专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明专利

JP2015126027A 半導体装置及び半導体装置の製造方法有权
标题翻译：半导体器件及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015126027A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：JP2013267788
申请日：2013-12-25
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：小野木淳士 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/06 , H01L21/316 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/408 , H01L21/324 , H01L29/06 , H01L29/0623 , H01L29/12 , H01L29/1608 , H01L29/66734 , H01L29/78 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02271
摘要：【課題】トレンチ内の絶縁層にクラックやボイドが生じることを抑制することができる技術を開示する。【解決手段】本明細書で開示する半導体装置100は、素子領域110と、素子領域110を取り囲む終端領域120が形成されている半導体基板10を有する。素子領域110は、ゲートトレンチ20と、ゲートトレンチ20の内面を覆うゲート絶縁膜22と、ゲート絶縁膜22の内側に設けられているゲート電極24と、を有している。終端領域120は、素子領域110の周囲に配置されている終端トレンチ30と、終端トレンチ30の内面を覆う第1の絶縁層32bと、第1の絶縁層32bの内側に形成され、終端トレンチ30内に充填される第2の絶縁層34bと、を有している。第1の絶縁層32bの屈折率は、第2の絶縁層34bの屈折率よりも大きい。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供能够抑制沟槽中的绝缘层中的裂纹和空隙的产生的技术。解决方案：半导体器件100包括元件区域110和半导体衬底10，其中端接区域120 围绕元件区域110形成。元件区域110包括栅极沟槽20，覆盖栅极沟槽20的内表面的栅极绝缘膜22和布置在栅极绝缘膜22内部的栅电极24.端接区120包括端子槽30 元件区域110，覆盖终端沟槽30的内表面的第一绝缘层32b和形成在第一绝缘层32b内部并填充在端接沟槽30内的第二绝缘层34b。第一绝缘层32b具有较高的折射率比第二绝缘层34b。

22. 发明专利

JP2018173350A 温度検出装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018173350A
公开(公告)日：2018-11-08
申请号：JP2017071838
申请日：2017-03-31
申请人：株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所
发明人：宮原真一朗 , 杉本雅裕 , 渡辺行彦
IPC分类号： G01K7/01
摘要：【課題】温度係数の合わせ込みを高い自由度で行うことができる温度検出装置を提供する。【解決手段】温度検出装置3を異なる段数のPNダイオードによって構成された第1ダイオード部4と第2ダイオード部5を並列接続することで構成する。これにより、温度検出装置3の温度係数[mV/℃]を、第1ダイオード部4を構成するPNダイオードの段数と、第2ダイオード部5を構成するPNダイオードの段数の間の段数に相当する値に合わせ込むことが可能となる。したがって、温度検出装置3を単に複数段のPNダイオードを直列接続して構成する場合と比較して、温度係数[mV/℃]の合わせ込みを高い自由度で行うことが可能となる。【選択図】図2

23. 发明专利

JP6356592B2 ショットキーバリアダイオードとその製造方法有权
公开(公告)号：JP6356592B2
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：JP2014255287
申请日：2014-12-17
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー , 株式会社豊田中央研究所
发明人：永岡達司 , 三宅裕樹 , 宮原真一朗 , 青井佐智子
IPC分类号： H01L29/47 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/0623 , H01L21/0465 , H01L21/761 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/872

24. 发明专利

JP6348430B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6348430B2
公开(公告)日：2018-06-27
申请号：JP2015032963
申请日：2015-02-23
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：野田政人 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/265

25. 发明专利

JP2018006628A 炭化珪素半導体装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018006628A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2016133673
申请日：2016-07-05
申请人：株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所
发明人：竹内有一 , 宮原真一朗 , 秋葉敦也 , 鈴木克己 , 渡辺行彦
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/872 , H01L21/28 , H01L29/47 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
摘要：【課題】ディープ層や繋ぎ層などをエピタキシャル膜によって構成しても、耐圧を確保することができるSiC半導体装置を提供する。【解決手段】p型繋ぎ層30の先端にp型拡張領域40を連結させる。このようなp型拡張領域40を形成することで、p型繋ぎ層30とp型ガードリング21との間において間隔が大きくなる領域を無くすことが可能となる。このため、メサ部において、等電位線が過剰にせり上がることを抑制することが可能となって、耐圧を確保することができる。【選択図】図1

26. 发明专利

JP6199232B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6199232B2
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：JP2014088293
申请日：2014-04-22
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：朽木克博 , 青井佐智子 , 渡辺行彦 , 添野明高 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/06

