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1. 发明专利

JP6652342B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6652342B2
公开(公告)日：2020-02-19
申请号：JP2015153219
申请日：2015-08-03
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：熱海知昭 , 坂倉真之 , 山元良高 , 小山潤 , 田中哲弘 , 種村和幸
IPC分类号： H01L27/1156

2. 发明专利

JP6176899B2 蓄電装置の作製方法及び負極の作製方法有权
公开(公告)号：JP6176899B2
公开(公告)日：2017-08-09
申请号：JP2012182131
申请日：2012-08-21
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：竹内敏彦 , 高橋実 , 長多剛 , 小國哲平 , 種村和幸
IPC分类号： H01M4/38 , H01M4/36 , H01M4/1395
CPC分类号： H01M4/134 , H01G11/06 , H01G11/30 , H01G11/50 , H01M10/0525 , H01M2220/20 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02T10/7011 , Y02T10/7022 , Y10T428/23943

3. 发明专利

JP2016119447A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016119447A
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：JP2015153219
申请日：2015-08-03
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：熱海知昭 , 坂倉真之 , 山元良高 , 小山潤 , 田中哲弘 , 種村和幸
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/08 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/10 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792 , G09F9/30 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L29/78648
摘要：【課題】高信頼性・高速動作に適した半導体装置を提供すること。【解決手段】第1の回路と、第2の回路と、第3の回路と、を有し、第1の回路は、演算処理機能を有し、第2の回路は、記憶回路を有し、記憶回路は、トランジスタを有し、トランジスタは、第1の導電体と、第2の導電体と、第1の絶縁体と、第2の絶縁体と、半導体と、を有し、第1の導電体は、第1の絶縁体を介して半導体と互いに重なる領域を有し、第2の導電体は、第2の絶縁体を介して半導体と互いに重なる領域を有し、第1の導電体は、トランジスタの導通または非導通を選択する機能を有し、第3の回路は、第2の導電体と電気的に接続し、第2の導電体の電位をトランジスタの動作と同期して可変する機能を有する半導体装置。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供适合于高可靠性和快速操作的半导体器件。解决方案：半导体器件包括第一电路，第二电路和第三电路。第一电路具有算术处理功能，第二电路具有存储电路。存储电路具有晶体管。晶体管具有第一导体，第二导体，第一绝缘体，第二绝缘体和半导体。第一导体具有经由第一绝缘体与半导体重叠的区域。第二导体具有经由第二绝缘体与半导体重叠的区域。第一导体具有选择晶体管的导通或不导通的功能。第三电路与第二导体电连接以具有与晶体管的操作同步地改变第二导体的电位的功能。图1

4. 发明专利

JP6956820B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6956820B2
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：JP2020041500
申请日：2020-03-11
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：田中哲弘 , 松林大介 , 種村和幸
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/146 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , G02F1/1368 , H01L21/336

5. 发明专利

JP2020115545A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020115545A
公开(公告)日：2020-07-30
申请号：JP2020041500
申请日：2020-03-11
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：田中哲弘 , 松林大介 , 種村和幸
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/146 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , G02F1/1368 , H01L21/336
摘要：【課題】高信頼性・高速動作に適した半導体装置を提供すること。【解決手段】第1の導電体と、第2の導電体と、第1の絶縁体と、第2の絶縁体と、第3 の絶縁体と、半導体と、電子捕獲層と、を有し、半導体は、チャネル形成領域を有し、電子捕獲層は、第2の絶縁体を介してチャネル形成領域と互いに重なる領域を有し、第1の導電体は、第1の絶縁体を介してチャネル形成領域と互いに重なる領域を有し、第2の導電体は、第3の絶縁体を介して電子捕獲層と互いに重なる領域を有し、第2の導電体は、チャネル形成領域と重なる領域を有さない半導体装置。【選択図】図5

