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11. 发明专利

JP6401483B2 半導体装置の作製方法审中-公开
公开(公告)号：JP6401483B2
公开(公告)日：2018-10-10
申请号：JP2014079878
申请日：2014-04-09
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：野田耕生 , 鳥海聡志 , 種村和幸
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/318 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/0692 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/78606

12. 发明专利

JP2017143239A 半導体装置、および半導体装置の作成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017143239A
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：JP2016151922
申请日：2016-08-02
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：田中哲弘 , 種村和幸 , 松林大介
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/146 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L51/50 , H05B33/14 , H05B33/02 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/408 , H01L21/77 , H01L28/00 , H01L28/60 , H01L21/8258 , H01L27/0629 , H01L27/0688
摘要：【課題】微細な構造であっても、寄生容量が抑制され、高く安定した電気特性を有するトランジスタを提供する。また、該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化を達成する。【解決手段】基板上に第1の導電体と、第1の導電体上に第1の絶縁体と、第1の絶縁体上に固定電荷を保持する層と、固定電荷を保持する層上に、第2の絶縁体と、第2の絶縁体上にトランジスタを形成し、第1の絶縁体、第2の絶縁体、固定電荷を保持する層の膜厚を適宜調整することで、しきい値電圧V th を調整する。【選択図】図1

13. 发明专利

JP2017034051A 半導体装置、モジュールおよび電子機器审中-公开
标题翻译：半导体装置，模块和电子设备
公开(公告)号：JP2017034051A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2015151492
申请日：2015-07-31
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：種村和幸 , 田中哲弘 , 松林大介 , 笹川慎也 , 倉田求 , 澤井寛美
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/146 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/336
摘要：【課題】微細なトランジスタを提供する。【解決手段】基板上の第1の導電体と、第1の導電体上の第1乃至第4の絶縁体と、第4の絶縁体上の第5の絶縁体と、第5の絶縁体上の酸化物半導体と、酸化物半導体上の第6の絶縁体と、第6の絶縁体上の第7の絶縁体と、第7の絶縁体上の第2の導電体と、を有し、第1および第3の絶縁体は、シリコンを有し、第2の絶縁体は、アルミニウム、ハフニウム、ガリウム、イットリウムまたはジルコニウムから選ばれた一以上を有し、第4の絶縁体は、アルミニウム、ハフニウム、ガリウム、イットリウムまたはジルコニウムから選ばれた一以上を有し、第4の絶縁体は、第5の絶縁体と接する第1の部分と、第5の絶縁体と接しない第2の部分と、を有し、第1の部分の上面より、第2の部分の上面のほうが、下方に設けられ、第1の部分の上面と、第2の部分の上面と、の高さの差が、1nm以上10nm以下である半導体装置。【選択図】図1
摘要翻译：本发明的一个目的是提供一种精细晶体管。和衬底上的第一导体，第四绝缘体第一到所述第一导体和所述第四绝缘体上的第五绝缘体，第五绝缘体具有以上的氧化物半导体，对氧化物半导体的第六绝缘体，在第六绝缘体第七绝缘材料，并且在第七绝缘主体的第二导体，所述第一和第三绝缘体具有硅，所述第二绝缘体具有铝，铪，镓，一种或钇或锆，第四绝缘体，铝多个所选具有铪，镓，一种或钇或锆多个选定，第四绝缘体，不与在接触与第五绝缘体的第一部分，第五绝缘体接触的第二部分如果有，从第一部分的上表面上，它是朝向第二部分的上表面上，下方设置，并且所述第一部分的所述上表面，并且所述第二部分的上表面上，高度差，该半导体器件在1nm以上10nm以下。点域1

14. 发明专利

JP6893966B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6893966B2
公开(公告)日：2021-06-23
申请号：JP2019201571
申请日：2019-11-06
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：種村和幸 , 田中哲弘 , 野田耕生
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/8236 , H01L21/8229 , H01L27/102 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786

15. 发明专利

JP2020102643A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020102643A
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：JP2020035622
申请日：2020-03-03
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：田中哲弘 , 種村和幸
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/146 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L27/1156 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , G09F9/30 , H01L29/786
摘要：【課題】形状不良の起こりにくいトランジスタを提供する。または、電気特性の異常の少ないトランジスタを提供する。または、耐圧に優れたトランジスタを提供する。【解決手段】第1の導電体と、第2の導電体と、第1の半導体と、第2の半導体と、第3 の半導体と、絶縁体と、を有し、第2の半導体は、第1の半導体の上面と接する領域を有し、第1の導電体は、第1の導電体と第2の半導体とが互いに重なる領域を有し、絶縁体は、第1の導電体と第1の半導体との間に配置され、第2の導電体は、第2の半導体の上面と接する領域を有し、第3の半導体は、第1の半導体の上面、第2の半導体の上面および第2の導電体の上面と接する領域を有する半導体装置である。【選択図】図1

