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11. 发明专利

JP5486853B2 Fusible link unit 有权
公开(公告)号：JP5486853B2
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：JP2009153794
申请日：2009-06-29
申请人：矢崎総業株式会社
发明人：裕介松本
IPC分类号： H01H85/20 , B60R16/02 , H01H85/12
CPC分类号： H01H85/0417 , H01H85/547 , H03K17/56 , Y10T29/49107

12. 发明专利

JP2013192444A Power module including leakage current protection circuit 有权
标题翻译：电源模块，包括泄漏电流保护电路
公开(公告)号：JP2013192444A
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：JP2013051513
申请日：2013-03-14
申请人： Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人： KIM HO-JUNG , SHIN JAI-KWANG , JOUNG WOO-IN , CHOI HYUN SIC
IPC分类号： H02M1/08 , H01L21/822 , H01L27/04 , H02M1/00
CPC分类号： H02H9/02 , H01L2924/0002 , H03K17/165 , H03K17/56 , H03K2217/0036 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power module including a leakage current protection circuit.SOLUTION: A power module comprises: a power element 20; and a periphery part connected to the power element. The periphery part further includes: a CMOS; a gate driver 24 connected to a gate of the CMOS and connected via the CMOS to the power element; a control block 22 for operation control of the gate driver; and a leakage current protection circuit whose input terminal is connected to the power element and whose output terminal is connected to the control block. The leakage current protection circuit includes: a plurality of NMOS transistors; a plurality of PMOS transistors connected to the plurality of NMOS transistors; and a comparator whose input terminal is connected to connection wiring of the NMOS transistors and the PMOS transistors and whose output terminal is connected to the control block 22.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种包括泄漏电流保护电路的电源模块。解决方案：功率模块包括：功率元件20; 以及连接到功率元件的周边部分。外围部分还包括：CMOS; 连接到CMOS的栅极并通过CMOS连接到功率元件的栅极驱动器24; 用于门驱动器的操作控制的控制块22; 以及漏电流保护电路，其输入端子连接到功率元件，其输出端子连接到控制块。漏电流保护电路包括：多个NMOS晶体管; 连接到所述多个NMOS晶体管的多个PMOS晶体管; 以及比较器，其输入端子连接到NMOS晶体管和PMOS晶体管的连接布线，并且其输出端子连接到控制块22。

13. 发明专利

JP2013143881A Circuit for driving switching element 有权
标题翻译：驱动开关元件电路
公开(公告)号：JP2013143881A
公开(公告)日：2013-07-22
申请号：JP2012003740
申请日：2012-01-12
申请人： Denso Corp , 株式会社デンソー
发明人： HAMANAKA YOSHIYUKI
IPC分类号： H02M1/08 , H02M1/00
CPC分类号： H03K17/56 , H03K17/166 , H03K17/168
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit for driving a switching element S*# adapted for active gate control which appropriately suppresses increases in surge voltage and switching loss.SOLUTION: If an input voltage VH to an inverter is found not to be too high, active gate control is performed to change a charging/discharging rate of a gate of the switching element S*# in the middle of a period from beginning to end of gate charging/discharging by the process of charging/discharging the gate. Specifically the process of determining the timing of changing the gate charging/discharging rate on the basis of the input voltage VH is performed. If the input voltage VH to the inverter is found to be low, on the other hand, the process of charging/discharging the gate is performed with the gate charging/discharging rate maintained at a high rate in the absence of such active gate control.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于驱动适用于有源栅极控制的开关元件S *＃的电路，其适当地抑制浪涌电压和开关损耗的增加。解决方案：如果发现逆变器的输入电压VH不要太高执行有源栅极控制，以通过对栅极充电/放电的处理从栅极充电/放电的开始到结束的期间中改变开关元件S *＃的栅极的充电/放电速率。具体地，执行基于输入电压VH确定改变栅极充电/放电速率的时序的处理。如果发现逆变器的输入电压VH为低，则另一方面，在没有这种有源栅极控制的情况下，栅极充电/放电速率保持在高速率下进行栅极充电/放电的处理。

