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11. 发明专利

JP2016105510A 有機感光性光電子装置审中-公开
标题翻译：有机感光光电器件
公开(公告)号：JP2016105510A
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：JP2016037580
申请日：2016-02-29
申请人：ザ、トラスティーズオブプリンストンユニバーシティ
发明人：フォレスト、スチーブン、アール , ブロビック、ブラディミール
IPC分类号： H01L51/44
CPC分类号： H01L51/442 , B82Y10/00 , H01L27/302 , H01L27/307 , H01L51/4206 , H01L51/424 , H01L51/4246 , H01L51/0046 , H01L51/005 , H01L51/0053 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , Y02E10/549
摘要：【課題】透明な電極を使用する有機感光性光電子装置を実現する。【解決手段】外部量子効率を最適化するために、有機感光性光電子装置(OPOD)の最適化が行われる。OPOD(300)は、一つまたはそれ以上の透明な電極(302、304)をもつことができる。基板(301)は、底部電極であってもよいし、または基板とは異なる底部電極であってもよい。一つまたはそれ以上の有機光伝導性の層(303)が、上記電極の間に設置される。OPODは、また、多重層の光伝導性構成、または複数の感光性光電子サブセルの積層構成を持つこともできる。OPODはまた、反射層または反射基板を持つこともできる。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供使用透明电极的有机光敏光电装置。解决方案：为了优化外部量子效率，优化了有机光敏光电装置（OPOD）。 OPOD（300）可以包括一个或多个透明电极（302和304）。衬底（301）可以是底部电极，也可以是与衬底不同的底部电极。一个或多个有机光电导层（303）设置在电极之间。 OPOD可以包括多个感光光电子电池的光电导多层组合物或叠层组合物。 OPOD还可以包括反射层或反射底物。图3

12. 发明专利

JP2016001742A 反転型感光性デバイス有权
标题翻译：反相感光装置
公开(公告)号：JP2016001742A
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：JP2015139084
申请日：2015-07-10
申请人：ザリージェンツオブザユニヴァシティオブミシガン
发明人：フォレスト,ステファン,アール. , ベイリー−ザルツマン,ロンダ,エフ.
IPC分类号： H01L51/44
CPC分类号： H01L51/4246 , H01L21/2225 , H01L21/228 , H01L27/302 , H01L51/0072 , H01L51/0078 , H01L51/441 , H01L51/442 , H01L51/0053 , H01L51/424 , Y02E10/549
摘要：【課題】逆転式に増大する有機感光性光電子デバイスを提供する。【解決手段】感光性光電子デバイスは、反射電極、前記反射電極の上の有機ドナー−アクセプターヘテロ接合、およびドナー−アクセプターヘテロ接合上の透明電極を含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供以倒置方式生长的有机光敏光电器件。解决方案：感光光电器件包括：反射电极; 在反射电极上的有机供体 - 受体异质结; 和在供体 - 受体异质结上的透明电极。

13. 发明专利

JP2014209557A 光電変換素子及びそれを用いた撮像素子有权
标题翻译：光电转换元件和图像拾取元件
公开(公告)号：JP2014209557A
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：JP2014011366
申请日：2014-01-24
申请人：富士フイルム株式会社 , Fujifilm Corp
发明人： SAWAKI DAIGO
IPC分类号： H01L51/42 , C07C225/22 , C07D309/36 , C07D487/22 , C09K3/00 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/307 , C07C225/22 , C07D219/02 , C07D309/34 , C07D487/22 , H01L51/0046 , H01L51/0053 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0065 , H01L51/0072 , H01L51/0091 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , H01L51/4273 , Y02E10/549
摘要：【課題】応答速度、キャリア輸送性(感度)、耐熱性の良好な有機光電変換素子及びそれを備えた撮像素子を提供する【解決手段】有機光電変換素子1は、正孔捕集電極20と電子捕集電極40とに挟持された少なくとも光電変換層32を含む受光層30を有し、正孔捕集電極20と光電変換層32との間に電子ブロッキング層31を備え、光電変換層32が、n型有機半導体とp型有機半導体とのバルクへテロ層である第1の光電変換層32bと、第1の光電変換層32bの正孔捕集電極20側の表面に接して形成されてなる第2の光電変換層32aとからなり、第2の光電変換層32aのp型有機半導体に対するn型有機半導体の混合比率の平均値X2が、第1の光電変換層32bと第2の光電変換層32aとからなる光電変換層の前記平均値X1よりも高くなっている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有良好的响应速度，良好的载体传输性能（灵敏度）和良好的耐热性的有机光电转换元件，并提供配备有机光电转换元件的图像拾取元件。解决方案：有机光电转换元件 1包括：光接收层30，其至少包括被空穴收集电极20和电子收集电极40夹持的光电转换层32; 以及布置在空穴收集电极20和光电转换层32之间的电子阻挡层31.光电转换层32包括作为n型有机半导体的体异质层的第一光电转换层32b和p- 形成有机半导体，第二光电转换层32a形成为与空穴集电电极20侧的第一光电转换层32b的表面接触。第二光电转换层32a中的n型有机半导体与p型有机半导体的混合比的平均值X2比由第一光电转换层构成的光电转换层中的混合比的平均值X1高 32b和第二光电转换层32a。

