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11. 发明专利

JP2020061462A ウェーハの加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020061462A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：JP2018191710
申请日：2018-10-10
申请人：株式会社ディスコ
发明人：高橋邦充 , 村澤尚樹
IPC分类号： H01L21/3065 , B23K26/53 , H01L21/301
摘要：【課題】コストを抑制しながらもプラズマエッチングを行うことができるウェーハの加工方法を提供すること。【解決手段】ウェーハの加工方法は、ウェーハの表面の機能層側に粘着テープを配設する保護部材配設ステップST1と、ウェーハの裏面に切削溝を分割予定ラインに沿って形成する切削ステップST2と、ウェーハの裏面側にプラズマ状態のエッチングガスを供給し、基板を分割するプラズマエッチングステップST3と、裏面側からレーザー光線を照射し、分割溝の底で露出した機能層を変質させる機能層変質ステップST4と、粘着テープを引き延ばして拡張し、変質領域を破断起点にして機能層を破断する機能層破断ステップST5と、を備える。機能層変質ステップST4は、レーザー光線の集光点を機能層より上方に設定し、分割溝の内側面で反射したレーザー光線が機能層に照射される。【選択図】図2

12. 发明专利

JP6401943B2 レーザー加工装置审中-公开
公开(公告)号：JP6401943B2
公开(公告)日：2018-10-10
申请号：JP2014125167
申请日：2014-06-18
申请人：株式会社ディスコ
发明人：平田和也 , 武田昇 , 芳野知輝 , 村澤尚樹
IPC分类号： B23K26/064 , H01L21/301 , B23K26/53

13. 发明专利

JP2018088865A マイクロ電極体及びマイクロ電極体の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018088865A
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：JP2016234957
申请日：2016-12-02
申请人：株式会社ディスコ
发明人：田畑晋 , 高橋邦充 , 村澤尚樹
IPC分类号： C12M1/34
摘要：【課題】細胞又は微生物の電気特性の検出又はコントロールに支障を来すことがないマイクロ電極体を提供する。【解決手段】電気特性を検出するマイクロ電極体2は、上面に複数の開口6が形成された絶縁性基板4と、複数の開口6のそれぞれに配設された電極パッド10とを備える。電極パッド10には突起電極12が形成されている。突起電極12は、絶縁性基板4に形成された開口6から電極パッド10にレーザー光線を照射して溶融と熱膨張とによって水滴の跳ね返りの如く形成される。【選択図】図1

14. 发明专利

JP2016016407A レーザー加工装置审中-公开
标题翻译：激光加工设备
公开(公告)号：JP2016016407A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：JP2014138483
申请日：2014-07-04
申请人：株式会社ディスコ
发明人：平田和也 , 田畑晋 , 小柳将 , 村澤尚樹 , 芳野知輝 , 諸徳寺匠
IPC分类号： G01N21/958 , G01M11/00 , B23K26/00
摘要：【課題】製造コストの上昇を抑制しつつ、レーザー光による加工精度を維持すること。【解決手段】集光レンズの良否判定するレンズ判定手段(3)を備え、レンズ判定手段を、基準テーブル(33)と、集光レンズ(23)を検査する検査光を発光する検査光発光部(31)と、検査光発光部から発光される検査光をハーフミラー(32)と、ハーフミラーで分割され、基準テーブル上の第1の板状ミラー(34)で反射した第1の検査光を受光して撮像する撮像素子(361)を有する撮像部(36)と、ハーフミラーで分割された第2の検査光を集光レンズを透過させ、加工テーブル上の第2の板状ミラー(35)で反射した第2の検査光を撮像素子で受光させ、撮像素子が受光する第1の検査光と第2の検査光とによる干渉縞画像によって集光レンズの良否判定する判定部(37)とで構成した。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：通过激光束来保持加工精度，同时抑制制造成本的上升。解决方案：激光加工装置包括透镜确定装置（3），其执行聚光透镜的质量确定，并且透镜确定装置由标准台（33），发出用于检查聚光透镜（23）的检查光的检查光发射部分（31），将检查光发射部分发射的检查光分开的半反射镜（32）和具有摄像元件（361）的图像摄取部（36），其接收由半反射镜分隔并由标准台上的第一平面镜（34）反射的第一检查光，并执行图像拍摄和确定部（ 37），其使聚光透镜转移由半反射镜分开的第二检查光，使得摄像元件接收由第二平面mir反射的第二检查光 ror（35），并且通过第一检查光和由摄像元件接收的第二检查光，根据干涉条纹图像进行聚光透镜的质量判定。图1

15. 发明专利

JP2021132099A クリーニング装置及びクリーニング方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021132099A
公开(公告)日：2021-09-09
申请号：JP2020026208
申请日：2020-02-19
申请人：株式会社ディスコ
发明人：高橋邦充 , 村澤尚樹
IPC分类号： B23K26/16 , B23K26/70 , B23K26/122 , B23K26/03 , B08B7/00 , H01L21/304
摘要：【課題】対象物に付着した付着物を簡易に除去可能なクリーニング装置を提供する。【解決手段】レーザービームを対象物に照射して対象物に付着した付着物を除去するクリーニング装置であって、対象物を冷却する冷却ユニットと、冷却ユニットにより冷却された対象物にガスを供給するガス供給ユニットと、対象物にレーザービームを照射するレーザービーム照射ユニットと、を有し、ガス供給ユニットからガスを冷却ユニットによって冷却された対象物に供給し、対象物の付着物が付着した領域でガスを凝縮させることによって、付着物を液体で覆い、レーザービーム照射ユニットから液体にレーザービームを照射することにより、液体を蒸発させて付着物を対象物から除去する。【選択図】図2

