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2. 发明专利

JPWO2015189875A1 不純物添加装置、不純物添加方法及び半導体素子の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2015189875A1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：JP2016527495
申请日：2014-06-12
申请人：富士電機株式会社
发明人：研一井口 , 研一井口 , 中澤　治雄 , 治雄中澤 , 荻野　正明 , 正明荻野
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/228
CPC分类号： H01L21/228 , H01L21/0455 , H01L21/2225 , H01L21/268 , H01L21/67017 , H01L29/1608
摘要：不純物添加装置(1)は、半導体基板(2)を支持する支持台(3)と、この支持台(3)に固定した半導体基板(2)と、半導体基板(2)から離間して配置された壁ブロック(10)とを備える。壁ブロック(10)は、半導体基板(2)の壁ブロック側の面上に不純物元素を含む溶液(4)の局在した領域(B)を形成するように内部に凹部(12)を有する。また不純物添加装置1は、壁ブロック(10)に囲まれた溶液(4)を介して半導体基板(2)の上面にレーザ光(32)を照射するレーザ光学系(30)と、を備える。不純物添加装置(1)は、レーザ光(32)の照射により半導体基板(2)の内部の一部に不純物元素を添加するものである。

3. 发明专利

JP2016201492A 不純物導入装置、不純物導入方法及び半導体素子の製造方法有权
标题翻译：杂质导入装置中，上述杂质导入方法的制造方法及半导体装置
公开(公告)号：JP2016201492A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：JP2015081813
申请日：2015-04-13
申请人：富士電機株式会社
发明人：井口研一
IPC分类号： H01L21/228 , H01L21/268 , H01L21/22
CPC分类号： H01L21/228 , H01L21/268 , H01L29/1608
摘要：【課題】先行のレーザー光のショットにより発生した気泡が後続のレーザー光に干渉することを防止してレーザードーピングを行うことができる。【解決手段】不純物導入装置100は、不純物元素を含む液体4を蓄える液槽5と、液体4を半導体基板2の表面上で移動させる液体移動装置40と、半導体基板2の表面にレーザー光12の光パルスをスキャン照射するレーザー光学系20と、半導体基板2を移動させるX−Y移動ステージ8と、液体移動装置40及びX−Y移動ステージ8を制御する演算制御装置51と、を備える。不純物導入装置100は、照射領域2a〜2dの液体4の液流方向に沿った特徴寸法と、照射領域2a〜2dの重ね合わせ率と、液体4中に発生する気泡の半径とを考慮して液体4の流速及び光パルスのスキャン速度を設定し、設定され流速及びスキャン速度で半導体基板2の内部の一部に不純物元素を導入する。【選択図】図1
摘要翻译：由拍摄的激光束产生的罐前述气泡来执行激光掺杂，以防止与后续的激光束发生干涉。的杂质导入装置100包括贮液罐5，用于存储液体4含有杂质元素，并且液体移动装置40，用于移动液体4的半导体基板2，在半导体基板2的表面上的激光束12的表面上包括激光光学系统20，用于光脉冲的扫描照射，在X-Y移动台8的半导体衬底2，计算控制单元51移动，用于控制液体运动设备40和X-Y移动台8，一个。杂质导入装置100中，考虑到特征尺寸沿液体4的液体流动方向上的照射区域2a至2d以及照射区域2a的至2d的叠加率，和气泡在液体4中产生的半径设定液体4和光脉冲的流量的扫描速率，将杂质元素引入到半导体基板2中的一组流率和扫描速度的部分。点域1

4. 发明专利

JP5982746B2 p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法、並びに太陽電池有权
标题翻译： p型扩散层形成组合物，在制造的制造方法和在p型扩散层的太阳能电池元件的方法，以及太阳能电池
公开(公告)号：JP5982746B2
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：JP2011157228
申请日：2011-07-15
申请人：日立化成株式会社
发明人：織田明博 , 吉田誠人 , 野尻剛 , 町井洋一 , 岩室光則 , 木沢桂子 , 足立修一郎 , 佐藤鉄也
IPC分类号： H01L21/225
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L21/2225 , H01L21/2254 , H01L21/228 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521

5. 发明专利

JP5935255B2 インクジェット用不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池の製造方法有权
标题翻译：喷墨杂质扩散层形成用组合物，所述杂质扩散层的制造方法，该制造方法的制造方法及太阳能电池元件的太阳能电池
公开(公告)号：JP5935255B2
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：JP2011161317
申请日：2011-07-22
申请人：日立化成株式会社
发明人：織田明博 , 吉田誠人 , 野尻剛 , 町井洋一 , 岩室光則 , 足立修一郎 , 佐藤鉄也
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/18 , H01L21/225
CPC分类号： H01L21/2225 , H01L21/228 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521

6. 发明专利

JP5866840B2 p型拡散層形成組成物、p型拡散層形成組成物の製造方法、p型拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池の製造方法有权
标题翻译： p型扩散层形成组合物，一种制造p型扩散层形成组合物，一种制造p型扩散层，制造太阳能电池元件的方法的方法的方法，以及太阳能电池的制造方法
公开(公告)号：JP5866840B2
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：JP2011157229
申请日：2011-07-15
申请人：日立化成株式会社
发明人：織田明博 , 吉田誠人 , 野尻剛 , 町井洋一 , 岩室光則 , 木沢桂子 , 足立修一郎 , 佐藤鉄也
IPC分类号： H01L21/225
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L21/2225 , H01L21/2254 , H01L21/228 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521

