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11. 发明专利

JP6196931B2 スナバ回路内蔵モジュール有权
公开(公告)号：JP6196931B2
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：JP2014089225
申请日：2014-04-23
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社
发明人：矢次健一 , 臼井正則 , 堀本修平
IPC分类号： H01L25/18 , H01L25/00 , H03K17/16 , H01L23/473 , H02M3/00 , H02M7/48 , H01L25/07
CPC分类号： H01L2224/33 , H01L2924/181

12. 发明专利

JP2017139427A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017139427A
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：JP2016021180
申请日：2016-02-05
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：中川未浩
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/29
CPC分类号： H01L2224/33
摘要：【課題】コストを抑制しつつ、表面電極と保護膜と金属膜が互いに接する部分(三重点)の近傍における熱引きを向上させることができる技術を提供する。【解決手段】半導体装置1は、半導体素子2と、半導体素子2の表面を覆っている表面電極4と、表面電極4の表面の外周部41を覆っている保護膜5と、保護膜5の表面と保護膜5に覆われていない表面電極4の表面とを覆っている金属膜6を備えている。また、半導体装置1は、金属膜6の表面にはんだ91を介して固定されているヒートシンクブロック3と、ヒートシンクブロック3の表面にはんだ92を介して固定されている表面側放熱板71を備えている。ヒートシンクブロック3は、銅からなる第1の部分31と、第1の部分31の外周部34を囲んでいる第2の部分32を備えており、第2の部分32の熱伝導率が第1の部分31の熱伝導率より高い。【選択図】図2

13. 发明专利

JP2017112280A 半導体モジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2017112280A
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：JP2015246660
申请日：2015-12-17
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：満永智明 , 門口卓矢
IPC分类号： H01L23/40 , H01L23/29 , H01L23/48
CPC分类号： H01L2224/33 , H01L2224/83385
摘要：【課題】信頼性の確保された半導体モジュールを実現する。【解決手段】半導体モジュール100は、半導体装置10と、第1突出部116を有する第1金属板106と、第2突出部118を有する第2金属板108を備えている。半導体装置10は、半導体素子が形成されている半導体基板と、半導体素子と電気的に接続している第1電極層と、第1電極層をその外周縁に沿って覆っているとともに第1電極層を露出する開口を有する保護絶縁膜と、開口から露出する第1電極層上から保護絶縁膜上に亘って積層されている第2電極層を有する。半導体モジュール100を半導体装置10の表面に直交する方向から観察したときに、第1突出部116と第2突出部118は、第1突出部116と第2突出部118の周囲のはんだの歪振幅がはんだの端部の歪振幅より小さくなる位置に設けられているとともに、開口内に位置しており、双方が重複している。【選択図】図1

14. 发明专利

JP2017107925A 熱電変換モジュールおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017107925A
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：JP2015239036
申请日：2015-12-08
申请人：日立化成株式会社
发明人：藤原伸一 , 東平知丈 , 山本礼 , 石島善三 , 地主孝広 , 根岸征央
IPC分类号： H01L35/34 , H01L35/14 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L35/08
CPC分类号： H01L35/08 , H01L35/14 , H01L35/34 , H02N11/00 , H01L2224/33 , H01L2224/40137
摘要：【課題】耐熱性を確保するとともに、応力緩和性に優れる熱電変換モジュールを提供する。【解決手段】高温側および低温側に配置される電極とP型の熱電素子およびN型の熱電素子が接合層を介して機械的および電気的に接続される熱電変換モジュールにおいて、少なくとも高温側の前記接合層内に中心層となる第一層がAl、Ni、Tiいずれかで構成され、前記第一層を挟持する第二層に少なくともNiが含まれている。【選択図】図1

15. 发明专利

JP2017084877A 半導体モジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2017084877A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2015209308
申请日：2015-10-23
申请人：トヨタ自動車株式会社 , Toyota Motor Corp
发明人： TAMURA KAZUTAKA
IPC分类号： H01L25/04 , H01L23/48 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L2224/33
摘要：【課題】エレクトロマイグレーションによる金属ブロックとはんだ層の剥離を防止する。【解決手段】半導体モジュールは、第1リードフレームと、上面電極と下面電極を備えており、下面電極が第1リードフレームの上面に第1はんだ層を介して固定されている半導体チップと、下面が上面電極に第2はんだ層を介して固定されている金属ブロックと、金属ブロックの上面に第3はんだ層を介して固定されている第2リードフレームを備えている。各部材の積層方向から平面視したときに、第2はんだ層の面積及び第3はんだ層の面積が、第1はんだ層の面積よりも小さい。第2はんだ層及び第3はんだ層の抵抗率が、金属ブロックの抵抗率よりも高い。金属ブロックの上面と下面の少なくとも一方の中央部が、その外周部よりも突出している。第2はんだ層と第3はんだ層のうち、外周部に接する部分が、中央部に接する部分よりも厚い。【選択図】図1