16. 发明专利

JP2020061461A ウェーハの加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020061461A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：JP2018191709
申请日：2018-10-10
申请人：株式会社ディスコ
发明人：高橋邦充 , 村澤尚樹
IPC分类号： H01L21/301
摘要：【課題】コストを抑制しながらもプラズマエッチングを行うことができるウェーハの加工方法を提供すること。【解決手段】ウェーハの加工方法は、表面に複数のデバイスが形成されたウェーハを分割する方法である。ウェーハの加工方法は、ウェーハの表面の機能層側に粘着テープを配設する保護部材配設ステップST1と、ウェーハの裏面に切削溝を分割予定ラインに沿って形成する切削ステップST2と、ウェーハの裏面側にプラズマ状態のエッチングガスを供給し、基板を分割するプラズマエッチングステップST3と、粒径が5μm以下の砥粒を有する電着砥石からなり、分割溝の幅より薄い切り刃を備える第2の切削ブレードを、ウェーハの裏面側から分割溝に沿って切り込ませ、分割溝の底で露出した機能層を切削して分割する機能層分割ステップST4と、を備える。【選択図】図2

17. 发明专利

JP2020061460A ウェーハの加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020061460A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：JP2018191708
申请日：2018-10-10
申请人：株式会社ディスコ
发明人：高橋邦充 , 村澤尚樹
IPC分类号： B23K26/53 , H01L21/301
摘要：【課題】コストを抑制しながらもプラズマエッチングを行うことができるウェーハの加工方法を提供すること。【解決手段】ウェーハの加工方法は、表面に複数のデバイスが形成されたウェーハを分割する方法である。ウェーハの加工方法は、ウェーハの表面の機能層側に粘着テープを配設する保護部材配設ステップST1と、ウェーハの裏面に切削溝を分割予定ラインに沿って形成する切削ステップST2と、ウェーハの裏面側にプラズマ状態のエッチングガスを供給し、基板を分割するプラズマエッチングステップST3と、ウェーハの裏面側からレーザー光線を分割溝に沿って照射し、分割溝の底で露出した機能層を加熱して変質させる機能層変質ステップST4と、粘着テープを引き延ばして拡張し、変質領域を破断起点にして機能層を分割予定ラインに沿って破断する機能層破断ステップST5と、を備える。【選択図】図2

18. 发明专利

JP2020061440A ウェーハの加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020061440A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：JP2018191091
申请日：2018-10-09
申请人：株式会社ディスコ
发明人：高橋邦充 , 村澤尚樹
IPC分类号： H01L21/3065 , B23K26/38 , H01L21/301
摘要：【課題】コストを抑制しながらもプラズマエッチングを行うことができるウェーハの加工方法を提供すること。【解決手段】ウェーハの加工方法は、ガリウムヒ素からなる基板の表面に複数のデバイスが形成されたウェーハを分割する方法である。ウェーハの加工方法は、ウェーハの表面の機能層側に粘着テープを配設する保護部材配設ステップST1と、ウェーハの裏面に切削溝を分割予定ラインに沿って形成する切削ステップST2と、ウェーハの裏面側にプラズマ状態のエッチングガスを供給し、分割溝で基板を分割するプラズマエッチングステップST3と、レーザー光線をウェーハの裏面側から露出した機能層に照射し、分割する機能層分割ステップST4と、を備える。【選択図】図2

19. 发明专利

JP2020001146A 切削ブレード、切削ブレードの製造方法及び被加工物の加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020001146A
公开(公告)日：2020-01-09
申请号：JP2018125885
申请日：2018-07-02
申请人：株式会社ディスコ
发明人：村澤尚樹 , 大武裕介
IPC分类号： H01L21/301 , B24D5/00 , B24D3/00 , B24B27/06 , B23K26/352 , B24D5/12
摘要：【課題】加工不良の発生を抑制することが可能な切削ブレードを提供する。【解決手段】砥粒13と、砥粒を結合するボンド材11と、を含む切れ刃部5を有する切削ブレードであって、ボンド材の表面には、幅が砥粒の粒径以下である突起部11aによって構成される凹凸構造が形成されている。また、砥粒と、砥粒を結合するボンド材と、を含む切れ刃部を有する切削ブレードの製造方法であって、レーザービームを切れ刃部に照射することにより、ボンド材の表面に、幅が砥粒の粒径以下である突起部によって構成される凹凸構造を形成する。【選択図】図2

20. 发明专利

JP2019116395A 凹部又は貫通孔の形成方法、電極の形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019116395A
公开(公告)日：2019-07-18
申请号：JP2017249776
申请日：2017-12-26
申请人：株式会社ディスコ
发明人：関家一馬 , 村澤尚樹
IPC分类号： B23K26/53 , C03B33/02 , H05K3/40 , C03C15/00
摘要：【課題】基板に貫通電極を高い品質で形成するための凹部又は貫通孔を形成する。【解決手段】基板の厚さ方向に沿う凹部又は貫通孔を該基板に形成する凹部又は貫通孔の形成方法であって、該基板に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光領域を該基板内部に位置づけた状態で該レーザビームを該基板に照射して、該基板の表面に露出し該基板の厚さ方向に沿う柱状の変質領域を形成する変質領域形成ステップと、該変質領域形成ステップを実施した後、該変質領域をエッチングして該基板に凹部又は貫通孔を形成するエッチングステップと、を備える。該基板は、ガラス基板でもよい。そして、該エッチングステップを実施した後、該凹部又は該貫通孔に導電部材を充填することで該基板の厚さ方向に沿う該電極を該基板に形成する。例えば、該凹部又は該貫通孔に該導電部材として導電性の粉末を充填し、該基板を加熱して該電極を形成する。【選択図】図1

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