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    • 21. 发明专利
    • 検査装置、および、検査方法
    • 检查装置和检查方法
    • JP2016050935A
    • 2016-04-11
    • JP2015152161
    • 2015-07-31
    • キヤノン株式会社
    • 窪田 央一尾内 敏彦
    • G01N21/21G01N21/85G01N21/3581
    • G01N21/3581G01N21/85G01N21/94G01N2021/1789G01N21/8851
    • 【課題】 テラヘルツ波を用いた検査装置において、被検体中の異物の検出の正確性を向上することを目的とする。 【解決手段】 被検体101中の異物を検出する検査装置102であって、被検体にテラヘルツ波を照射する照射部106と、複数の検出素子を用いて前記被検体を透過した又は前記被検体で反射したテラヘルツ波を検出する検出部109と、検出部の検出結果を用いて前記被検体の画像のデータを取得し、被検体中の異物を検出する処理部112と、を有し、処理部は、被検体上におけるテラヘルツ波の照射位置を変更しながら複数の前記被検体の画像のデータを取得し、前記複数の前記被検体の画像のデータと、複数の異物の画像のデータと、前記照射位置の移動速度に関する情報と、を用いて、前記移動速度と同期して移動し且つ前記複数の異物の画像のデータの少なくとも1つと類似する領域を検出する。 【選択図】 図1
    • 要解决的问题:提高使用太赫兹波的检查装置中的检测对象物检测异常的精度。解决方案:本发明是一种用于检测被检体101内的异物的检查装置102,该检查装置包括: 照射单元106,用于用太赫兹波照射测试对象; 检测单元109,用于通过使用多个检测元件来检测已经发送测试对象或被测试对象反射的太赫兹波; 以及处理单元112,用于使用检测单元的检测结果并检测测试对象中的异物来获取测试对象的图像数据。 处理单元在改变测试对象上的太赫兹波的照射位置的同时获取多个测试对象的图像数据,并且通过使用多个测试对象的图像数据,多个异物的图像数据 并且关于照射位置的移动速度的信息与移动速度同步地移动,并且检测类似于异物的多个图像数据中的至少一个的区域。图1
    • 25. 发明专利
    • 光伝導アンテナ、カメラ、イメージング装置、および計測装置
    • 光电天线,摄像机,成像装置和测量装置
    • JP2015159176A
    • 2015-09-03
    • JP2014032798
    • 2014-02-24
    • セイコーエプソン株式会社
    • 竹中 敏
    • H01Q9/16H01Q1/38H01Q1/24G01N21/3581H01S1/02
    • G01N21/3581
    • 【課題】従来よりも、キャリア移動度を高め、強度の大きなテラヘルツ波を発生することができる光伝導アンテナを提供する。 【解決手段】本発明に係る光伝導アンテナ100は、光パルスPが照射されてテラヘルツ波Tを発生する光伝導アンテナ100であって、光パルスPが照射されてキャリアを形成し、かつ半絶縁性基板によって構成されているキャリア発生層10と、キャリア発生層10上に位置し、光パルスPを透過可能な絶縁層40と、キャリア発生層10の上方に位置し、キャリア発生層10に電圧を印加する第1電極20および第2電極30と、を含み、絶縁層40は、平面視において、第1電極20と第2電極30との間の光パルスPが照射される領域12に設けられている。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种能够产生更大强度的太赫兹波的光电导天线,通过比常规提高载流子迁移率。解决方案:用光脉冲P照射以产生太赫兹波T的光电导天线100包括载波产生层 10,其被光脉冲P照射以形成载体,并且由半绝缘基板,位于载体产生层10上的能够传输光脉冲P的绝缘层40和第一电极20和 第二电极30位于载体产生层10上并向其施加电压。 在平面图中,绝缘层40设置在第一电极20和第二电极30之间的区域12中,用光脉冲P照射。
    • 28. 发明专利
