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    • 12. 发明专利
    • 硬化物膜の製造方法
    • 用于制备固化产物薄膜的方法
    • JP2017035687A
    • 2017-02-16
    • JP2016157703
    • 2016-08-10
    • 積水化学工業株式会社
    • 西村 貴史金 千鶴▲高▼橋 駿夫前中 寛中村 秀
    • H05K3/28C08F2/50C08F290/06B05D3/06
    • 【課題】L*a*b*表色系におけるb*値が高くなり難く、光の反射率が高い硬化物膜を形成することができ、更に硬度が高い硬化物膜を形成することができる硬化物膜の製造方法を提供する。 【解決手段】本発明に係る硬化物膜の製造方法は、光硬化性化合物と、光重合開始剤と、白色顔料とを含む光硬化性組成物に光を照射し、硬化物膜を形成する光照射工程を備え、前記光照射工程において、254nmの受光器で測定した積算光量が1800mJ/cm 2 以下、365nmの受光器で測定した積算光量が750mJ/cm 2 以上かつ4000mJ/cm 2 以下、かつ254nmの受光器で測定した積算光量が、365nmの受光器で測定した積算光量よりも小さくなるように、光を照射する。 【選択図】図1
    • 甲的L * a * b *表中的颜色系统难以的b *值的增加,它是光的反射率,以形成一个高的固化膜可以进一步硬度,以形成一个高的固化膜 提供一种制造固化物层的方法。 根据本发明的生产的固化物膜的方法,包括:光固化性化合物,和光聚合引发剂,其包括白色颜料的光固化组合物的光照射,以形成固化物薄膜 包括光照射步骤中,在光照射工序中,通过波长254nm的光接收器测得的累计光为1800毫焦耳/厘米2或更小,光在光接收器750毫焦耳/厘米2或更多,4000毫焦/厘米2或更小的365nm的测量的累积量,和254nm的 由光接收器测量的光的累积量是如此之比在光接收器的测量为365nm的光的积分量小,则照射光。 点域1
    • 15. 发明专利
    • 有機EL表示素子用封止剤
    • JPWO2019198470A1
    • 2021-03-11
    • JP2019012361
    • 2019-03-25
    • 積水化学工業株式会社
    • 山本 拓也七里 徳重西出 勝則金 千鶴笹野 美香
    • H01L51/50H01L27/32C08G59/68C08G65/18G09F9/30H05B33/04
    • 本発明は、インクジェット塗布性、低アウトガス性、及び、基板や無機材料膜に対する密着性に優れ、かつ、信頼性に優れる有機EL表示素子を得ることができる有機EL表示素子用封止剤を提供することを目的とする。 本発明は、硬化性樹脂と、重合開始剤とを含有する有機EL表示素子用封止剤であって、前記硬化性樹脂は、下記式(1)で表される化合物と、下記式(2)で表される化合物とを含有し、下記式(1)で表される化合物の含有量が下記式(2)で表される化合物の含有量に対して、重量比で1.0倍以上1.5倍以下であり、25℃における有機EL表示素子用封止剤全体の粘度が40mPa・s以下であり、25℃における有機EL表示素子用封止剤全体の表面張力が15mN/m以上35mN/m以下である有機EL表示素子用封止剤である。 式(1)中、R 1 は、それぞれ独立に、結合手、直鎖状若しくは分岐鎖状の炭素数1以上18以下のアルキレン基、又は、直鎖状若しくは分岐鎖状の炭素数2以上18以下のアルケニレン基であり、R 2 は、直鎖状若しくは分岐鎖状の炭素数1以上18以下のアルキレン基、又は、直鎖状若しくは分岐鎖状の炭素数2以上18以下のアルケニレン基であり、nは、0又は1である。 [化1] [化2]
    • 17. 发明专利
    • 電子デバイス用封止剤及び有機EL表示素子用封止剤
    • JPWO2019117298A1
    • 2020-10-22
    • JP2018046155
    • 2018-12-14
    • 積水化学工業株式会社
    • 七里 徳重山本 拓也西出 勝則金 千鶴笹野 美香
    • H01L51/50H01L27/32G09F9/30C08G59/30H05B33/04
    • 本発明は、低アウトガス性、基板又は無機材料膜に対する濡れ広がり性、及び、透明性に優れる電子デバイス用封止剤を提供することを目的とする。また、本発明は、該電子デバイス用封止剤を用いてなる有機EL表示素子用封止剤を提供することを目的とする。 本発明は、硬化性樹脂と、重合開始剤及び/又は熱硬化剤とを含有する電子デバイス用封止剤であって、前記硬化性樹脂は、下記式(1)で表されるシリコーン化合物と下記式(3)で表されるシリコーン化合物とを含有し、電子デバイス用封止剤全体のヘイズが10%以下である電子デバイス用封止剤である。 式(1)中、R 1 は、炭素数1以上10以下のアルキル基を表し、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。X 1 、X 2 は、それぞれ独立に、炭素数1以上10以下のアルキル基、又は、下記式(2−1)、(2−2)、(2−3)、若しくは、(2−4)で表される基を表す。ただし、X 1 及びX 2 のうち少なくとも一方は、下記式(2−1)、(2−2)、(2−3)、又は、(2−4)で表される基を表す。 式(2−1)〜(2−4)中、R 2 は、結合手又は炭素数1以上6以下のアルキレン基を表し、式(2−3)中、R 3 は、水素又は炭素数1以上6以下のアルキル基を表し、R 4 は、結合手又はメチレン基を表し、式(2−4)中、R 5 は、水素又はメチル基を表す。 式(3)中、R 6 は、炭素数1以上10以下のアルキル基を表し、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。X 3 、X 4 は、それぞれ独立に、炭素数1以上10以下のアルキル基、又は、下記式(4−1)、(4−2)、(4−3)、若しくは、(4−4)で表される基を表す。nは、1以上1000以下の整数である。ただし、X 3 及びX 4 のうち少なくとも一方は、下記式(4−1)、(4−2)、(4−3)、又は、(4−4)で表される基を表す。 式(4−1)〜(4−4)中、R 7 は、結合手又は炭素数1以上6以下のアルキレン基を表し、式(4−3)中、R 8 は、水素又は炭素数1以上6以下のアルキル基を表し、R 9 は、結合手又はメチレン基を表し、式(4−4)中、R 10 は、水素又はメチル基を表す。 [化1] [化2] [化3] [化4]