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11. 发明专利

JPWO2014057700A1 半導体装置およびその製造方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2014057700A1
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：JP2014540763
申请日：2013-05-01
申请人：三菱電機株式会社
发明人：川上　剛史 , 剛史川上 , 則陳 , 則陳 , 昭人西井 , 昭人西井 , 史仁増岡 , 史仁増岡 , 中村　勝光 , 勝光中村 , 古川　彰彦 , 彰彦古川 , 裕二村上 , 裕二村上
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L21/046 , H01L21/0465 , H01L21/266 , H01L21/324 , H01L21/765 , H01L29/0615 , H01L29/063 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/66136 , H01L29/66143 , H01L29/66333 , H01L29/66363 , H01L29/7395 , H01L29/74 , H01L29/7811 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
摘要：活性領域(12)の外周縁部から半導体基板(11)の外周縁部に向けて、活性領域(12)を囲繞するように電界緩和層(13)を形成する。電界緩和層(13)は、複数のP型不純物層(21〜25)を備える。各P型不純物層(21〜25)は、P型注入層(21a〜25a)と、P型注入層(21a〜25a)を囲繞するように形成され、P型注入層(21a〜25a)よりもP型不純物の濃度が低いP型拡散層(21b〜25b)とを備える。第1のP型注入層(21a)は、活性領域(12)に接するか、または一部分が重なって形成される。各P型拡散層(21b〜25b)は、第1のP型拡散層(21b)と第2のP型拡散層(22b)とが接するか、またはオーバーラップする程度の広がりを有するように形成される。P型注入層(21a〜25a)同士の間隔(s2〜s5)は、活性領域(12)から半導体基板(11)の外周縁部に向かうに従って大きくなる。
摘要翻译：从有源区域（12）朝向所述半导体衬底（11）的外周缘部的外周缘部，以形成电场缓和层，以围绕所述有源区（12）（13）。电场缓和层（13）包括多个P型杂质层（21至25）的。各P型杂质层（21-25）是，P型注入层（21A〜25A），形成为包围P型注入层（21A〜25A），P型注入从（21A〜25A）层也包括P型杂质的低浓度P型扩散层（21B〜25B）。第一P型注入层（21A）是无论是在与有源区域（12）或它的一部分接触时，它被形成为重叠。各P型扩散层（21B〜25B）被形成为具有与第一P型扩散层的程度的扩散（21B）第二P型扩散层（22b）的和Do接触或重叠是的。 P型注入层之间（21A〜25A）的距离（S2至S5）变为朝向有源区域（12），以在半导体基板（11）的外周缘部变大。

12. 发明专利

JP5865016B2 トレンチ型ショットキー接合型半導体装置及びその製造方法有权
标题翻译：沟槽肖特基势垒半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP5865016B2
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：JP2011238190
申请日：2011-10-31
申请人：株式会社日立パワーデバイス
发明人：小西くみこ , 横山夏樹 , 亀代典史
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/47
CPC分类号： H01L21/046 , H01L21/0475 , H01L29/0615 , H01L29/47 , H01L29/66068 , H01L29/66136 , H01L29/66143 , H01L29/7827 , H01L29/8611 , H01L29/872 , H01L29/1608

