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11. 发明专利

JP6669189B2 赤外顕微鏡有权
公开(公告)号：JP6669189B2
公开(公告)日：2020-03-18
申请号：JP2018075020
申请日：2018-04-09
申请人：株式会社島津製作所
发明人：青位祐輔
IPC分类号： G01N21/35 , G02B21/06

12. 发明专利

JP6638537B2 試料解析システム有权
公开(公告)号：JP6638537B2
公开(公告)日：2020-01-29
申请号：JP2016084964
申请日：2016-04-21
申请人：株式会社島津製作所
发明人：村上幸雄
IPC分类号： G01N21/35 , G01N21/31 , G01J3/42 , G01J3/44 , G01N21/65 , G01N21/63 , G01N23/223

13. 发明专利

JP2019158256A ごみ質推定システム及び方法、並びに、ごみ貯蔵設備审中-公开
公开(公告)号：JP2019158256A
公开(公告)日：2019-09-19
申请号：JP2018046867
申请日：2018-03-14
申请人：川崎重工業株式会社
发明人：國政瑛大 , 王子修 , 小倉幸弘 , 青木洋志 , 高木創一朗
IPC分类号： F23G5/02 , G01N21/35 , G01N21/3554 , F23G5/50
摘要：【課題】ごみの水分量(又は水分率)が特定されることによってより高精度な発熱量が反影されたごみ質を推定する技術を提案する。【解決手段】ごみ質推定方法は、堆積ごみを撮像して、水の吸収帯の分光画像である水分評価画像と水の非吸収帯の分光画像である参照画像とを得るステップと、水分評価画像の評価範囲の画像と参照画像の評価範囲と対応する範囲の画像とから、評価範囲に含まれる水分量の指標である水分指標を求めるステップと、堆積ごみを撮像して、カラー画像である多様性評価画像を得るステップと、多様性評価画像の評価範囲と対応する範囲の画像から、評価範囲に含まれるごみの多様性の指標である多様性指標を求めるステップと、水分指標を含む少なくとも1種の評価指標に基づいて評価範囲のごみ質を推定するごみ質推定ステップとを含む。【選択図】図7

14. 发明专利

JP6487672B2 干渉計、干渉計を用いた分光光度計及び干渉計の制御プログラム有权
公开(公告)号：JP6487672B2
公开(公告)日：2019-03-20
申请号：JP2014227164
申请日：2014-11-07
申请人：株式会社堀場製作所
发明人：安藤嘉健 , 西村克美 , 境行男
IPC分类号： G01N21/35 , G01J3/02

15. 发明专利

JP6468509B2 物質検出センサ、物質検出方法及び物質検出システム有权
公开(公告)号：JP6468509B2
公开(公告)日：2019-02-13
申请号：JP2014173106
申请日：2014-08-27
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：平田啓二 , 寺島祐二 , 柳一寛
IPC分类号： G01N21/35 , G01N21/27 , G01V8/26

16. 发明专利

JP2019020259A 赤外線反射光測定装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019020259A
公开(公告)日：2019-02-07
申请号：JP2017139059
申请日：2017-07-18
申请人： UNIQUE CORP
发明人： WU CHUN-MING
IPC分类号： G01N21/27 , G01N21/35
摘要：【課題】多波長域と帯域幅を任意に選択できる赤外線反射光測定装置を提供する。【解決手段】赤外線反射光測定装置は、主に以下を含む。第一集光レンズの一側は外向きに延びて外側として仕切り、該第一集光レンズ該外側と反対の別一側は外向きに延びて内側として仕切る。ハロゲン電球は、該第一集光レンズの内側に設置する。複数の第二集光レンズのサイズは該第一集光レンズより小さく、該第一集光レンズの内側と該ハロゲン電球の間に分布する。赤外線ライト集光レンズ組は、そのうちの一第二集光レンズと該ハロゲン電球の間に設置する。複数の第三集光レンズ組は、残りの第二集光レンズの外側に設置する。複数の分光フィルターは、該各第三集光レンズ組の外側にそれぞれ位置する。複数のフォトダイオードは、該各分光フィルターの外側にそれぞれ位置し、該各分光フィルターとしっかり合わさる。【選択図】図3