27. 发明专利

JP2016181588A MOSFET 审中-公开
公开(公告)号：JP2016181588A
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：JP2015060633
申请日：2015-03-24
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：杉本雅裕 , 渡辺行彦 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/1608
摘要：【課題】オンのときの抵抗を低くしつつ、ターンオフしたときのアバランシェ耐量を高くすることができる技術を提供する。【解決手段】MOSFET2は、SiC半導体基板20と、ドリフト領域15に達する位置まで延びているゲートトレンチ30を備えている。半導体基板20は、n型のソース領域11と、p型の第1コンタクト領域141と、p型の第2コンタクト領域142を備えている。半導体基板20の表面23を上面視したときに、ソース領域11と第1コンタクト領域141がゲートトレンチ30の側面301に接する範囲でゲートトレンチ30に沿う方向に隣接して形成されており、第2コンタクト領域142がゲートトレンチ30から離れた範囲でソース領域11と第1コンタクト領域141に隣接して形成されている。第1コンタクト領域141の不純物濃度が第2コンタクト領域142の不純物濃度より低い。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够在断开时增加雪崩阻力的技术，同时降低导通状态下的电阻。解决方案：MOSFET 2包括SiC半导体衬底20和栅极沟槽30，栅极沟槽30延伸到位置到达漂移区15.半导体衬底20包括n型源极区11，p型第一接触区141和p型第二接触区142.当从上方观察半导体衬底20的表面23时源极区域11和第一接触区域141在与栅极沟槽30的侧面301接触的范围内沿着栅极沟槽30的方向彼此相邻地形成，并且第二接触区域142形成为邻近在远离栅极沟槽30的范围内到源极区域11和第一接触区域141.第一接触区域141的杂质浓度低于第二接触区域142的杂质浓度。 NG：图1

28. 发明专利

JP2016157736A 半導体装置の製造方法有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2016157736A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：JP2015032963
申请日：2015-02-23
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：野田政人 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/265
摘要：【課題】高品質の半導体装置を効率的に製造することが可能な製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法であって、SiC基板の表面に保護膜を形成する工程と、前記保護膜が形成された前記SiC基板を熱処理する工程と、前記熱処理において前記SiC基板の裏面に形成されたカーボンリッチ層を除去する工程と、前記カーボンリッチ層が除去された前記裏面に反り調整膜を形成する工程を有する。前記反り調整膜を形成する前に前記SiC基板が反りを有しており、前記反り調整膜を形成した後に前記SiC基板の反りが緩和される。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够有效地制造高质量半导体器件的制造方法。解决方案：一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：在SiC衬底的表面上形成保护膜; 对形成有保护膜的SiC衬底进行热处理; 在热处理时除去形成在SiC基板的背面上的富碳层; 并且在去除富碳层的背面上形成翘曲调节膜。在形成翘曲调整膜之前，SiC衬底具有翘曲，并且在翘曲调节膜形成之后SiC衬底的翘曲得以缓解。图2

29. 发明专利

JP2016134546A 半導体装置と、その製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016134546A
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2015009289
申请日：2015-01-21
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：福岡佑二 , 青井佐智子 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66734 , H01L29/0623 , H01L29/0649 , H01L29/1095 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813
摘要：【課題】絶縁材または半導体基板に熱応力によってクラックが発生することを抑制する技術を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体基板2と、半導体基板2の表面21から裏面22側に延びる終端トレンチ40と、終端トレンチ40の内部に充填された絶縁材41を備えている。半導体基板2は、p型のベース領域12と、ベース領域12の表面側に形成されているとともにベース領域12より不純物濃度が高いp型の拡散領域10を備えている。拡散領域10の不純物濃度が高いために、終端トレンチ40の両側面43に露出した拡散領域10の間に充填されている絶縁材41の内部に空隙42が形成され、熱応力が緩和される。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种抑制绝缘材料或半导体衬底中的热应力引起的裂纹的技术。解决方案：半导体器件包括：半导体衬底2; 从半导体基板2的表面21延伸到后面22侧的端接槽40; 以及填充在端子沟槽40内部的绝缘材料41.半导体衬底2包括：p型基极区域12; 和p型扩散区10，其形成在基极区域12的表面侧，并且具有比基极区域12的杂质浓度更高的杂质浓度。由于扩散区域10中的杂质浓度较高，所以在内部形成空隙42 绝缘材料41填充在暴露在端接沟槽40的两个侧面43上的扩散区域10之间的间隙中，以降低热应力。图2

30. 发明专利

JP2016115882A ショットキーバリアダイオードとその製造方法有权
标题翻译：肖特彼勒二极管及其制造方法
公开(公告)号：JP2016115882A
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：JP2014255287
申请日：2014-12-17
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー , 株式会社豊田中央研究所
发明人：永岡達司 , 三宅裕樹 , 宮原真一朗 , 青井佐智子
IPC分类号： H01L29/47 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/872
摘要：【課題】 SBDの特性を安定させることが可能な技術を提供する。【解決手段】 SBDは、アノード電極に接触しているp型コンタクト領域と、アノード電極にショットキー接触しているn型ドリフト領域を備えている。p型コンタクト領域が、コーナー部を有している第1p型領域と、コーナー部に接続されている第2p型領域と、第1p型領域と第2p型領域の接続部に配置されているエッジ充填部を備えている。第1p型領域の輪郭の接続部側への延長線を第1延長線とし、第2p型領域の輪郭の前記接続部側への延長線を第2延長線としたときに、第1延長線と第2延長線が鋭角で交差している。第1延長線と第2延長線の間に形成される鋭角エッジをエッジ充填部が充填している。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供能够稳定SBD特性的技术。解决方案：SBD包括与阳极电极接触的p型接触区域和与阳极电极肖特基接触的n型漂移区域。 p型接触区域包括：具有角部的第一p型区域; 连接到角部的第二p型区域; 以及设置在第一p型区域和第二p型区域之间的连接处的边缘填充部分。当朝向第一p型区域的轮廓的连接侧的延伸线被表示为第一延伸线并且朝向第二p型区域的轮廓的连接侧的延伸线被表示为第二延伸线，第一延伸线以锐角与第二延伸线交叉。边缘填充部分填充形成在第一延伸线和第二延伸线之间的锐角边缘。选择的图示：图4

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式