    • 半導体装置、及びその製造方法
    • 半导体器件及其制造方法
    • JP2015144248A
    • 2015-08-06
    • JP2014245236
    • 2014-12-03
    • キヤノン株式会社
    • 関口 亮太尾内 敏彦
    • H01L21/329H01L29/47H01L29/872H01L21/8234H01L27/06H01L21/822H01L27/04H01L27/146
    • H01L31/1123G01J1/44H01L27/0629H01L27/1463H01L27/14649H01L27/14689H01L29/66143H01L29/872H01L31/1085H01L31/1804G01J2001/4446G01N21/3581Y02E10/547Y02P70/521
    • 【課題】 CMOS−コンパチブルで、且つ、ショットキー障壁の特性を設計可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体装置は、シリコン基板111と、シリコン基板上に配置されている検出素子101、p型MOSトランジスタ102及びn型MOSトランジスタ103と、を有し、検出素子は、半導体層112と電極113、114とを有し、半導体層と電極との間にショットキー障壁が形成されており、半導体層は、(i)p型MOSトランジスタの不純物拡散層と組成及び高さが等しい層の直上、又は、(ii)n型MOSトランジスタの不純物拡散層と組成及び高さが等しい層の直上、又は、(iii)p型MOSトランジスタ又はn型MOSトランジスタのゲート酸化膜の直下のチャネル領域と組成及び高さが等しい領域の直上、又は、(iv)フィールド酸化膜の直下のシリコン基板中の領域と組成及び高さが等しい領域の直上に配置されている。 【選択図】 図5
    • 要解决的问题:提供CMOS兼容的半导体器件,并且能够设计肖特基势垒的特性。解决方案:一种半导体器件包括:硅衬底111; 设置在硅基板上的检测元件101; p型MOS晶体管102; 和n型MOS晶体管103.检测元件具有半导体层112和一对电极113和114; 在半导体层和每个电极之间形成肖特基势垒。 半导体层设置在(i)与组成和高度的p型MOS晶体管的杂质扩散层相同的层的正上方,(ii)与组成中的n型MOS晶体管的杂质扩散层相同的层 和高度,(iii)与p型或n型MOS晶体管的栅极氧化膜正下方的沟道区域的组成和高度相同的区域,或(iv)与硅衬底右侧的区域相同的区域 低于组成和高度的场氧化膜。
    • 30. 发明专利
    • 包装体の検査装置
    • 包装检查装置
    • JP5720028B1
    • 2015-05-20
    • JP2014540243
    • 2013-10-03
    • 株式会社 システムスクエア
    • 鈴木 敦士池田 倫秋
    • G01N21/3581G01N23/04
    • G01V5/0016G01N21/3581G01V11/00G01V8/10
    • 【課題】 電磁波検知部が光学検知用の照明光の影響を受けにくい構造の包装体の検査装置を提供する。 【解決手段】 包装体を移送する移動機構6の間隙部6cの下側に、包装体を透過したX線を検知するX線センサ13と、間隙部6cに照明光を与える照明部16が設けられている。X線センサ13と照明部16は隔壁42で区画されている。X線センサ13へのX線の入射経路に遮光部材43が設けられている。遮光部材43は、カーボンシートのように、X線を透過して照明光を透過せず、且つX線の照射による劣化が生じにくい素材で形成されている。 【選択図】図3
    • 电磁波检测单元,以提供封装受用于光学检测的照明光硬结构的测试装置。 移动机构6的用于传送包的间隙部6c,和用于检测通过封装发射的X射线的X射线传感器13的下方A中,照明单元16提供照明光的间隙部6c设置 是的。 X射线传感器13和照明单元16由分隔壁42隔开。 屏蔽X射线的入射路径上部件43被设置成在X射线传感器13。 由于X射线的照射遮蔽构件43,从而使碳片,不发送降解通过X射线透射照明光,并形成在发生硬质材料。 点域