6. 发明专利

JPWO2019025893A1 半導体装置、および半導体装置の作製方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019025893A1
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：JPIB2018055312
申请日：2018-07-18
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：種村和幸 , 鎌田悦子 , 澤井寛美 , 松林大介
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/06 , H01L27/1156 , H01L29/786
摘要：しきい値電圧の大きい半導体装置を提供する。基板上に配置された第1の導電体と、第1の導電体の上に配置された第1の絶縁体と、第1の絶縁体の上面に接して配置された第1の酸化物と、第1の酸化物の上面に接して配置された第2の絶縁体と、第2の絶縁体の上に配置された第2の酸化物と、第2の酸化物の上に配置された第3の絶縁体と、第3の絶縁体の上に配置された第2の導電体と、を有し、第1の絶縁体と第1の酸化物の間には、混合層が形成され、混合層は、第1の絶縁体に含まれる原子の少なくとも一と、第1の酸化物に含まれる原子の少なくとも一と、を含み、混合層は、負の固定電荷を有する。

7. 发明专利

JP2020038981A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020038981A
公开(公告)日：2020-03-12
申请号：JP2019201571
申请日：2019-11-06
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：種村和幸 , 田中哲弘 , 野田耕生
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/8236 , H01L21/8229 , H01L27/102 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786
摘要：【課題】半導体装置のしきい値電圧の補正手段を提供する。【解決手段】半導体装置において、インバータ回路120はトランジスタ121および122から構成される。少なくとも一つのトランジスタは、基板500上の下地絶縁層502と、下地絶縁層502上の酸化物半導体層504a、504bと、酸化物半導体層504a、504b上のソース電極506aおよびドレイン電極506cと、ソース電極506aおよびドレイン電極506cと接する酸化物半導体層504cと、酸化物半導体層504c上のゲート絶縁層508と、ゲート絶縁層508上のゲート電極510aと、ソース電極506a、ドレイン電極506c、およびゲート電極510a上の酸化物絶縁層512と、酸化物絶縁層512上の平坦化膜513と、を有する。【選択図】図16

8. 发明专利

JPWO2020008294A1 金属酸窒化物膜の作製方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020008294A1
公开(公告)日：2021-08-02
申请号：JPIB2019055287
申请日：2019-06-24
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：種村和幸 , 三本菅正太 , 奥野直樹
IPC分类号： C23C14/06 , H01L33/40 , H01L21/363
摘要：金属酸窒化物膜を低温でエピタキシャル成長させて成膜する方法を提供する。単結晶の基板上に、窒素ガスを含む気体を導入して、酸化物ターゲットを用いて、スパッタリング法によって、エピタキシャル成長させる金属酸窒化物膜の作製方法であって、酸化物ターゲットは、亜鉛を含み、金属酸窒化物膜の成膜中の基板は、80℃以上400℃以下であり、窒素ガスの流量は、気体の全流量中の50%以上100%以下である。

9. 发明专利

JP2021090065A 半導体装置および電子機器有权
公开(公告)号：JP2021090065A
公开(公告)日：2021-06-10
申请号：JP2021017988
申请日：2021-02-08
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：田中哲弘 , 種村和幸 , 松林大介
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/06 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/146 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L21/336
摘要：【課題】微細な構造であっても、寄生容量が抑制され、高く安定した電気特性を有するトランジスタを提供する。また、該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化を達成する。【解決手段】基板上に第1の導電体と、第1の導電体上に第1の絶縁体と、第1の絶縁体上に固定電荷を保持する層と、固定電荷を保持する層上に、第2の絶縁体と、第2の絶縁体上にトランジスタを形成し、第1の絶縁体、第2の絶縁体、固定電荷を保持する層の膜厚を適宜調整することで、しきい値電圧V th を調整する。【選択図】図1

10. 发明专利

JP6584196B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6584196B2
公开(公告)日：2019-10-02
申请号：JP2015151492
申请日：2015-07-31
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：種村和幸 , 田中哲弘 , 松林大介 , 笹川慎也 , 倉田求 , 澤井寛美
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/146 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/336

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