23/562 , H01L23/58 , H01L23/585 , H01L29/0607 , H01L29/0611 , H01L29/0619 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The semiconductor device comprises: insulating films 40, 42 formed over a substrate 10; an interconnection 58 buried in at least a surface side of the insulating films 40, 42; insulating films 60, 62 formed on the insulating film 42 and including a hole-shaped via-hole 60 and a groove-shaped via-hole 66a having a pattern bent at a right angle; and buried conductors 70, 72a buried in the hole-shaped via-hole 60 and the groove-shaped via-hole 66a, wherein the groove-shaped via-hole 66a is formed to have a width which is smaller than a width of the hole-shaped via-hole 66. Whereby, the defective filling of the buried conductor is prevented, and the cracking of the inter-layer insulating film can be prevented. Steps on the conductor plug can be reduced, so that the step cannot be influential on the upper interconnection layers and insulating layers. Accordingly, defective contact with the upper interconnection layer and the problems taking place in forming films can be prevented, and resultantly the semiconductor device can have high water resistance and high interconnection reliability.
摘要翻译：半导体器件包括：形成在衬底10上的绝缘膜40,42; 埋置在绝缘膜40,42的至少表面侧的互连件58; 绝缘膜60,62形成在绝缘膜42上并且包括孔形通孔60和具有以直角弯曲的图案的槽形通孔66a; 以及埋入孔形通孔60和槽状通路孔66a中的埋入导体70,72a，其中，形成沟槽形通孔66a的宽度小于孔的宽度由此，能够防止埋入导体的填充不良，能够防止层间绝缘膜的破裂。可以减少导体插塞上的步骤，使得该步骤不会影响上互连层和绝缘层。因此，可以防止与上部互连层的不良接触以及在成膜中发生的问题，从而可以使半导体器件具有高的耐水性和高的互连可靠性。

24. 发明专利

JP2018129500A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018129500A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：JP2017193706
申请日：2017-10-03
申请人：株式会社FLOSFIA
发明人：織田真也 , 徳田梨絵 , 神原仁志 , 河原克明 , 人羅俊実
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/24 , H01L29/045 , H01L29/0611 , H01L29/47 , H01L29/872
摘要：【課題】半導体特性およびショットキー特性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】第1の半導体層と、第2の半導体層と、第1の半導体層上に設けられているショットキー電極とを少なくとも備え、第1の半導体層及び第2の半導体層が、それぞれガリウムを含有する結晶性酸化物半導体を主成分として含み、第1の半導体層のキャリア密度が、第2の半導体層のキャリア密度よりも小さい半導体装置において、第1の半導体層および第2の半導体層のそれぞれの表面積が3mm 2 以下である小型の半導体装置を製造し、得られた半導体装置をパワーデバイス等に用いる。【選択図】なし

25. 发明专利

JP2018074170A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018074170A
公开(公告)日：2018-05-10
申请号：JP2017234525
申请日：2017-12-06
申请人：ローム株式会社
发明人：明田正俊 , 横辻悠太
IPC分类号： H01L29/47 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/063 , H01L21/0415 , H01L21/046 , H01L21/26546 , H01L29/0611 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/08 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/36 , H01L29/66143 , H01L29/66212 , H01L29/872
摘要：【課題】降伏電圧に近い逆方向電圧を印加しても逆方向リーク電流を確実に低減でき、順方向電圧を低減することもできるワイドバンドギャップ半導体装置を提供する。【解決手段】SiCからなる半導体層6の表面に接しているショットキー電極20と、半導体層の表面を形成する第1導電型の低抵抗ドリフト層9および表面ドリフト層10と、ドリフト層の表層部に形成された高抵抗層17とを含む。ショットキー電極は、第1ショットキー障壁を形成する第1電極22と、第1ショットキー障壁に対して相対的に低い第2ショットキー障壁を形成する第2電極23とを含む。逆方向電圧が印加されたときの半導体層の表面での電界強度が弱いので、半導体層の表面に接するショットキー電極と半導体層との間のバリアハイトを低くしても、逆方向リーク電流を低減することができる。【選択図】図2

26. 发明专利

JP6226281B2 半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6226281B2
公开(公告)日：2017-11-08
申请号：JP2015247762
申请日：2015-12-18
申请人：ローム株式会社
发明人：明田正俊 , 横辻悠太
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/41 , H01L29/06 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/063 , H01L21/0415 , H01L21/046 , H01L21/26546 , H01L29/0611 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/08 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/36 , H01L29/66143 , H01L29/66212 , H01L29/872