14. 发明专利

JP5577009B2 Improved solar cells 有权
公开(公告)号：JP5577009B2
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：JP2006517679
申请日：2004-06-24
申请人：ザ、トラスティーズオブプリンストンユニバーシティ
发明人：ピーター・ピューマンズ , ソウイチ・ウチダ , スティーブン・アール・フォレスト
IPC分类号： H01L51/42 , B05D3/02 , B05D5/06 , B05D5/12 , H01L31/00 , H01L51/00
CPC分类号： H01L51/4253 , H01L51/0026 , H01L51/0053 , H01L51/0078 , H01L51/424 , H01L51/4246 , H01L2251/308 , Y02E10/549

15. 发明专利

JP2014512100A Of the electro-optical device active substance and the electro-optical device 审中-公开
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP2014512100A
公开(公告)日：2014-05-19
申请号：JP2014502807
申请日：2012-03-29
申请人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニアThe Regents Of The University Of California
发明人：ヤン、ヤン , ドゥ、レティアン , ヨウ、ジン−ビ
IPC分类号： H01L51/42 , C08G61/12
CPC分类号： H01L51/0036 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/18 , C08G2261/228 , C08G2261/3223 , C08G2261/3241 , C08G2261/3243 , C08G2261/91 , H01L27/302 , H01L51/002 , H01L51/0043 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , H01L51/441
摘要：タンデム型の電気光学デバイスおよび電気光学デバイスのための活性材料を開示する。タンデム型デバイスは、担体のトンネル現象を達成するべくドープされた活性層の間に、ｎ型層およびｐ型層を備える。低バンドギャップ共役高分子についても開示される。
【選択図】図１
摘要翻译：公开了用于电光器件的串联电光器件和活性材料。串联装置包括有源层之间的p型和n型层，其被掺杂以实现载流子隧道。还公开了低带隙共轭聚合物。

17. 发明专利

JP5430230B2 Image sensor and its drive method using light detection molecule 有权
公开(公告)号：JP5430230B2
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：JP2009129059
申请日：2009-05-28
申请人：三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人：光洙薛 , 允童朴
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/14627 , H01L27/307 , H01L51/0043 , H01L51/0073 , H01L51/424 , H01L51/4246 , Y02E10/549

18. 发明专利

JP5376963B2 Photoelectric conversion element and an imaging device 有权
公开(公告)号：JP5376963B2
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：JP2009013661
申请日：2009-01-23
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：哲朗三ッ井 , 公篤野村 , 哲北村
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/10
CPC分类号： H01L51/0051 , B82Y10/00 , H01L27/307 , H01L51/0046 , H01L51/0053 , H01L51/0061 , H01L51/0065 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , H01L2251/308 , Y10S428/917
摘要： A photoelectric conversion element is provided and includes: an electrically conductive thin layer; an organic photoelectric conversion layer containing a compound having a partial structure represented by the following formula (I) and a fullerene or a fullerene derivative; and a transparent electrically conductive thin layer. X represents O, S or N—R10, R10 represents a hydrogen atom or a substituent, Rx and Ry represent a hydrogen atom or a substituent, with at least one representing an electron-withdrawing group, Rx and Ry may combine to form a ring, R represents a bond (—), a hydrogen atom or a substituent, with at least one being the bond, nr represents an integer of 1 to 4, R's may be the same or different when nr is 2 or more, and R's at the 2- and 3-positions or R's at the 5- and 6-positions may combine with each other to form a ring.

