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    • 22. 发明专利
    • 硫化物固体電解質
    • JPWO2018047565A1
    • 2019-07-11
    • JP2017028782
    • 2017-08-08
    • 出光興産株式会社
    • 寺井 恒太宇都野 太梅木 孝中川 將山口 展史
    • H01B1/06H01M10/0562H01M10/052H01M4/62H01B1/10
    • リチウムと、リンと、硫黄と、ハロゲン元素から選択される2種以上の元素Xと、を含み、アルジロダイト型結晶構造を含み、硫黄のリンに対するモル比b(S/P)及び元素Xのリンに対するモル比c(X/P)が、下記式(1)を満たす硫化物固体電解質。 0.23




      (81)指定国 AP(BW,GH,GM,KE,LR,LS,MW,MZ,NA,RW,SD,SL,ST,SZ,TZ,UG,ZM,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,RU,T J,TM),EP(AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,R O,RS,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GQ,GW,KM,ML,MR,NE,SN,TD,TG),AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ, BA,BB,BG,BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,CZ,DE,DJ,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM,G T,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IR,IS,JO,JP,KE,KG,KH,KN,KP,KR,KW,KZ,LA,LC,LK,LR,LS,LU,LY,MA,MD,ME,MG,MK,MN,MW,MX ,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,OM,PA,PE,PG,PH,PL,PT,QA,RO,RS,RU,RW,SA,SC,SD,SE,SG,SK,SL,SM,ST,SV,SY,TH,TJ,TM, TN,TR,TT Fターム(参考) 5G301 CA05 CA08 CA16 CA19 CD01 CE02 5H029 AJ06 AK01 AK02 AK05 AK11 AK15 AL02 AL06 AL07 AL08 AL11 AM11 DJ08 DJ09 HJ02 HJ13 5H050 AA12 BA17 CA01 CA02 CA07 CA08 CA09 CA11 CA17 CA19 CB03 CB07 CB08 CB09 CB11 DA09 DA13 HA02 HA13 (注)この公表は、国際事務局(WIPO)により国際公開された公報を基に作成したものである。なおこの公表に 係る日本語特許出願(日本語実用新案登録出願)の国際公開の効果は、特許法第184条の10第1項(実用新案法 第48条の13第2項)により生ずるものであり、本掲載とは関係ありません。
    • 26. 发明专利
    • 酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット
    • 氧化物烧结体和溅射目标
    • JP2015189631A
    • 2015-11-02
    • JP2014068283
    • 2014-03-28
    • 出光興産株式会社
    • 宇都野 太寺井 恒太
    • C23C14/34C01G15/00H01L29/786C04B35/00
    • 【課題】安定したスパッタリングができるIn−Ga−Zn酸化物焼結体を提供する。 【解決手段】In 2 O 3 相と、InGaZn m O 3+m (mは、0.5又は1以上の整数)で表されるホモロガス相を含有し、上記In 2 O 3 相が、Hf、Zr、Ti、Y、Ge、Ta、Nb及びランタノイド元素からなる群より選択される1以上の元素Xを含有し、長さ10μm以上の双晶割れの個数が40×25μm四方の視野中に1個以下であり、相対密度が95%以上であり、上記In 2 O 3 相及びホモロガス相の平均粒子径が、10μm以下であることを特徴とする酸化物焼結体。 【選択図】なし
    • 要解决的问题:提供允许稳定溅射的In-Ga-Zn氧化物烧结体。解决方案:氧化物烧结体包含InO相和式InGaZnO的同相相(m为0.5或整数1以上),以及 InOphase包含从Hf,Zr,Ti,Y,Ge,Ta,Nb和镧系元素中选择的一种或多种元素X,并且在40×25μm中具有一个或更少的10μm或更长的双晶裂纹 视野和相对密度为95%以上,InO相和同源相的平均粒径为10μm以下。