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21. 发明专利

JP2011519480A Etching composition, in particular etching composition for silicon material that received with or stress distortion, a method of determining characteristics of defects on such substrates, and processes that handle such surfaces with an etching composition 有权
公开(公告)号：JP2011519480A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：JP2011505436
申请日：2009-04-24
申请人：エス.オー.アイ.テックシリコンオンインシュレータテクノロジーズ
发明人：アバディアレクサンドラ , コルベセンベルント , メウリスヨッヘン
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/306 , H01L21/66
CPC分类号： G01N1/32 , C09K13/04 , C09K13/08 , H01L21/67063
摘要：本発明は、応力の加わったシリコン表面のみならず、歪んだシリコン−オン−インシュレーターを含む、多様なシリコン含有表面の処理に適したクロム不含エッチング組成物を提供する。
本発明による新規、かつ独創性あるエッチング組成物は、フッ化水素酸、硝酸、酢酸及びアルカリヨウ化合物、好ましくはヨウ化カリウムを含む。

22. 发明专利

JP4549655B2 Functional paint 有权
公开(公告)号：JP4549655B2
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：JP2003388424
申请日：2003-11-18
申请人：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung
发明人：アルミン・クーベルベック , ヴェルナー・シュトックム , シルケ・クライン , 旬中野渡 , 清彦河本 , 克巳谷野
IPC分类号： B05D7/24 , C09D5/24 , C09D7/12 , C09D161/10 , C09D163/00 , C09D201/00 , C09K13/08 , H01B1/22 , H01L31/0224 , H01L31/04 , H05K1/09
CPC分类号： C09K13/08 , H01L31/022425 , H05K1/095 , H05K1/097 , Y02E10/50
摘要： To provide functional paste with etching activity and good electrical properties. Functional paste comprising a metal powder, an etching agent, a binder and an organic solvent.

24. 发明专利

JP2009542000A How to use the dry non-plasma processing system and the system 有权
公开(公告)号：JP2009542000A
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：JP2009516607
申请日：2007-04-26
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：ケント，マーティン , ジェイストラング，エリック
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： B05B12/12 , B05B12/04 , B05B13/02 , C01B7/191 , C09K13/08 , C23F1/02 , C23F1/12 , H01L21/02049 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/30621 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/68742
摘要：酸化物材料を除去するための乾式非プラズマ処理システム及び方法が記載されている。当該処理システムは、1枚以上の基板に化学処理を供するように備えられている。各基板は、表面温度及びガス圧力を含む条件が制御された状態で、HF及び任意でNH
3 を含む気体化学物質に曝露される。さらに当該処理システムは、各基板に熱処理を供するように備えられている。各基板は、該基板の化学処理された表面が除去されるように熱処理される。

25. 发明专利

JP4160562B2 Fluorinated surfactants for buffered acid etching solution 有权
公开(公告)号：JP4160562B2
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：JP2004551464
申请日：2003-09-11
申请人：スリーエムイノベイティブプロパティズカンパニー
发明人：エム．サブ，パトリシア , エム．フリン，リチャード , ジェイ．ペアレント，マイケル
IPC分类号： C09K13/08 , C09K13/04 , H01L21/308 , H01L21/311
CPC分类号： H01L21/31111 , C09K13/08

26. 发明专利

JP2008172193A Etchant composition for preventing leaning of capacitor and method of manufacturing capacitor using the same 有权
标题翻译：用于防止电容器的吸收的蚀刻组合物和使用其的制造电容器的方法
公开(公告)号：JP2008172193A
公开(公告)日：2008-07-24
申请号：JP2007234149
申请日：2007-09-10
申请人： Hynix Semiconductor Inc , 株式会社ハイニックスセミコンダクターHynix Semiconductor Inc.
发明人： LEE GEUN SU
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： C09K13/08 , H01L27/10852 , H01L28/91
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition for wet etching capable of effectively preventing a leaning phenomenon between lower electrodes which comes out when a capacitor of a cylinder type is manufactured, and also to provide a method of manufacturing a capacitor using the composition.
SOLUTION: In the present invention, because a leaning phenomenon of a capacitor can be effectively inhibited when the capacitor is formed using an etchant composition containing hydrofluoric acid (HF), ammonium fluoride (NH
4 F), an alkyl ammonium fluoride (RNH
3 F; where R is a linear or branched alkyl radical of carbon number C
1 to C
10 ), a surfactant, an alcohol compound, and water, it is possible to surely reserve a height of the storage node of a capacitor, thereby enabling a capacitor having an improved static capacity to be manufactured, and thus processes can be stabilized in devices currently under development, of course, and even in future development of devices.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于湿蚀刻的组合物，其能够有效地防止当制造圆柱型电容器时出现的下电极之间的倾斜现象，并且还提供一种使用该方法制造电容器的方法组成。解决方案：在本发明中，由于当使用含有氢氟酸（HF）的蚀刻剂组合物形成电容器时，可以有效地抑制电容器的倾斜现象，因此氟化铵（NH 4 SBB ），烷基氟化铵（RNH SB 3 F;其中R是碳数为C 1 至C 10 SBB的直链或支链烷基），表面活性剂，醇化合物和水，可以可靠地保留电容器的存储节点的高度，从而能够制造具有改善的静电容量的电容器，并且因此可以使处理在目前的器件下稳定当然，甚至在未来的开发设备中也是如此。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

