专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明专利

JP6717470B2 ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6717470B2
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：JP2016131468
申请日：2016-07-01
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 株式会社デンソー , 国立大学法人金沢大学
发明人：加藤宙光 , 小倉政彦 , 牧野俊晴 , 竹内大輔 , 山崎聡 , 小山和博 , 松本翼 , 徳田規夫 , 猪熊孝夫
IPC分类号： H01L29/78 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L21/283 , H01L21/336

22. 发明专利

JP6341477B2 ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6341477B2
公开(公告)日：2018-06-13
申请号：JP2013257402
申请日：2013-12-12
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 国立大学法人金沢大学
发明人：松本翼 , 加藤宙光 , 牧野俊晴 , 竹内大輔 , 小倉政彦 , 山崎聡 , 徳田規夫
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/43

23. 发明专利

JP6236609B2 光子出力装置、及び光子出力方法有权
公开(公告)号：JP6236609B2
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：JP2013526825
申请日：2012-07-24
申请人：国立大学法人京都大学 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：水落憲和 , 山崎聡 , 牧野俊晴 , 加藤宙光 , 竹内大輔 , 小倉政彦
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/205 , H01L33/34
CPC分类号： H01L33/34 , H01L33/0054 , H01L33/58

24. 发明专利

JP6179959B2 白色発光素子有权
公开(公告)号：JP6179959B2
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：JP2015505615
申请日：2014-03-17
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：牧野俊晴 , 山崎聡 , 大串秀世 , 小倉政彦 , 加藤宙光 , 竹内大輔
IPC分类号： H01L33/34 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/343 , H01L33/34 , H01L33/50 , H01L33/508

25. 发明专利

JP2016171246A 熱電子発電素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译： THERMIONIC发电元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016171246A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015051168
申请日：2015-03-13
申请人：株式会社デンソー , 国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 学校法人東京理科大学
发明人：片岡光浩 , 木村裕治 , 祖父江進 , 森岡直也 , 山崎聡 , 竹内大輔 , 加藤宙光 , 渡辺一之
IPC分类号： H02N11/00 , H01J45/00 , H01L37/00
CPC分类号： H01J45/00 , H01L37/00 , H02N3/00
摘要：【課題】発電効率が高い熱電子発電素子を提供する。【解決手段】熱電子発電素子1は、熱電子を発生させるエミッタ2と、熱電子を収集するコレクタ3とを有する。エミッタ2は、電気伝導性を有するエミッタ基板21と、エミッタ基板21に積層された第1層22と、第1層22に積層された第2層23と、第2層23の最表面に形成された終端層24とを有している。第1層22はPをドナーとして含有するn型ダイヤモンド半導体より構成されている。第2層23はNをドナーとして含有するn型ダイヤモンド半導体より構成されており、40nm以下の膜厚を有する。終端層24はアルカリ金属元素及びMgからなる群より選ばれる1種または2種以上の特定金属元素Mを含んでいる。コレクタ3は、電気伝導性を有するコレクタ基板31を少なくとも有し、エミッタ2に対面して間隙dを介して配置されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高发电效率的热电子发电元件。解决方案：热电子发电元件1包括：用于产生热量的发射极2; 以及用于收集热量的收集器3。发射极2包括：具有导电性的发射极基板21; 堆叠在发射极基板21上的第一层22; 堆叠在第一层22上的第二层23; 以及形成在第二层23的最外表面上的终止层24.第一层22由包括P作为供体的n型金刚石半导体制成。第二层23由包括N作为供体并且具有等于或小于40nm的膜厚度的n型金刚石半导体制成。端接层24包括选自由碱金属元素和Mg构成的组中的一种或两种以上的特定金属元素M. 收集器3至少包括具有导电性的集电器基板31，并且经过间隔d设置成与发射体2相对。图1