16. 发明专利

JPWO2016157616A1 半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2016157616A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：JP2016522118
申请日：2015-11-27
申请人：三菱電機株式会社
发明人：基吉田 , 基吉田 , 博明岡部 , 博明岡部 , 須賀原　和之 , 和之須賀原
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/872
CPC分类号： H01L21/0495 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L29/06 , H01L29/1608 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L2224/32225 , H01L2224/33 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要：ワイドバンドギャップ半導体を基材とする半導体素子(18)の上にめっき法によりCu配線電極(17)を形成する工程と、NH3雰囲気下でCu配線電極(17)を還元する還元工程と、還元工程と同時にCu配線電極(17)を加熱する加熱工程と、加熱工程の後にCu配線電極(17)を被覆する拡散防止膜(11)を形成する工程と、拡散防止膜(11)を有機樹脂膜(10)で被覆する封止工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

17. 发明专利

JPWO2016121159A1 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2016121159A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：JP2016571667
申请日：2015-09-14
申请人：三菱電機株式会社
发明人：小林　浩 , 浩小林 , 真之介曽田 , 真之介曽田 , 洋平大本 , 洋平大本 , 功明林 , 功明林
IPC分类号： H01L23/36 , H01L21/52 , H01L23/12 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/40 , H01L23/473
CPC分类号： H01L23/473 , H01L21/4882 , H01L23/36 , H01L23/367 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/49811 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/33 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/0002 , H01L2924/181 , H05K1/0306 , H05K3/0061 , H05K3/341 , H05K3/4015 , H05K2201/0373 , H05K2201/09681 , H05K2201/0969 , H01L2924/00012
摘要：本技術は、高熱伝導である半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。半導体装置は、絶縁基板13と、半導体チップ11と、板材3と、冷却器20とを備える。絶縁基板13は、絶縁板としての絶縁性セラミックス6と、絶縁性セラミックス6の両面に設けられる導板5および導板7とを備える。半導体チップ11は、絶縁基板13の上面に設けられる。板材3は、絶縁基板13の下面に接合される。冷却器20は、板材3の下面に接合される。絶縁基板13の下面と板材3との接合、および、板材3の下面と冷却器20との接合の少なくとも一方は、錫を主成分とした接合材を介してなされる。また、板材3の繰り返し応力は、これらの接合材の引っ張り強さよりも小さい。

19. 发明专利

JP2017063105A 半導体モジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2017063105A
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：JP2015187317
申请日：2015-09-24
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：淺井林太郎
IPC分类号： H01L25/18 , H01L25/07
CPC分类号： H01L2224/32245 , H01L2224/33 , H01L2924/181
摘要：【課題】樹脂層がリードフレームから剥離することを抑制する新たな技術を提供する。【解決手段】半導体モジュールであって、表面が第1金属層により構成されているリードフレームと、前記第1金属層の表面の一部を覆うとともに前記第1金属層よりもイオン化傾向が大きい第2金属層と、前記第1金属層に接合層を介して固定されている半導体チップと、前記半導体チップ、前記半導体チップの周囲の前記リードフレームの表面、及び、前記第2金属層を覆っている樹脂層を有している。【選択図】図4

20. 发明专利

JP2017059726A 半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017059726A
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2015184364
申请日：2015-09-17
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：植田賢志 , 平野敬洋 , 奥村知巳
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/48 , H01L25/07
CPC分类号： H01L2224/33 , H01L2924/181
摘要：【課題】半導体チップにリードフレームを良好に接合することによって不要な封止樹脂が残存することを抑制できる技術を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体チップの一方面にはんだを介して第1リードフレームを接合し、半導体チップの他方面にはんだを介して第2リードフレームを接合する接合工程と、半導体チップを挟んで対向している第1リードフレームと第2リードフレームの間に封止樹脂を充填して半導体チップを封止する封止工程を備えている。第1リードフレームが、本体部と、本体部から第2リードフレームに向かって突出している突出部を有している。接合工程では、突出部が第2リードフレームに当接することによって本体部と第2リードフレームの間隔が保持され、封止工程では、突出部の少なくとも一部が封止樹脂から露出するように半導体チップを封止樹脂で封止する。この製造方法は、封止工程の後に封止樹脂から露出している突出部の少なくとも一部を切断する切断工程を備えている。【選択図】図3

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