16. 发明专利

JP2020074448A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020074448A
公开(公告)日：2020-05-14
申请号：JP2020009094
申请日：2020-01-23
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：熱海知昭 , 坂倉真之 , 山元良高 , 小山潤 , 田中哲弘 , 種村和幸
IPC分类号： H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L27/11568 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786 , H01L21/8242
摘要：【課題】高信頼性・高速動作に適した半導体装置を提供すること。【解決手段】第1の回路と、第2の回路と、第3の回路と、を有し、第1の回路は、演算処理機能を有し、第2の回路は、記憶回路を有し、記憶回路は、トランジスタを有し、トランジスタは、第1の導電体と、第2の導電体と、第1の絶縁体と、第2の絶縁体と、半導体と、を有し、第1の導電体は、第1の絶縁体を介して半導体と互いに重なる領域を有し、第2の導電体は、第2の絶縁体を介して半導体と互いに重なる領域を有し、第1の導電体は、トランジスタの導通または非導通を選択する機能を有し、第3の回路は、第2の導電体と電気的に接続し、第2の導電体の電位をトランジスタの動作と同期して可変する機能を有する半導体装置。【選択図】図1

17. 发明专利

JP6671136B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6671136B2
公开(公告)日：2020-03-25
申请号：JP2015202791
申请日：2015-10-14
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：田中哲弘 , 種村和幸
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/146 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L27/1156 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , G09F9/30 , H01L29/786

18. 发明专利

JPWO2018167601A1 半導体装置、および半導体装置の作製方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018167601A1
公开(公告)日：2020-01-09
申请号：JPIB2018051416
申请日：2018-03-06
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平 , 種村和幸 , 松林大介 , 村川努 , 竹内敏彦 , 駒形大樹
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L27/10 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/786
摘要：微細化、高集積化された半導体装置を提供する。第1の領域、第2の領域、および第1の領域と第2の領域と隣接する第3の領域を有する酸化物半導体と、酸化物半導体上の第1の絶縁体と、第1の絶縁体上の導電体と、酸化物半導体、第1の絶縁体、および導電体上の第2の絶縁体と、第2の絶縁体上の第3の絶縁体と、を有し、第1の領域は、第1の絶縁体と接し、かつ第1の絶縁体、および導電体を介して、第3の絶縁体と重畳し、第2の領域は、第2の絶縁体と接し、かつ第2の絶縁体を介して、第3の絶縁体と重畳し、第2の絶縁体は金属酸化物であり、第3の絶縁体は水素、または窒素を含む。

19. 发明专利

JP2016105469A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016105469A
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：JP2015225257
申请日：2015-11-18
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：田中哲弘 , 松林大介 , 種村和幸
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/088 , G02F1/1368 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L29/788 , H01L29/7881 , H01L27/14612 , H01L29/1083
摘要：【課題】高信頼性・高速動作に適した半導体装置を提供すること。【解決手段】第1の導電体と、第2の導電体と、第1の絶縁体と、第2の絶縁体と、第3の絶縁体と、半導体と、電子捕獲層と、を有し、半導体は、チャネル形成領域を有し、電子捕獲層は、第2の絶縁体を介してチャネル形成領域と互いに重なる領域を有し、第1の導電体は、第1の絶縁体を介してチャネル形成領域と互いに重なる領域を有し、第2の導電体は、第3の絶縁体を介して電子捕獲層と互いに重なる領域を有し、第2の導電体は、チャネル形成領域と重なる領域を有さない半導体装置。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种适用于高可靠性和高速运行的半导体器件。解决方案：半导体器件包括第一导体，第二导体，第一绝缘体，第二绝缘体，第三绝缘体，半导体和电子捕获层。半导体具有沟道形成区域。电子捕获层具有经由第二绝缘体与沟道形成区域重叠的区域。第一导体具有经由第一绝缘体与沟道形成区重叠的区域。第二导体具有经由第三绝缘体与电子捕获层重叠的区域。第二导体没有与沟道形成区域重叠的区域。选择图：图5

20. 发明专利

JP2016082238A 半導体装置、モジュールおよび電子機器审中-公开
标题翻译：半导体器件，模块和电子设备
公开(公告)号：JP2016082238A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：JP2015202791
申请日：2015-10-14
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：田中哲弘 , 種村和幸
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/146 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/78618 , H01L29/78648 , H01L29/78696
摘要：【課題】形状不良の起こりにくいトランジスタを提供する。または、電気特性の異常の少ないトランジスタを提供する。または、耐圧に優れたトランジスタを提供する。【解決手段】第1の導電体と、第2の導電体と、第1の半導体と、第2の半導体と、第3の半導体と、絶縁体と、を有し、第2の半導体は、第1の半導体の上面と接する領域を有し、第1の導電体は、第1の導電体と第2の半導体とが互いに重なる領域を有し、絶縁体は、第1の導電体と第1の半導体との間に配置され、第2の導電体は、第2の半導体の上面と接する領域を有し、第3の半導体は、第1の半導体の上面、第2の半導体の上面および第2の導電体の上面と接する領域を有する半導体装置である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种导致较少形状故障的晶体管，提供能够降低电特性异常的晶体管，并提供具有优异耐受电压的晶体管。解决方案：半导体器件包括第一导体，第二导体导体，第一半导体，第二半导体，第三半导体和绝缘体。第二半导体具有与第一半导体的上表面接触的区域，第一导体具有第一导体和第二半导体彼此重叠的区域。绝缘体布置在第一导体和第一半导体之间。第二导体具有与第二半导体的上表面接触的区域。第三半导体具有与第一半导体的上表面，第二半导体的上表面和第二导体的上表面接触的区域。图1

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