17. 发明专利

JP2018189638A 近赤外分光法及び機械学習技術による、製造工程におけるエンドポイント検出审中-公开
公开(公告)号：JP2018189638A
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：JP2018078847
申请日：2018-04-17
申请人：ヴァイアヴィ・ソリューションズ・インコーポレイテッド , Viavi Solutions Inc.
发明人：チャンメンション , ペンゾー , ランスン
IPC分类号： G06N99/00 , G01N21/35
CPC分类号： G06N5/04 , G06N99/005
摘要：【課題】製造工程を監視して、製造工程が定常状態に達した時点を特定することができる装置及び方法を提供する。【解決手段】装置が、非定常状態から定常状態に遷移する製造工程に関連する学習スペクトルデータを受信することができる。この装置は、学習スペクトルデータに基づいて、サポートベクターマシン(SVM)分類モデルの複数回の反復を生成することができる。この装置は、SVM分類モデルの複数回の反復に基づいて、製造工程に関連する予測遷移時刻を決定することができる。複数の予測遷移時刻のうちのある予測遷移時刻は、製造工程中に、SVM分類モデルの対応する反復回が、製造工程が非定常状態から定常状態に遷移したことを予測する時刻を識別することができる。この装置は、複数の予測遷移時刻に基づいて、製造工程が定常状態に達したか否かを判定することに関連する最終的なSVM分類モデルを生成することができる。【選択図】図 4

18. 发明专利

JP2018531366A 直接光の示差測定システム审中-公开
公开(公告)号：JP2018531366A
公开(公告)日：2018-10-25
申请号：JP2017566349
申请日：2016-06-24
申请人：フレセニウスメディカルケアホールディングスインコーポレーテッド
发明人：バレット、ルイスエル.
IPC分类号： A61M1/16 , A20 , C07C275 , G01N21/05 , G01N33/49 , G01N21/35
CPC分类号： A61B5/1455 , A61B5/0022 , A61B2560/0223 , G01J1/0214 , G01J3/0205 , G01J3/28 , G01J3/42 , G01J2001/444 , G01N15/06 , G01N21/274 , G01N21/314 , G01N21/3577 , G01N33/49 , G01N2015/0065 , G01N2015/0693 , G01N2201/062 , G01N2201/0624
摘要：血液特性を測定するための測定システムは、コントローラーと、エミッターと、センサーと、基準フォトセンサーと、マスクとを含む。エミッターは、血流チャネルの第1の側から血流チャネルの第2の側まで複数の波長の光を発する。センサーは、血流チャネルの第2の側に提供される。基準フォトセンサーは、血流チャネルの第1の側に提供される。マスクは、第1の側に提供され、エミッターからの光以外の反射光が基準フォトセンサーに入るのを妨げる。コントローラーは、基準フォトセンサーからの測定値に基づいて、センサーからの測定値を補償する。【選択図】図1

19. 发明专利

JP2018522250A 分子分光分析用顕微鏡审中-公开
公开(公告)号：JP2018522250A
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：JP2018509994
申请日：2016-05-06
申请人：バーデン−ヴュルテンベルクシュティフタンゲーゲーエムべーハー
发明人：クローガー−ルイ、ニールス
IPC分类号： G01N21/27 , G01N21/39 , G01N21/35 , G02B21/00 , G02B21/06 , G01J3/42
CPC分类号： G02B21/0004 , G01J3/0205 , G01J3/2803 , G01J3/42 , G01J2003/423 , G01N21/35 , G02B21/0096 , G02B21/06 , G02B21/361
摘要：【解決手段】本発明は、試料(2)の分子分光分析用の顕微鏡(1)に関し、該顕微鏡は、赤外線(IR)放射する少なくとも1つの量子カスケードレーザー(QCL)(3)と、QCL(3)と試料(2)との間に配置された位相変調器(5)と、位相変調器(5)と試料(2)との間に配置された少なくとも1つの光学素子(6)と、試料(2)を透過したおよび/または試料(2)によって反射されたIR放射を検出するセンサ(4)とを有するビーム経路を有する。更に、本発明は、試料(2)の分子分光分析方法にも関し、該方法は、量子カスケードレーザー(QCL)(3)を用いて赤外線(IR)を試料(2)に対して放射する工程であって、該IRが位相変調器(5)および少なくとも1つの光学素子(6)を経て試料(2)に向けられる工程と、試料(2)によって反射されたおよび/または試料(2)を透過するIRを検出する工程とを有する。【選択図】図1

20. 发明专利

JP6361720B2 シリコン単結晶ウェーハの評価方法及び評価装置並びに製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP6361720B2
公开(公告)日：2018-07-25
申请号：JP2016220225
申请日：2016-11-11
申请人：株式会社SUMCO
发明人：玉置晋
IPC分类号： G01N21/35 , H01L21/66 , C30B29/06

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