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1. 发明专利

JP2018170425A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018170425A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：JP2017067313
申请日：2017-03-30
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：河村圭子
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/41708 , H01L29/7397
摘要：【課題】ゲート抵抗を低減する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置100は、ゲートプラグ13とコンタクトプラグ11が互いに平行に配置されており、ゲートプラグよりもコンタクトプラグの方がZ方向において高さは高い。多層配線で、ゲートプラグとコンタクトプラグが短絡せずにコンタクトプラグの面積を大きくとることが可能となる。また半導体装置は、ゲートプラグを有することで、ゲート電極6の面積を大きくとることができる。更にゲートプラグがメタルであるために抵抗率を低くでき、ゲート抵抗を低減することができ、互いに平行に配置されていることで単工程で形成することが可能となる。【選択図】図2

2. 发明专利

JP6315300B2 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ有权
公开(公告)号：JP6315300B2
公开(公告)日：2018-04-25
申请号：JP2017500277
申请日：2015-10-14
申请人：株式会社村田製作所
发明人：大部功 , 吉田茂
IPC分类号： H01L29/737 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/1004 , H01L27/0823 , H01L27/1022 , H01L29/0692 , H01L29/0817 , H01L29/205 , H01L29/41708 , H01L29/66234 , H01L29/7304 , H01L29/732 , H01L29/7371 , H03F1/56 , H03F3/21 , H03F2200/222 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/411

3. 发明专利

JP6295444B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6295444B2
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：JP2015527162
申请日：2014-07-02
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：山下勝重 , 西村兼一 , 山本敦也 , 青木成剛
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/331 , H01L29/732 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0623 , H01L29/0804 , H01L29/0821 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41708 , H01L29/66128 , H01L29/66143 , H01L29/66272 , H01L29/66734 , H01L29/732 , H01L29/7322 , H01L29/735 , H01L29/7809 , H01L29/7813 , H01L29/7823 , H01L29/8611 , H01L29/8725

4. 发明专利

JP2017168597A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017168597A
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：JP2016051689
申请日：2016-03-15
申请人：株式会社東芝
发明人：松下憲一 , 安原紀夫 , 田中文悟
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41708 , H01L29/41741 , H01L29/42304 , H01L29/4236 , H01L29/7397 , H01L29/7813 , H01L29/73
摘要：【課題】信頼性を向上できる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第1導電形の第1半導体領域と、ゲート電極と、第1電極と、第2導電形の第2半導体領域と、第1導電形の第3半導体領域と、第2導電形の第4半導体領域と、第1導電形の第5半導体領域と、第1絶縁部と、を有する。ゲート電極は、第1半導体領域の上にゲート絶縁層を介して設けられている。第1電極は、第1半導体領域の上に第1絶縁層を介して設けられている。第1電極は、第1方向においてゲート電極と離間している。第2半導体領域および前記第4半導体領域は、第1半導体領域の上であって、ゲート電極と第1電極との間に設けられている。第4半導体領域は、第2方向において第2半導体領域と離間している。第1絶縁部は、ゲート電極と第1電極との間において、第2半導体領域と第4半導体領域との間に設けられている。【選択図】図3

5. 发明专利

JP2017045874A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JP2017045874A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015167612
申请日：2015-08-27
申请人：株式会社東芝
发明人：高橋仁
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L29/0623 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41708 , H01L29/4236 , H01L29/7396 , H01L29/7811 , H01L29/7813
摘要：【課題】オン電圧の上昇を抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】第1導電形の第1半導体領域1と、第2導電形の第2半導体領域3と、第2導電形の第3半導体領域6と、第1導電形の第4半導体領域4と、第2導電形の第5半導体領域5と、ゲート電極10と、第1電極20と、を有する。第3半導体領域6は、第1絶縁層21とゲート絶縁層11との間の一部に設けられている。第3半導体領域6は、第1絶縁層21に接している。第3半導体領域6の第2導電形のキャリア濃度は、第2半導体領域3の第2導電形のキャリア濃度よりも高い。第4半導体領域4は、第1部分4aを有する。第1部分4aは、第1半導体領域4から第2半導体領域3に向かう第1方向において、第3半導体領域6と並んでいる。第5半導体領域5は、ゲート絶縁層11に接している。第5半導体領域5は、第1方向に対して垂直な第2方向において第1部分4aと並んでいる。【選択図】図1
摘要翻译：一种半导体装置的增大导通电压可以被抑制。和第一导电类型，第二导电类型的第二半导体区3中，第二导电类型的第三半导体区域6中，第一导电类型的第四半导体区域4的第一半导体区1 如果具有第二导电类型的第五半导体区域5，栅极电极10，和第一电极20，一个。第三半导体区域6设置在第一绝缘层21和栅极绝缘层11之间的部分。第三半导体区6是在与第一绝缘层21接触。第二导电类型的第三半导体区域6的载流子浓度比所述第二导电类型的第二半导体区3的载流子浓度高。第四半导体区域4具有第一部分4a。第一部分4a，在与所述第一半导体区域4与第二半导体区3的第一方向，与所述第三半导体区域6对准。第五半导体区域5是在与栅极绝缘层11接触。第五半导体区域5与垂直于所述第一方向的第二方向上的第一部分4a对准。点域1

