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11. 发明专利

JP2015165393A 消去カウンタを処理するための方法および装置有权
标题翻译：用于加工擦除计数器的方法和装置
公开(公告)号：JP2015165393A
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：JP2015029004
申请日：2015-02-17
申请人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー , INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：コー, レックス , ニール, マシュー
IPC分类号： G06F21/62 , G06F12/16 , G06F12/14
CPC分类号： G11C16/107 , G06F21/554 , G11C14/009 , G11C7/24 , G11C16/14 , G11C16/3495
摘要：【課題】消去カウンタを処理するための方法及び装置を提供する。【解決手段】消去カウンタ・フィールドを含む消去カウンタを処理するための方法であって、未使用の消去カウンタ・フィールドを決定するステップ407と、この未使用の消去カウンタ・フィールドに選択コード及びアドレス情報を書き込むステップ408とを含む。この選択コードとアドレス情報を結合して、メモリの少なくとも1つの物理アドレスを決定する。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于处理擦除计数器的方法和装置。解决方案：一种用于处理包括擦除计数器字段的擦除计数器的方法包括用于确定未使用的擦除计数字段的步骤407，以及步骤408 用于写入关于未使用的擦除计数器字段的选择代码和地址信息。选择代码和地址信息被耦合在一起，从而确定存储器的至少一个物理地址。

12. 发明专利

JP2015072728A 半導体メモリ有权
标题翻译：半导体存储器
公开(公告)号：JP2015072728A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：JP2013208760
申请日：2013-10-04
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：藪内誠
IPC分类号： G11C11/413
CPC分类号： G11C11/419 , G11C11/418 , G11C7/24 , G11C8/16
摘要：【課題】電源のオン/オフ制御なしに安定してPUF−IDを生成可能なSRAMを提供する。【解決手段】複数の書込みポートを備えるSRAMにおいて、各書込みポートに対応し、1つのメモリセルに対する書き込みを指定する複数のワード線を備え、そのうちの少なくとも2本のワード線(AWL,BWL)のネゲートタイミングを同期させる。当該メモリセルに対する異なる値の書き込みの同時性が保証されるので、そのようなメモリセルを多数用いることにより、電源を制御することなくPUF−IDを安定して生成することができる。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供能够稳定地产生PUF-ID而不进行电源的开/关控制的SRAM。解决方案：配备有多个写入端口的SRAM包括指定写入单个存储器单元的多个字线，对应于各个写入端口，并且同步其至少两个字线（AWL，BWL）的否定时。由于通过使用许多这样的存储单元来确保对存储单元写入不同值的并发性，因此可以在不控制电源的情况下稳定地生成PUF-ID。

13. 发明专利

JP5689569B2 不揮発性記憶装置有权
公开(公告)号：JP5689569B2
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：JP2014557912
申请日：2014-01-31
申请人：パナソニックIpマネジメント株式会社
发明人：佳一加藤 , 佳一加藤
IPC分类号： G11C13/00 , G06F21/73 , G06F21/79
CPC分类号： G11C13/004 , G11C7/20 , G11C7/24 , G11C13/0007 , G11C13/0059 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0076 , G11C2013/0083 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146

14. 发明专利

JP2015001761A 認証装置、認証方法およびプログラム有权
标题翻译：认证设备，认证方法和程序
公开(公告)号：JP2015001761A
公开(公告)日：2015-01-05
申请号：JP2013124513
申请日：2013-06-13
申请人：株式会社東芝 , Toshiba Corp
发明人： TANAMOTO TETSUFUMI , MARUGAME TAKAO , YASUDA SHINICHI , MITANI YUICHIRO , SHINPO ATSUSHI , KISHI TATSUYA
IPC分类号： G06F21/44 , G06K17/00 , G06K19/07 , G06K19/10
CPC分类号： G06F21/73 , G11C7/24 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C13/0035 , G11C16/10 , G11C16/349
摘要：【課題】デバイスの使用状況に関わらず、精度の高い認証を行うことが可能な認証装置、認証方法およびプログラムを提供する。【解決手段】実施形態の認証装置は、取得部と予測部と認証部とを備える。取得部は、第1デバイスの性能情報を取得する。予測部は、第2デバイスの、初期の性能情報からの経時的変化に応じた性能情報を予測する。認証部は、取得部により取得された性能情報と、予測部により予測された性能情報との一致度に応じて、第1デバイスが第2デバイスであるか否かを判断する認証処理を行う。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供无论设备的使用状态如何，都能够进行精确认证的认证装置，认证方法和程序。解决方案：认证装置包括获取单元，预测单元和认证单元。获取单元获取第一设备的性能信息。预测单元根据初始性能信息预测对应于时间变化的第二设备的性能信息。认证单元根据由获取单元获取的演奏信息与由预测单元预测的演奏信息之间的匹配程度来执行确定第一设备是否是第二设备的认证处理。

15. 发明专利

JP5398463B2 Interface ic and memory card equipped with this 有权
公开(公告)号：JP5398463B2
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：JP2009238173
申请日：2009-10-15
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：康隆中柴 , 宏明大窪 , 光司岡田 , 茂治中田 , 修一香川
IPC分类号： G06K19/073 , G06K19/00 , G06K19/07
CPC分类号： G06K19/073 , G11C7/24 , H03K19/017509
摘要： An exemplary aspect of the present invention is a memory card that includes: a memory that stores data; a driver that modulates the data stored in the memory; a transmitter that transmits the data modulated by the driver to a receiver provided in an external main unit; and an IC chip having the driver and the transmitter formed therein.