27. 发明专利

JP2008118138A Method of featuring defect on silicon surface, etching composite for silicon surface and process of treating silicon surface by etching composite 有权
标题翻译：硅表面缺陷的特征，硅表面复合物的蚀刻方法及蚀刻复合材料处理硅表面的方法
公开(公告)号：JP2008118138A
公开(公告)日：2008-05-22
申请号：JP2007283930
申请日：2007-10-31
申请人： Soitec Silicon On Insulator Technologies , エス.オー.アイ.テックシリコンオンインシュレータテクノロジーズ
发明人： ABBADIE ALEXANDRA , MAEHLISS JOCHEN , KOLBESEN BERND
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/66
CPC分类号： C09K13/08 , G01N2033/0095
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of featuring defects on a silicon surface, particularly a silicon wafer, a method of treating a silicon surface by an etchant, and the etchant employed for the method of treating the silicon surface.
SOLUTION: The method of treating a silicon surface performs treatment by an etchant containing HF, HNO
3 , an acetic acid, alkali bromide and alkali bromate. The alkali bromide and the alkali bromate are particularly sodium bromide and sodium bromate, respectively, HF/HNO
3 ranges from 1:1 to 1:15 in molar ratio, a bromide and a bromate exist at 5:1 in molar ratio, and an HF/acetic acid ranges from 1:5 to 1:15 in molar ratio.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供在硅表面，特别是硅晶片上具有缺陷的方法，通过蚀刻剂处理硅表面的方法和用于处理硅表面的方法的蚀刻剂。解决方案：处理硅表面的方法通过含有HF，HNO 3 SBB，乙酸，碱金属溴化物和碱性溴酸盐的蚀刻剂进行处理。碱金属溴化物和碱性溴酸盐特别是溴化钠和溴酸钠，HF / HNO 3 SBB的摩尔比分别为1:1到1:15，溴化物和溴酸盐存在于5： 1摩尔比，HF /乙酸的摩尔比为1:5至1:15。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

28. 发明专利

JP2007005790A Etchant, method for forming wiring using this, and method for manufacturing thin film transistor substrate 有权
标题翻译：蚀刻剂，使用该方法形成布线的方法以及制造薄膜晶体管基板的方法
公开(公告)号：JP2007005790A
公开(公告)日：2007-01-11
申请号：JP2006163441
申请日：2006-06-13
申请人： Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人： BOKU KOSHOKU , KIM SHI-YUL , CHOUNG JONG-HYUN , SHIN WON-SUK
IPC分类号： H01L21/308 , C23F1/16 , G02F1/1368 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/32134 , C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L27/1288
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an etchant for molybdenum/copper/molybdenum nitride multiple film wiring. SOLUTION: The etchant for molybdenum/copper/molybdenum nitride multiple film wiring includes hydrogen peroxide of 10 to 20 weight%, organic acid of 1 to 5 weight%, triazole base compound of 0.1 to 1 weight%, fluorine compound of 0.01 to 0.5 weight%, and ultrapure warter for the rest. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为钼/铜/氮化钼多层膜布线提供蚀刻剂。解决方案：钼/铜/氮化钼多层膜布线的蚀刻剂包括10至20重量％的过氧化氢，1至5重量％的有机酸，0.1至1重量％的三唑碱化合物，0.01 至0.5重量％，其余为超纯整流器。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

29. 发明专利

JP2006140471A Etching solution to remove dielectric film with low permittivity, and etching method of the film using the solution 审中-公开
标题翻译：蚀刻解决方案去除低电容的电介质膜，以及使用溶液的电影的蚀刻方法
公开(公告)号：JP2006140471A
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：JP2005316913
申请日：2005-10-31
申请人： Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人： KIN BIEI , LEE HYO-SAN , KO IKUZEN , OH JUN-HWAN , LEE SANG-MIN
IPC分类号： H01L21/306 , C23F1/24
CPC分类号： C09K13/08 , H01L21/31111
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an etching solution to remove a dielectric film with a low permittivity, and the etching method of the film using the solution.
SOLUTION: The etching solution to etch the dielectric film having a low permittivity contains an oxidizing agent to oxidize the dielectric film having a low permittivity and an oxide-etching agent to remove the oxide. Use of the etching solution allows to remove a dielectric film having a low permittivity simply in one process.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

30. 发明专利

JP2006505667A Fluorinated surfactants for buffered acid etching solution 有权
公开(公告)号：JP2006505667A
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：JP2004551464
申请日：2003-09-11
申请人：スリーエムイノベイティブプロパティズカンパニー
发明人：エム．サブ，パトリシア , エム．フリン，リチャード , ジェイ．ペアレント，マイケル
IPC分类号： C09K13/04 , C09K13/06 , C09K13/08 , H01L21/308 , H01L21/311
CPC分类号： H01L21/31111 , C09K13/08
摘要：本発明は、ある種のフッ素化界面活性剤と、水性緩衝酸エッチング溶液のような酸エッチング溶液におけるそれらの使用を目的とする。このエッチング溶液は、幅広く各種の基板、たとえばシリコン酸化物含有基板のエッチングに使用される。

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