6. 发明专利

JP2017041491A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JP2017041491A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015161021
申请日：2015-08-18
申请人：富士電機株式会社
发明人：八尾典明
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/41
CPC分类号： H01L29/41708 , H01L29/04 , H01L29/16 , H01L29/417 , H01L29/456 , H01L29/7393 , H01L29/861 , H01L27/0629
摘要：【課題】コンタクト電極の端部における電流集中を緩和する。【解決手段】半導体層と、半導体層の表面側に設けた第1トレンチ電極と、半導体層の表面側において第1トレンチ電極と対向して設けた第2トレンチ電極とを備え、第1トレンチ電極がメッシュ状に形成された半導体装置を提供する。半導体層は、第1導電型領域と、第1導電型領域と異なる導電型を有する第2導電型領域とを更に備え、第1トレンチ電極は、第1導電型領域と電気的に接続して設けられ、第2トレンチ電極は、第2導電型領域と電気的に接続して設けられていてよい。【選択図】図1
摘要翻译：甲放松在接触电极的边缘处的电流集中。和半导体层包括设置在所述半导体层的表面侧的第一沟槽电极，并与所述第一沟槽电极上的半导体层的表面侧的第二沟槽电极，所述第一沟槽电极提供了形成为网眼形状的半导体器件。所述半导体层包括第一导电型区域和具有不同于第一导电类型区域不同的导电类型的第二导电类型区，所述第一沟槽电极连接第一导电型区域和电提供，所述第二沟槽电极，可被提供给连接第二导电类型区和电。点域1

7. 发明专利

JPWO2014168171A1 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
标题翻译：制造半导体器件的方法和半导体器件
公开(公告)号：JPWO2014168171A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015511280
申请日：2014-04-09
申请人：富士電機株式会社
发明人：勇一小野澤 , 勇一小野澤
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L29/0611 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/0804 , H01L29/407 , H01L29/41708 , H01L29/66348
摘要： n-ドリフト層の一方の表面層に設けられたp層は、複数のトレンチ(4)によってpベース領域(5)および浮遊p領域(6)に分割されている。トレンチ(4)のpベース領域(5)側の側壁には、第1絶縁膜(8a)を介して第1ゲート電極(9a)が設けられ、浮遊p領域(6)側の側壁には、第2絶縁膜(8b)を介してシールド電極(9b)が設けられている。第1コンタクトホール(10a)に埋め込まれたコンタクトプラグを介してゲートランナー(13)に導通接続された第1ゲート電極(9a)と、第2コンタクトホール(10b)に埋め込まれたコンタクトプラグを介してエミッタ電極(11)に導通接続されたシールド電極(9b)との間には、基板おもて面からトレンチ(4)の底面に達する絶縁膜(20)が設けられている。このようにすることで、製造プロセスを短縮することができ、低損失で信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
摘要翻译：所提供的n - 漂移层的一个表面层上P层是由多个沟槽（4）的划分为p型基区（5）和所述浮置p区域（6）。基极区域（5）（4）中，第一栅电极（9a）的通过第一绝缘膜（图8A）中提供的沟槽的侧面构成的p侧壁，在浮置p区（6）侧的侧壁上，屏蔽电极（图9b）通过第二绝缘膜设置（图8b）。通过第一接触孔第一栅电极（图9A），它是通过埋在（10A）的接触插塞（13），接触插塞埋设在所述第二接触孔电连接到所述栅极流道（10b）的之间的发射极电极（11）导电地连接到屏蔽电极（9b）的碲，设置在绝缘膜（20）从基板前表面延伸到所述沟槽的所述底表面（4）。通过这样做，能够缩短制造过程中，有可能提供一个高度可靠的半导体器件具有低损失。

8. 发明专利

JP6053050B2 逆導通IGBT 有权
标题翻译：逆导IGBT
公开(公告)号：JP6053050B2
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：JP2014251967
申请日：2014-12-12
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社
发明人：町田悟 , 山下侑佑 , 平林康弘 , 細川博司 , 安田佳史 , 添野明高 , 妹尾賢
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/41708 , H01L29/0623 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/7397