27. 发明专利

JP2017183544A 半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017183544A
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：JP2016069165
申请日：2016-03-30
申请人：エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社
发明人：森田健士 , 津村和宏
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/06
CPC分类号： H01L27/0266 , H01L21/823807 , H01L21/823892 , H01L27/0928 , H01L29/0611 , H01L29/36
摘要：【課題】半導体装置の静電気保護素子の耐圧を容易に調整できる構造を提供する。【解決手段】Nチャネル型MOSトランジスタを静電気保護素子とする半導体装置において、Nチャネル型MOSトランジスタはN型高濃度ドレイン領域から下方に向かって減少する3種類の異なる不純物濃度を有する縦方向の電界緩和領域と、N型高濃度ドレイン領域から前記チャネル領域に向かって減少する3種類の異なる不純物濃度を有する横方向の電界緩和領域と、縦方向の電界緩和領域と横方向の電界緩和領域とに接する最も不純物濃度の低い電界緩和領域とを有する構造とした。【選択図】図1

29. 发明专利

JPWO2014168171A1 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
标题翻译：制造半导体器件的方法和半导体器件
公开(公告)号：JPWO2014168171A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015511280
申请日：2014-04-09
申请人：富士電機株式会社
发明人：勇一小野澤 , 勇一小野澤
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L29/0611 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/0804 , H01L29/407 , H01L29/41708 , H01L29/66348
摘要： n-ドリフト層の一方の表面層に設けられたp層は、複数のトレンチ(4)によってpベース領域(5)および浮遊p領域(6)に分割されている。トレンチ(4)のpベース領域(5)側の側壁には、第1絶縁膜(8a)を介して第1ゲート電極(9a)が設けられ、浮遊p領域(6)側の側壁には、第2絶縁膜(8b)を介してシールド電極(9b)が設けられている。第1コンタクトホール(10a)に埋め込まれたコンタクトプラグを介してゲートランナー(13)に導通接続された第1ゲート電極(9a)と、第2コンタクトホール(10b)に埋め込まれたコンタクトプラグを介してエミッタ電極(11)に導通接続されたシールド電極(9b)との間には、基板おもて面からトレンチ(4)の底面に達する絶縁膜(20)が設けられている。このようにすることで、製造プロセスを短縮することができ、低損失で信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
摘要翻译：所提供的n - 漂移层的一个表面层上P层是由多个沟槽（4）的划分为p型基区（5）和所述浮置p区域（6）。基极区域（5）（4）中，第一栅电极（9a）的通过第一绝缘膜（图8A）中提供的沟槽的侧面构成的p侧壁，在浮置p区（6）侧的侧壁上，屏蔽电极（图9b）通过第二绝缘膜设置（图8b）。通过第一接触孔第一栅电极（图9A），它是通过埋在（10A）的接触插塞（13），接触插塞埋设在所述第二接触孔电连接到所述栅极流道（10b）的之间的发射极电极（11）导电地连接到屏蔽电极（9b）的碲，设置在绝缘膜（20）从基板前表面延伸到所述沟槽的所述底表面（4）。通过这样做，能够缩短制造过程中，有可能提供一个高度可靠的半导体器件具有低损失。

30. 发明专利

JP2016536778A 改善された逆サージ能力及び削減されたリーク電流のポリシリコン層を有するツェナーダイオード审中-公开
标题翻译：改进的反向浪涌能力和降低的齐纳二极管具有漏电流的多晶硅层
公开(公告)号：JP2016536778A
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：JP2016516551
申请日：2014-09-26
申请人：ヴィシェイジェネラルセミコンダクター,エルエルシーVishay General Semiconductor,Llc , ヴィシェイジェネラルセミコンダクター,エルエルシーVishay General Semiconductor,Llc
发明人：シー−クアン・チェン , ワン−ラン・チアン , イー−イン・リン , ミン−タイ・チアン , チー−ピン・ペン
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/861 , H01L29/866 , H01L29/868
CPC分类号： H01L29/0611 , H01L21/2253 , H01L21/2257 , H01L21/2652 , H01L21/283 , H01L29/456 , H01L29/66106 , H01L29/66113 , H01L29/861 , H01L29/866
摘要：ツェナーダイオードなどの半導体デバイスは、第1導電型の第1半導体材料と、第1半導体材料と接触して、第1及び第2半導体材料の間に接合を形成する第2導電型の第2半導体材料とを含む。第1酸化物層は、第2半導体材料の残りの部分が露出されるように、第2半導体材料の一部分にわたって配設される。ポリシリコン層は、第2半導体材料の露出された部分上に、及び第1酸化物層の一部分上に配設される。第1導電層は、ポリシリコン層上に配設される。第2導電層は、第2半導体材料と接触している第1半導体材料の表面と反対側である第1半導体材料の表面上に配設される。
摘要翻译：一种半导体器件，诸如齐纳二极管，一第一导电类型的第一半导体材料，在与所述第一半导体材料接触，所述第二导电类型的第二半导体，以形成第一和第二半导体材料之间的结和材料。所述第一氧化物层，作为第二半导体材料的其余部分是暴露的，被布置在所述第二半导体材料的至少一部分。多晶硅层被布置在所述第二半导体材料的暴露部分，并在所述第一氧化物层的至少一部分。第一导电层设置在所述多晶硅层上。第二导电层设置在所述第一半导体材料的表面上是一个面相反侧的与所述第二半导体材料接触的第一半导体材料。

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