7. 发明专利

JP2016026394A p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法、並びに太陽電池审中-公开
标题翻译：用于形成P型扩散层的组合物，P型扩散层的制造方法，制造太阳能电池元件的方法和太阳能电池
公开(公告)号：JP2016026394A
公开(公告)日：2016-02-12
申请号：JP2015186494
申请日：2015-09-24
申请人：日立化成株式会社
发明人：織田明博 , 吉田誠人 , 野尻剛 , 町井洋一 , 岩室光則 , 木沢桂子 , 足立修一郎 , 佐藤鉄也
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L21/225
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L21/2225 , H01L21/2254 , H01L21/228 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：【課題】熱拡散時におけるシリコン基板の反りの発生を抑制しながら、p型拡散層形成組成物と基板との反応を抑制し、低抵抗なp型拡散層を形成することが可能なp型拡散層形成組成物、これを用いたp型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法、並びに太陽電池の提供する。【解決手段】p型拡散層形成組成物を窒化ホウ素及び炭化ホウ素から選ばれる少なくとも1種のホウ素化合物と、分散媒と、を含有して構成する。このp型拡散層形成組成物をシリコン基板上に塗布し熱拡散処理を施すことで、p型拡散層、及びp型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过抑制用于形成p型扩散层的组合物与硅衬底的反应而形成低电阻p型扩散层的p型扩散层的组合物，同时抑制并且提供使用该组合物制造p型扩散层的方法，制造太阳能电池元件和太阳能电池的方法。解决方案：用于形成p型扩散的组合物层含有至少一种选自氮化硼和碳化硼的硼化合物和分散介质。 p型扩散层和具有p型扩散层的太阳能电池元件通过将用于形成p型扩散层的组合物施加到硅衬底上然后在其上进行热扩散处理来制造。选择图：无

8. 发明专利

JP2016015509A p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法审中-公开
标题翻译： P型扩散层形成组合物，P型扩散层制造方法和太阳能电池元件制造方法
公开(公告)号：JP2016015509A
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：JP2015172190
申请日：2015-09-01
申请人：日立化成株式会社
发明人：織田明博 , 吉田誠人 , 野尻剛 , 町井洋一 , 岩室光則 , 木沢桂子 , 足立修一郎 , 佐藤鉄也
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L21/225
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L21/2225 , H01L21/2254 , H01L21/228 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：【課題】熱処理時におけるシリコン基板の反りの発生を抑制しながら、p型拡散層形成組成物と基板との高温での反応を抑制し、低抵抗なp型拡散層を形成することが可能なp型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法の提供。【解決手段】p型拡散層形成組成物を窒化ホウ素及び炭化ホウ素から選ばれる少なくとも1種のホウ素化合物と、分散媒と、を含有して構成する。このp型拡散層形成組成物を半導体基板上に塗布し熱拡散処理を施すことで、p型拡散層、及びp型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种p型扩散层形成组合物，p型扩散层制造方法和太阳能电池元件制造方法，其可以抑制p型扩散层形成用组合物与基板的反应高温，同时抑制热处理时硅衬底发生翘曲，形成低电阻p型扩散层。解决方案：一种p型扩散层形成组合物含有至少一种选自以下的硼化合物：氮化硼和碳化硼，以及分散介质。通过用p型扩散层形成组合物涂覆半导体衬底并对半导体衬底进行热扩散处理，制造具有p型扩散层的p型扩散层和太阳能电池元件。

9. 发明专利

JP5725255B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5725255B2
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：JP2014500822
申请日：2012-02-23
申请人：富士電機株式会社
发明人：中澤治雄 , 荻野正明 , 栗林秀直 , 寺西秀明
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/76 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , C30B33/02 , C30B29/06
CPC分类号： H01L21/02373 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/228 , H01L29/66333

10. 发明专利

JPWO2013125014A1 半導体装置の製造方法有权
标题翻译：一种制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JPWO2013125014A1
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：JP2014500822
申请日：2012-02-23
申请人：富士電機株式会社
发明人：中澤　治雄 , 治雄中澤 , 荻野　正明 , 正明荻野 , 秀直栗林 , 秀直栗林 , 寺西　秀明 , 秀明寺西
IPC分类号： C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/02373 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/228 , H01L29/66333
摘要：チョクラルスキー法で作製された単結晶シリコンインゴットを原料としてフローティング法で作製された単結晶シリコンインゴットから切断されたシリコンウエハを用いて、逆阻止型IGBTを作製する。逆阻止型IGBTの逆阻止能力を確保するために形成される分離層は、シリコンウエハに導入された不純物を熱拡散処理によって拡散させることで形成される。分離層を形成する熱拡散処理は、不活性ガス雰囲気中で、1290℃以上、シリコンの融点未満の温度で行われる。これにより、シリコンウエハに結晶欠陥が発生せず、逆阻止型IGBTに逆耐圧不良や順方向不良が発生することを防止することができ、半導体素子の良品率を向上させることができる。
摘要翻译：使用通过切克劳斯基方法从由浮动法作为原料制造的单晶硅锭制备的硅晶片上切割单晶硅锭，以产生一个反向阻断IGBT。形成在为了确保反向阻断IGBT的反向阻断能力的隔离层是引入到硅晶片中的杂质是通过热扩散处理扩散形成。热扩散处理以形成分离层，在惰性气体气氛下，1290℃以上，在低于硅的熔点的温度。因此，在没有在硅晶片中产生的晶体缺陷，在反向阻断IGBT可以防止，从而改善了半导体器件的成品率产生的反向击穿电压故障或向缺陷。

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