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    • 17. 发明专利
    • 光変調器
    • JPWO2017159651A1
    • 2018-07-12
    • JP2017010084
    • 2017-03-14
    • 日本電信電話株式会社
    • 都築 健川村 百合子
    • G02F1/025G02F1/015
    • G02F1/015G02F1/025
    • 従来技術のCPW電極構造を持つデュアル電極のSi光変調器では、2つのグラウンド電極を伝搬するリターン電流位相差により、変調周波数特性が劣化した。これを防ぐため、変調器長を短くして位相差が生じる前に信号伝搬を終了させたり、光導波路pn接合部容量と、RF電極と光導波路を介さないグラウンド電極間容量の差を小さくしたりして、位相差を減らしていた。しかし変調器長が短いと光導波路への印加電界が減少し変調効率が低下した。エア・ブリッジやワイヤ配線はCMOS互換プロセスと不整合だった。本発明の光変調器は、基板内のRF電極と光導波路との間に配置された、2つのグラウンド電極を接続するブリッジ配線を備える。ブリッジ配線によりCPWの2つのグラウンド電極間の電位が等しくなり、RF電極への高周波電気信号によって誘起され2つのグラウンド電極を伝搬するリターン電流位相差を解消する。高周波特性劣化を抑えたSi光変調器を作製できる。作製工程のインプラ時マスクずれの問題にも対応する。