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1. 发明专利

JP6945382B2 硫化物固体電解質有权
公开(公告)号：JP6945382B2
公开(公告)日：2021-10-06
申请号：JP2017153602
申请日：2017-08-08
申请人：出光興産株式会社
发明人：宇都野太 , 寺井恒太
IPC分类号： H01M4/13 , H01M10/0562 , H01M10/052 , H01M6/18 , H01B1/06 , H01B1/10 , H01M4/62

2. 发明专利

JP6934042B2 硫化物固体電解質粒子有权
公开(公告)号：JP6934042B2
公开(公告)日：2021-09-08
申请号：JP2019504667
申请日：2018-03-08
申请人：出光興産株式会社
发明人：宇都野太 , 津野利章 , 寺井恒太 , 金原弘成 , 佐藤淳
IPC分类号： H01M10/052 , H01M4/13 , H01M4/62 , H01B1/06 , H01B1/10 , H01B13/00 , C01B25/14 , H01M10/0562

3. 发明专利

JP2020075855A アルジロダイト型結晶構造を含む固体電解質の改質方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020075855A
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：JP2019199545
申请日：2019-11-01
申请人：出光興産株式会社
发明人：佐藤淳 , 寺井恒太 , 宇都野太 , 小鹿博道
IPC分类号： H01B13/00 , C01B25/14
摘要：【課題】室温における硫化水素の発生量を低減することのできる、アルジロダイト型固体電解質の改質方法を提供する。【解決手段】アルジロダイト型結晶構造を含む固体電解質を、露点が−60℃以上−20℃以下の気体に、100℃超200℃以下の温度で曝露することを含む、固体電解質の改質方法。【選択図】なし

4. 发明专利

JP2017199631A 硫化物固体電解質、電極合材及びリチウムイオン電池审中-公开
公开(公告)号：JP2017199631A
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：JP2016091673
申请日：2016-04-28
申请人：出光興産株式会社
发明人：寺井恒太 , 梅木孝
IPC分类号： H01M10/052 , H01M4/13 , H01M4/62 , H01B1/06 , H01M10/0562
摘要：【課題】特殊な製造条件によらずにアルジロダイト構造が発現する硫化物固体電解質を提供する。【解決手段】リチウム、リン、硫黄及びハロゲンを含み、粉末X線回折(CuKα:λ=1.5418Å)において、少なくとも2θ=15.2±0.5deg、及び2θ=17.6±0.5degに回折ピークを有し、下記式(1)を満たす、硫化物固体電解質。 0.6≦S a /S b ≦1.0・・・(1) (式中、S a は前記2θ=15.2±0.5degにある回折ピークの面積であり、S b は前記2θ=17.6±0.5degにある回折ピークの面積である。) 【選択図】なし

5. 发明专利

JP2021122029A 硫化物固体電解質审中-公开
公开(公告)号：JP2021122029A
公开(公告)日：2021-08-26
申请号：JP2021086831
申请日：2021-05-24
申请人：出光興産株式会社
发明人：宇都野太 , 寺井恒太 , 梅木孝 , 中川將 , 山口展史
IPC分类号： H01M4/62 , H01M4/13 , H01B1/06 , H01B1/10 , H01M10/0562
摘要：【課題】より高いイオン伝導度を有する、新規な硫化物固体電解質を提供する。【解決手段】固体 31 P−NMR測定において、81.5〜82.5ppm、83.2〜84.7ppm、85.2〜86.7ppm及び87.2〜89.4ppmのそれぞれにピークを有し、78〜92ppmにある全ピークの合計面積に対する81.5〜82.5ppmにあるピークと83.2〜84.7ppmにあるピークの面積の和の比率が60%以上である、硫化物固体電解質。【選択図】なし

6. 发明专利

JPWO2019003986A1 硫化物固体電解質审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019003986A1
公开(公告)日：2020-04-30
申请号：JP2018023142
申请日：2018-06-18
申请人：出光興産株式会社
发明人：佐藤淳 , 寺井恒太 , 宇都野太
IPC分类号： H01B1/06 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M4/62 , H01B1/10
摘要：下記(A)及び(B)を含む、硫化物固体電解質。(A)アルジロダイト型結晶構造を有する硫化物固体電解質:(B)上記(A)とは異なる結晶構造を有する硫化物固体電解質

7. 发明专利

JP6679730B2 硫化物固体電解質有权
公开(公告)号：JP6679730B2
公开(公告)日：2020-04-15
申请号：JP2018533517
申请日：2017-08-08
申请人：出光興産株式会社
发明人：宇都野太 , 寺井恒太
IPC分类号： H01B1/10 , H01M10/0562 , H01M10/052 , H01M4/62 , H01B1/06

8. 发明专利

JP6231924B2 酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット有权
公开(公告)号：JP6231924B2
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：JP2014068284
申请日：2014-03-28
申请人：出光興産株式会社
发明人：宇都野太 , 寺井恒太
IPC分类号： C23C14/34 , H01L21/363 , C04B35/01

9. 发明专利

JP2016029719A 薄膜トランジスタ审中-公开
标题翻译：薄膜晶体管
公开(公告)号：JP2016029719A
公开(公告)日：2016-03-03
申请号：JP2015141323
申请日：2015-07-15
申请人：出光興産株式会社
发明人：霍間勇輝 , 江端一晃 , 石原悠 , 寺井恒太 , 矢野公規
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
摘要：【課題】移動度が高く、かつターンオン電圧の制御性が良好な薄膜トランジスタを提供すること。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ1は、基板10と、ゲート電極20と、ゲート絶縁膜30と、閾値制御層40と、活性層50と、ソース電極60と、ドレイン電極70とを有し、ソース電極60とドレイン電極70の間に、閾値制御層40および少なくとも1つ以上の活性層50が電気的に接続しており、閾値制御層40および活性層50はゲート絶縁膜30に接し、ゲート絶縁膜30に対して垂直方向に隔てられた同電位に接続された共通のゲート電極20を有することを特徴とするものである。【選択図】図1
摘要翻译：本发明的薄膜晶体管1包括：基板10，栅极电极20，栅极电极;栅极电极绝缘膜30，阈值控制层40，有源层50，源电极60和漏电极70.阈值控制层40和至少一个有源层50电连接在源电极60和漏极电极70.阈值控制层40和有源层50与栅极绝缘膜30接触并且使公共栅极电极20相对于栅极绝缘膜30在垂直方向上分离并且以相同的电势连接。图：图1

10. 发明专利

JP2015214437A 酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット审中-公开
标题翻译：氧化物烧结体和溅射目标
公开(公告)号：JP2015214437A
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：JP2014097089
申请日：2014-05-08
申请人：出光興産株式会社
发明人：宇都野太 , 寺井恒太
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/457 , C04B35/00
摘要：【課題】スパッタリング時のアーキングを抑制し、割れの少ないIn−Sn−Zn酸化物系焼結体を提供する。【解決手段】In、Sn及びZnの各元素を含み、HfO 2 相又はZrO 2 相の少なくとも一方を有し、HfO 2 相及びZrO 2 相の平均粒子径が10μm以下であることを特徴とする酸化物焼結体。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种In-Sn-Zn氧化物基烧结体，其在溅射期间被抑制为非溅射并且减少了裂纹。解决方案：包含In，Sn和Zn的氧化物烧结体包括至少一种 HfO相和ZrO相，并且具有HfO相和ZrO相的平均粒径为10μm以下。

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