19. 发明专利

JP2013541217A Epitaxial growth control for the material of the photosensitive layer in a photovoltaic device 有权
公开(公告)号：JP2013541217A
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：JP2013534033
申请日：2011-10-14
申请人：ザリージェンツオブザユニヴァシティオブミシガン , ダンクックユニバーシティー
发明人：フォレスト，ステファン，アール． , ラシター，ブライアン，イー． , イ，ジュン，ヨプ , ヨック，ソヤン，ソ , ジェオン，スン，オク , チン，ビュン，ディー．
IPC分类号： H01L51/42
CPC分类号： H01L51/0012 , B82Y10/00 , H01L51/001 , H01L51/0046 , H01L51/0072 , H01L51/424 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：後に成長させる電気的に活性な薄膜のモルフォロジーを規定する超薄膜材料テンプレート層は、低分子誘起光起電（ＯＰＶ）電池の性能を向上させることが分かったことが開示されている。ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ−ＣＮ）といった電子輸送材料は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）電極といった電極表面に蒸着された際に銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）といったドナー材料が、直立のモルフォロジーを採るように規定することが開示されている。テンプレート緩衝層としてＨＡＴ−ＣＮを有するデバイスに関して、ＣｕＰｃ：Ｃ６０ＯＰＶの曲線因子および短絡電流は、どちらも前記ＨＡＴ−ＣＮテンプレートなしの電池に比べて向上したことが示された。これは、ＩＴＯ表面に成長させたＣｕＰｃの結晶性の向上による直列抵抗の低下によって説明される。
【選択図】図２Ａ

20. 发明专利

JP2013214777A Method of manufacturing optoelectronic device having bulk heterojunction 审中-公开
标题翻译：制造具有大块异位的光电器件的方法
公开(公告)号：JP2013214777A
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：JP2013150789
申请日：2013-07-19
申请人： Trustees Of Princeton Univ , ザ、トラスティーズオブプリンストンユニバーシティ
发明人： MAX SHTEIN , YANG FAN , STEPHEN R FORREST
IPC分类号： H01L51/42 , H01L29/06 , H01L51/00
CPC分类号： B82Y30/00 , H01L51/0008 , H01L51/0053 , H01L51/0078 , H01L51/4213 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , H01L2251/308 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing an organic optoelectronic device having a bulk heterojunction.SOLUTION: A method of manufacturing an optoelectronic device includes the processes of: depositing a first layer having protrusions over a first electrode; depositing a second layer on the first layer such that the second layer is in physical contact with the first layer; and depositing a second electrode over the second layer to form the optoelectronic device. The first layer includes a first organic small molecule material, and the smallest lateral dimension of the protrusions is between 1 to 5 times the exciton diffusion length of the first organic small molecule material. A method of manufacturing an organic optoelectronic device having a bulk heterojunction is also provided so as to include the processes of: depositing a first layer with protrusions over an electrode by organic vapor phase deposition; and depositing a second layer on the first layer, while the interface of the first and second layers forms a bulk heterojunction and another electrode is deposited over the second layer.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造具有体异质结的有机光电子器件的方法。解决方案：制造光电子器件的方法包括以下过程：在第一电极上沉积具有突起的第一层; 在所述第一层上沉积第二层，使得所述第二层与所述第一层物理接触; 以及在所述第二层上沉积第二电极以形成所述光电器件。第一层包括第一有机小分子材料，并且突起的最小横向尺寸为第一有机小分子材料的激子扩散长度的1至5倍。还提供了制造具有体异质结的有机光电子器件的方法，以便包括以下工艺：通过有机气相沉积在电极上沉积具有突起的第一层; 以及在所述第一层上沉积第二层，而所述第一和第二层的界面形成体异质结，并且另一电极沉积在所述第二层上。

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