9. 发明专利

JP2016529698A 双方向バイポーラトランジスタを有するシステム、回路、素子、及び方法有权
标题翻译：系统具有双向双极晶体管，电路，装置和方法
公开(公告)号：JP2016529698A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2016523865
申请日：2014-06-24
申请人：アイディールパワーインコーポレイテッド , アイディールパワーインコーポレイテッド
发明人：リチャードエー．ブランチャード , リチャードエー．ブランチャード , ウィリアムシー．アレクサンダー , ウィリアムシー．アレクサンダー
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/8222 , H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/737
CPC分类号： H02M3/158 , H01L27/0755 , H01L27/0823 , H01L27/0828 , H01L29/0619 , H01L29/0649 , H01L29/0804 , H01L29/0817 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/16 , H01L29/1604 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/73 , H01L29/732 , H01L29/7375 , H01L29/7393 , H01L29/7395 , H02M1/088 , H02M3/1582 , H02M7/797 , H02M11/00 , H03K3/012 , H03K17/60 , H03K17/66 , H03K17/687
摘要：スイッチングのために双方向バイポーラトランジスタ(BTRAN)を使用する、電力パケットスイッチング電力変換器に関する方法、システム、回路、及び素子。4端子3層BTRANは、ダイオード電圧降下未満の順方向電圧で、いずれかの方向に、実質的に同等な動作を提供する。BTRANは、高い非平衡キャリア濃度の条件下で動作し、電力パケットスイッチング電力変換器のための双方向スイッチとして使用されるときに驚くべき相乗効果を有し得る、完全対称型併合二重ベース双方向バイポーラ対向素子である。BTRANは、高キャリア濃度の状態に駆動され、オン状態電圧降下を非常に低くする。
摘要翻译：使用用于切换，一种用于电力包开关功率转换器，系统，电路和元件双向双极晶体管（BTRAN）。 4端子3层BTRAN是小于一个二极管电压降的正向电压，在任一方向，以提供基本上等同的操作。 BTRAN是更高的非平衡载流子浓度的条件下操作，协同作用可以具有完全对称的合并的双基既令人惊讶，因为用于电力包的双向开关的开关功率转换器中使用时逆流双极相对元件。 BTRAN被驱动到高载流子浓度，导通状态的电压降至非常低的状态。

10. 发明专利

JPWO2014061619A1 半導体装置有权
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JPWO2014061619A1
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：JP2014542125
申请日：2013-10-11
申请人：富士電機株式会社
发明人：勇一小野澤 , 勇一小野澤 , 高橋　英紀 , 英紀高橋 , 吉村　尚 , 尚吉村
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L29/0619 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/4916 , H01L29/66348 , H01L29/7811 , H01L29/7813
摘要：第1絶縁膜の内側に、第1トレンチ(21)の一方の側壁に沿って設けられるとともに、第2トレンチ(40)の内部に設けられた第1ゲート電極(22a)と、第2絶縁膜の内側に、第1トレンチ(21)の他方の側壁に沿って設けられるとともに、第3トレンチ(50)の内部に設けられたシールド電極(22b)と、第2トレンチ(40)が延長されることによって、一部が第1ゲート電極(22a)上に設けられ、第1ゲート電極(22a)と接続されたゲートランナーと、第3トレンチ(50)が延長されることによって、一部がシールド電極(22b)上に設けられ、シールド電極(22b)と接続されたエミッタポリシリコン層(25a)と、を備えることを特徴とする半導体装置により、わずかなプロセス工程数の増加で、コスト増加、良品率の低下を抑えながら、ターンオン特性を改善した。
摘要翻译：所述第一绝缘膜的内部，连同沿着所述第一沟槽（21），设置在所述第二沟槽（40）（22a）的内部的第一栅电极，第二绝缘膜的一个侧壁设置的内部，随着沿所述第一沟槽（21），第三沟槽（50）的内部设置一屏蔽电极的另一侧壁所提供的（22B），第二沟槽（40）延伸通过部分被设置在所述第一栅电极（22A），并且其被连接到第一栅极电极（22a）的一个栅极流道，由第三沟槽（50）延伸时，一个部分屏蔽所提供的电极（22b）上，连接到屏蔽电极（22B）和（25A）的发射极多晶硅层，一个半导体器件，其特征在于它包括一个，在处理步骤数目略有增加，成本增加，同时抑制成品率的降低和改进的导通特性。

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