13. 发明专利

JP2016009868A 半導体ウエハを処理するための方法有权
标题翻译：加工半导体波形的方法
公开(公告)号：JP2016009868A
公开(公告)日：2016-01-18
申请号：JP2015125467
申请日：2015-06-23
申请人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー , INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：ラヴェン, ヨハネスゲオルク , シュルツェ, ハンス−ヨアヒム , ヴォス, シュテファン , ブレイメッサー, アレクサンダー , スシティー, アレクサンダー , リウ, シューハイ , エーフナー, ヘルムート
IPC分类号： H01L21/477 , H01L21/265 , H01L21/322
CPC分类号： H01L21/263 , H01L21/26506 , H01L21/3242 , H01L29/36 , H01L29/66136 , H01L29/66143 , H01L29/8611 , H01L29/872 , H01L29/1608 , H01L29/2203 , H01L29/7395
摘要：【課題】半導体ウエハを処理するための方法を提供する。【解決手段】第1の垂直方向において互いに離れて配置された対向する第1及び第2面を有する磁気チョクラルスキー半導体ウエハが処理される。すなわち、第2の面を介して半導体ウエハに第1の粒子を注入することによって半導体ウエハに結晶欠陥を形成する。結晶欠陥は、第1の深さで欠陥濃度が最大になる。半導体ウエハは第1の熱プロセスにおいて加熱されて、放射線誘起ドナーが形成される。第1の熱プロセスの後で、半導体ウエハのnドープ半導体領域が、第2の面と第1の深さとの間に配置されるように、且つnドープ半導体領域が、第1の垂直方向において、第1の深さと第2の面との間に正味ドーピング濃度の極大値を有し、第1の深さと第1の極大値との間に正味ドーピング濃度の極小値を有するように、注入エネルギ及び注入ドーズが選択される。【選択図】図13
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于处理半导体晶片的方法。解决方案：一种用于处理具有相对的在第一垂直方向上彼此分开的相对的第一和第二面的磁性切克萨斯基生长的半导体晶片的方法包括以下步骤：第一颗粒通过第二面进入半导体晶片，从而在第一深度处晶体缺陷的浓度变得最大的半导体晶片中形成晶体缺陷; 以及通过在第一加热过程中加热所述半导体晶片，在所述半导体晶片中形成辐射诱导的供体。选择用于注入的能量和待注入的剂量，使得在第一热处理之后，将半导体晶片的n掺杂半导体区域设置在第二面和第一深度之间，并且n掺杂半导体区域具有最大值在第一深度和第二面之间的净掺杂浓度在第一垂直方向上具有最小的第一深度与第一最大值所在的深度之间的净掺杂浓度。

14. 发明专利

JP5827397B2 樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止型半導体装置の製造方法有权
标题翻译：一种用于制造树脂密封型半导体器件及树脂封装的半导体器件的方法
公开(公告)号：JP5827397B2
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：JP2014514286
申请日：2012-05-08
申请人：新電元工業株式会社
发明人：小笠原淳 , 伊東浩二 , 伊藤一彦 , 六鎗広野
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/74 , H01L21/76 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/316
CPC分类号： H01L23/564 , C03C3/085 , C03C3/087 , C03C3/093 , C03C8/02 , C03C8/04 , C03C8/24 , H01L21/02112 , H01L21/02161 , H01L21/02318 , H01L21/56 , H01L23/291 , H01L23/3107 , H01L23/3178 , H01L29/0615 , H01L29/0661 , H01L29/66136 , H01L29/861 , H01L29/8613 , C03C2207/00 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L23/3171 , H01L23/4952 , H01L23/49551 , H01L24/73 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091

15. 发明专利

JP2015195366A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015195366A
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：JP2015052706
申请日：2015-03-16
申请人：株式会社東芝
发明人：小倉常雄 , 三須伸一郎 , 末代知子 , 安原紀夫
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L29/407 , H01L29/66136 , H01L29/7391 , H01L29/868 , H01L29/0649 , H01L29/1608 , H01L29/2003
摘要：【課題】リカバリー時間が短く且つリカバリー時の安全動作領域がより広い半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ、前記第1電極に接する第1導電形の第1半導体領域と、前記第1半導体領域と前記第2電極との間に設けられた第2導電形の第2半導体領域と、前記第2電極に接し、前記第2電極の側から前記第1半導体領域の側に延在し、前記第1半導体領域に接する絶縁領域と、前記第2半導体領域と前記絶縁領域との間の少なくとも一部に設けられ、前記第1半導体領域に接する第1導電形の第3半導体領域と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件，其具有短的恢复时间并在恢复时实现更宽的安全操作区域。解决方案：实施例的半导体器件包括：第一电极; 第二电极; 第一导电型第一半导体区域，设置在第一电极和第二电极之间并与第一电极接触; 设置在第一半导体区域和第二电极之间的第二导电类型的第二半导体区域; 绝缘区域，其与所述第二电极接触并且从所述第二电极侧延伸到所述第一半导体区域侧以接触所述第一半导体区域; 以及第一导电类型的第三半导体区域，其设置在所述第二半导体区域和所述绝缘区域之间的间隙的一部分处并与所述第一半导体区域接触。

16. 发明专利

JP5755803B2 深溝を有する新型PN接合の形成方法有权
标题翻译：该方法在形成新的PN结的具有深凹槽
公开(公告)号：JP5755803B2
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：JP2014513043
申请日：2012-05-31
申请人：无錫華潤上華半導体有限公司 , CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD , 无錫華潤上華科技有限公司 , CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD
发明人：呉宗憲 , 王根毅 , 袁雷兵 , 呉▲ペン▼▲ペン▼
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L29/66136 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L21/3065