14. 发明专利

JP2013143804A Switching element drive device 有权
标题翻译：开关元件驱动器件
公开(公告)号：JP2013143804A
公开(公告)日：2013-07-22
申请号：JP2012001933
申请日：2012-01-10
申请人： Denso Corp , 株式会社デンソー
发明人： FUKUDA JUNICHI , MAEHARA TSUNEO , HAMANAKA YOSHIYUKI
IPC分类号： H02M1/08
CPC分类号： H02P6/14 , H02P27/08 , H03K17/166 , H03K17/168 , H03K17/56
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that, if noise is superposed on a transmission path for a signal indicating to the effect that a collector current has decreased, a discharge path with a high resistance value (a path incorporating a resistor 34) could erroneously be put in a closed state assuming that the collector current has decreased although it actually did not decrease.SOLUTION: When an operation signal g¥# for a switching element S¥# is switched to an off operation command, a first discharge switching element 32 is subsequently switched on, whereby the gate of the switching element S¥# is connected to the emitter via a discharge resistor 30 and the first discharge switching element 32. Thereafter, as a current flowing in the switching element S¥# decreases, the first discharge switching element 32 is switched off on the basis of a sense voltage Vse and also a second discharge switching element 36 is switched on. The sense voltage Vse serving as an input signal for this switching process is enabled only when the operation signal g¥# is an off operation command.
摘要翻译：要解决的问题为了解决如果噪声叠加在表示集电极电流降低的信号的传输路径上的情况下，具有高电阻值的放电路径（包含电阻器34的路径）可以错误地将其置于关闭状态，尽管实际上没有降低集电极电流，但是集电极电流降低。解决方案：当开关元件S＃＃的操作信号g¥＃切换到关闭操作命令时，第一放电开关元件 32接着被接通，由此开关元件S＃＃的栅极经由放电电阻器30和第一放电开关元件32连接到发射极。此后，随着在开关元件S¥＃中流动的电流减小，第一放电开关元件32基于感测电压Vse关断，并且第二放电开关元件36接通。仅当操作信号g¥＃为关闭操作命令时，才能使用作为该切换处理的输入信号的感测电压Vse。

15. 发明专利

JP4672575B2 Power device drive circuit 有权
公开(公告)号：JP4672575B2
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：JP2006062934
申请日：2006-03-08
申请人：三菱電機株式会社
发明人：和宏清水
IPC分类号： H03K17/16
CPC分类号： H03K17/162 , H03K3/0375 , H03K17/168 , H03K17/56 , H03K19/018507

16. 发明专利

JPWO2007091532A1 スイッチング素子、書き換え可能な論理集積回路、およびメモリ素子有权
公开(公告)号：JPWO2007091532A1
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：JP2007557835
申请日：2007-02-06
申请人：日本電気株式会社
发明人：井口　憲幸 , 憲幸井口
IPC分类号： H01L49/00 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/10 , H01L45/00
CPC分类号： H03K19/173 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C13/02 , G11C2013/0071 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/52 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1666 , H01L2924/0002 , H03K17/0812 , H03K17/56 , H03K19/08 , H01L2924/00
摘要：酸化チタンを含むイオン伝導層23と、イオン伝導層23に接して設けられた第1電極21と、イオン伝導層23に接して設けられ、イオン伝導層23に金属イオンを供給可能な第2電極22とを有する。

18. 发明专利

JP6262323B2 パワーデバイス制御システム有权
公开(公告)号：JP6262323B2
公开(公告)日：2018-01-17
申请号：JP2016242642
申请日：2016-12-14
申请人：エルエス産電株式会社 , LSIS CO.,LTD.
发明人：スン−ヒ・カン , キョン−フン・ナム , キュ−スン・ペ
IPC分类号： H02M7/48 , H02M1/08
CPC分类号： H03K17/56 , H02J3/36 , Y02E60/60

19. 发明专利

JP6238534B2 リーク電流保護回路が備えられたパワーモジュール有权
公开(公告)号：JP6238534B2
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：JP2013051513
申请日：2013-03-14
申请人：三星電子株式会社 , Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人：金鎬正 , 申在光 , 鄭佑仁 , 崔賢植
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H02M1/00 , H02M1/08
CPC分类号： H02H9/02 , H03K17/165 , H03K17/56 , H01L2924/0002 , H03K2217/0036

20. 发明专利

JP2017175771A インバータ装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017175771A
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：JP2016058909
申请日：2016-03-23
申请人：アイシン・エィ・ダブリュ株式会社
发明人：鍔本紳介 , 嘉藤勇
IPC分类号： H02M1/08 , H03K17/08 , H03K17/56 , H02M7/48
CPC分类号： H02M1/08 , H02M7/48 , H03K17/08 , H03K17/56
摘要：【課題】過電流の発生に応じてスイッチング素子をターンオフする際に、スイッチング素子の損失を低減する。【解決手段】直流電力と複数相の交流電力との間で電力を変換するインバータ回路を備えたインバータ装置は、インバータ回路を構成する複数のスイッチング素子3のそれぞれに駆動信号を伝達する駆動回路20と、スイッチング素子3のそれぞれに流れる電流を検出する電流検出回路26とを備え、駆動回路20は、電流検出回路26により検出された電流が予め規定された過電流しきい値以上の場合に、遅延抵抗Rsを介して駆動信号を伝達して、スイッチング素子3をターンオフさせるソフトターンオフ回路23を備え、ソフトターンオフ回路23は、遅延抵抗Rsに並列接続されたコンデンサCsを備える。【選択図】図2

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