26. 发明专利

JP2016103651A ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法有权
标题翻译：金刚石半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016103651A
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：JP2015253889
申请日：2015-12-25
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 国立大学法人東京工業大学
发明人：加藤宙光 , 牧野俊晴 , 小倉政彦 , 竹内大輔 , 山崎聡 , 波多野睦子 , 岩崎孝之
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L27/098 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/337
摘要：【課題】デバイス設計の自由度を大幅に高めるとともに、効率的に製造可能なダイヤモンド半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド基板1と、ダイヤモンド基板1の{001}の結晶面を有する基板面上に略垂直に隆起して配されるダイヤモンド段差部と、n型のリンドープダイヤモンド領域5a、5bと、ダイヤモンド絶縁領域6a、6bと、を有す。ダイヤモンド段差部は、側面が{110}の結晶面を有する第1段差部3と、側面が{100}の結晶面を有する第2段差部4a、4bとが一体に形成され、リンドープダイヤモンド領域5a,5bは、第1段差部3の段差形状の底角を起点に第1段差部3の側面及びダイヤモンド基板1の基板面を成長基面として結晶成長させて形成され、ダイヤモンド絶縁領域6a、6bは、第2段差部4a、4bの側面及びダイヤモンド基板1の基板面を成長基面として結晶成長させて形成される。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供能够显着提高器件设计自由度和有效制造的金刚石半导体器件，并提供其制造方法。解决方案：一种金刚石半导体器件，包括：金刚石衬底1 ; 在金刚石基板1的具有{001}晶面的基板表面上基本上垂直地突出并布置的金刚石阶梯部分; n型磷掺杂金刚石区域5a和5b; 和金刚石绝缘区域6a和6b。在金刚石阶梯部分中，其一侧具有{110}晶面的第一台阶部分3和其侧面具有{100}晶面的第二台阶部分4a和4b一体形成。掺杂荧光体的金刚石区域5a和5b通过使用第一台阶部分3的阶梯状底角作为起始点并使用第一台阶部分3的侧面和钻石的基板表面进行晶体生长而形成底物1作为生长基底表面。金刚石绝缘区域6a和6b通过使用第二台阶部分4a和4b的侧面和金刚石基板1的基板表面作为生长基底表面进行晶体生长而形成。图3

27. 发明专利

JP2021187700A ダイヤモンドの加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021187700A
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：JP2020093193
申请日：2020-05-28
申请人：国立大学法人金沢大学 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：徳田規夫 , 猪熊孝夫 , 松本翼 , 莨谷平 , 長井雅嗣 , 中村勇斗 , 坂内和斗 , 牧野俊晴 , 加藤宙光 , 山崎聡
IPC分类号： C01B32/28 , C30B29/04
摘要：【課題】加工精度が高く、低コスト化が可能なインプリントによるダイヤモンドの加工方法の提供。【解決手段】表面が所定の構造に形成された炭素固溶性基材をダイヤモンドの表面に接触させた状態で加熱することで、前記ダイヤモンドの表面に前記炭素固溶性基材の表面構造が転写成形されることを特徴とする。炭素固溶性基材としては、ニッケル、鉄、コバルト、チタン、クロム、銅及びそれらの酸化物又は合金等が例として挙げられる。加熱は、基材の炭化を抑えるために不活性ガス又は真空下において行うのが好ましい。【選択図】図1

28. 发明专利

JP2018006572A ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018006572A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2016131468
申请日：2016-07-01
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 株式会社デンソー , 国立大学法人金沢大学
发明人：加藤宙光 , 小倉政彦 , 牧野俊晴 , 竹内大輔 , 山崎聡 , 小山和博 , 松本翼 , 徳田規夫 , 猪熊孝夫
IPC分类号： H01L29/78 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L21/283 , H01L21/336
摘要：【課題】動作特性がノーマリーオフの平面型MOSFET動作が可能なダイヤモンド半導体装置を提供すること。【解決手段】本発明のダイヤモンド半導体装置10は、ダイヤモンド基板1上に配され、{111}面が形成される第1導電型ダイヤモンド半導体層2と、第1導電型ダイヤモンド半導体層2の{111}面が形成される面上に配される導電型が第1導電型ダイヤモンド半導体層2と異なる第2ダイヤモンド半導体層で形成されるソース領域3a及びドレイン領域3bと、全体又は一部が第1導電型ダイヤモンド半導体層2の{111}面上に配され、かつ、上面視で少なくともソース領域3aとドレイン領域3bとの間に配されるゲート絶縁膜4と、ソース領域3a上に配されるソース電極5aと、ドレイン領域3b上に配されるドレイン電極5bと、ゲート絶縁膜4上に配されるゲート電極5cと、を有することを特徴とする。【選択図】図1

29. 发明专利

JP6202304B2 アーク発生防止装置有权
公开(公告)号：JP6202304B2
公开(公告)日：2017-09-27
申请号：JP2013121009
申请日：2013-06-07
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：竹内大輔 , 山崎聡 , 大橋弘通
IPC分类号： H01H33/66 , H01H33/666 , H01H33/664 , H01H33/59

30. 发明专利

JP5948578B2 ダイヤモンドの表面処理方法有权
标题翻译：金刚石的表面处理方法
公开(公告)号：JP5948578B2
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：JP2012032198
申请日：2012-02-16
申请人：国立大学法人金沢大学 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：徳田規夫 , 猪熊孝夫 , 福井真 , 神谷昇吾 , 山崎聡 , 竹内大輔 , 牧野俊晴
IPC分类号： C30B33/12 , C30B29/04

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式