16. 发明专利

JP2013037736A Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2013037736A
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：JP2011171979
申请日：2011-08-05
申请人： Renesas Electronics Corp , ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人： TSUDA KOJI , KUBOTA YOSHITAKA , HIDAKA KENICHI , TAKAOKA HIROMICHI
IPC分类号： G11C13/00 , G11C17/14 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C7/24 , G06F21/75 , G06F21/79 , G11C13/0004 , G11C13/003 , G11C13/0059 , G11C17/16 , G11C2213/74 , G11C2213/79 , H01L23/5252 , H01L27/101 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance tamper resistance of a semiconductor device using a resistance change type storage element.SOLUTION: The semiconductor device includes a unit cell (10) for storing 1-bit cell data and a control circuit (100). The unit cell (10) includes n resistance change type storage elements (31) (n is an integer of 2 or more). At least one of the n resistance change type storage elements (31) is an effective element (40) in which the cell data are recorded. When the cell data are read out, the control circuit (100) selects at least the effective element (40), and reads out the data recorded in the effective element (40) as cell data.
摘要翻译：要解决的问题：提高使用电阻变化型存储元件的半导体器件的防篡改性。解决方案：半导体器件包括用于存储1位单元数据的单位单元（10）和控制电路（100）。单位电池（10）包括n个电阻变化型存储元件（31）（n为2以上的整数）。 n个电阻变化型存储元件（31）中的至少一个是其中记录单元数据的有效元件（40）。当读出单元数据时，控制电路（100）至少选择有效元件（40），并且将记录在有效元件（40）中的数据读出为单元数据。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

17. 发明专利

JP2012203919A Semiconductor memory device and control method therefor 审中-公开
标题翻译：半导体存储器件及其控制方法
公开(公告)号：JP2012203919A
公开(公告)日：2012-10-22
申请号：JP2011064536
申请日：2011-03-23
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： TAKIZAWA RYOSUKE
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G06F12/0238 , G06F3/0604 , G06F3/0644 , G06F3/0688 , G06F12/00 , G06F12/1416 , G06F12/1425 , G06F12/1441 , G06F2212/1016 , G06F2212/202 , G11C7/1009 , G11C7/24 , G11C8/08 , G11C8/20 , G11C11/1695
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a memory which can robustly protect internal data even when a non-volatile RAM is used instead of both a non-volatile ROM and a volatile RAM.SOLUTION: A memory includes: a memory cell array which stores data therein; and a write driver which writes data to memory cells. The write driver performs or does not perform writing of data according to write mask data input together with write data. A multiplexer selectively outputs either: a write protect signal fixed to a command being of the write mask data and serving to protect writing of the write data; or the write mask data. A write protect controller allows the multiplexer to output the write protect signal if an address of a write protect area and an address of the write data match, or allows the multiplexer to output the write mask data entirely if an address of the write protect area and an address of the write data does not match.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种即使在使用非易失性RAM而不是非易失性ROM和易失性RAM两者的情况下也可以强有力地保护内部数据的存储器。存储器包括：在其中存储数据的存储单元阵列; 以及将数据写入存储单元的写入驱动器。写入驱动器根据与写入数据一起输入的写入掩码数据执行或不执行数据写入。复用器选择性地输出：写入保护信号，其固定到具有写入掩码数据的命令，并用于保护写入数据的写入; 或写掩码数据。写保护控制器允许多路复用器输出写保护信号，如果写保护区的地址和写数据的地址匹配，或允许多路复用器完全输出写掩码数据，如果写保护区的地址和写入数据的地址不匹配。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

18. 发明专利

JP4957553B2 Portable auxiliary storage device 有权
公开(公告)号：JP4957553B2
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：JP2007542841
申请日：2006-11-07
申请人：パナソニック株式会社
发明人：太峰中澤 , 暁岡本 , 幸一森岡 , 禎明長水
IPC分类号： G06K19/073 , G06K19/077
CPC分类号： G11C7/24 , G06F12/1491 , G06F21/74 , G06F21/78 , G06F21/79 , G06F2221/2105 , G06F2221/2137 , G11B20/00152 , G11B20/0084 , G11B23/0303 , G11B2220/17 , G11C5/04 , G11C16/22

20. 发明专利

JP4619367B2 Nonvolatile storage 有权
公开(公告)号：JP4619367B2
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：JP2006542158
申请日：2004-10-26
申请人：スパンションエルエルシー
发明人：健太加藤 , 光洋長尾
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/02
CPC分类号： G11C7/20 , G11C7/24 , G11C8/08 , G11C11/417 , G11C16/20 , G11C16/225 , G11C29/028 , G11C2029/4402

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