17. 发明专利

JP2015095618A 半導体装置の製造方法有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015095618A
公开(公告)日：2015-05-18
申请号：JP2013235779
申请日：2013-11-14
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：上條拓真
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/04 , H01L21/336 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/0821 , H01L27/0727 , H01L29/1095 , H01L29/6609 , H01L29/66333 , H01L29/66348 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/0873 , H01L29/66136 , H01L29/8613 , H01L2924/10155 , H01L2924/13055
摘要：【課題】 IGBTとダイオードの両方がバッファ領域を有し、かつ、IGBTのオン電圧が低い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ダイオードのカソード領域と、カソード領域に対して半導体基板の裏面側に隣接する第1バッファ領域と、IGBTのコレクタ領域と、コレクタ領域に対して裏面側に隣接する第2バッファ領域を有する半導体装置の製造方法であって、半導体基板の表面に段差部を形成することで、薄部及び厚部を形成する工程と、薄部及び厚部の表面からn型不純物を注入することによって第1バッファ領域及び第2バッファ領域を形成する工程を有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件的制造方法，其中IGBT和二极管都具有缓冲区域，并且IGBT的导通电压低。解决方案：半导体器件具有：阴极区域的二极管; 与半导体衬底相对于阴极区相邻的第一缓冲区; IGBT的集电极区域; 以及与集电极区域的背面侧相邻的第二缓冲区域。制造半导体器件的方法包括以下步骤：通过在半导体衬底的表面上形成台阶部来形成薄部分和厚部分; 以及通过从薄部分和厚部分的表面注入n型杂质形成第一缓冲区域和第二缓冲区域。

18. 发明专利

JP5697744B2 半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP5697744B2
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：JP2013508830
申请日：2012-03-29
申请人：三菱電機株式会社
发明人：濱田憲治 , 川上剛史
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/161 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/046 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/66128 , H01L29/66136 , H01L29/8611 , H01L29/0878 , H01L29/7395 , H01L29/7811 , H01L29/872

19. 发明专利

JP2014187192A Semiconductor device 审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014187192A
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：JP2013061114
申请日：2013-03-22
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： NISHIKAWA YUKIE , TAKAHASHI NORIHIRO , SHIBATA HIRONOBU
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/28 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/045 , H01L21/28512 , H01L29/417 , H01L29/456 , H01L29/66136 , H01L29/861
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device that achieves both high withstand voltage and low loss.SOLUTION: A semiconductor device includes a first-conductivity-type first semiconductor layer, a second semiconductor layer provided on the first semiconductor layer and having a cubic structure, an electrode provided on the second semiconductor layer, and a reaction portion provided between the second semiconductor layer and the electrode. The second semiconductor layer has a top surface inclined to the (100) plane. The reaction portion contains at least one element constituting the second semiconductor layer and at least one element constituting the electrode, and has a projection extending to the second semiconductor layer side.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种实现高耐受电压和低损耗的半导体器件。解决方案：半导体器件包括第一导电型第一半导体层，第二半导体层，设置在第一半导体层上并具有立方结构，设置在第二半导体层上的电极和设置在第二半导体层和电极之间的反应部分。第二半导体层具有倾斜于（100）面的顶面。反应部分包含构成第二半导体层的至少一个元件和构成电极的至少一个元件，并且具有延伸到第二半导体层侧的突起。

20. 发明专利

JPWO2012160632A1 半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置有权
公开(公告)号：JPWO2012160632A1
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：JP2012511481
申请日：2011-05-23
申请人：新電元工業株式会社
发明人：浩二伊東 , 浩二伊東 , 伊藤　一彦 , 一彦伊藤
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/329 , H01L29/861 , H01L29/868
CPC分类号： H01L29/8611 , C03C3/083 , H01L29/66136 , H01L29/8613
摘要：少なくともSiO2と、Al2O3と、ZnOとを含有し、かつ、Pbと、Bと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しないことを特徴とする半導体接合保護用ガラス組成物。SiO2の含有量が40mol%〜60mol%の範囲内にあり、Al2O3の含有量が5mol%〜15mol%の範囲内にあり、ZnOの含有量が30mol%〜50mol%の範囲内にあることが好ましい。本発明の半導体接合保護用ガラス組成物によれば、鉛を含まないガラス材料を用いて、従来の「珪酸鉛を主成分としたガラス」を用いた場合と同様に高耐圧の半導体装置を製造することが可能となる。

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