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11. 发明专利

JP2017157778A 基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017157778A
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：JP2016042010
申请日：2016-03-04
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：土場重樹 , 小川裕之 , 内藤啓 , 清水昭貴 , 松土龍夫
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32357 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32422 , H01J37/32467 , H01J37/32495 , H01L21/67069
摘要：【課題】ラジカルの失活を抑制し、エッチングの均一性を図ることを目的とする。【解決手段】高周波のエネルギーによりガスからプラズマを生成し、生成したプラズマ中のラジカルにより処理容器の内部にて基板をエッチング処理する基板処理装置であって、前記処理容器の内部に高周波のエネルギーを供給する高周波電源と、前記処理容器の内部にガスを導入するガス供給源と、前記基板を載置する載置台と、前記処理容器の内部に設けられ、前記処理容器の内部をプラズマ生成空間と基板処理空間とに仕切り、イオンの透過を抑制する仕切板と、を有し、前記処理容器の内壁表面のうちの少なくとも前記載置台よりも上の部分と、前記仕切板とは、再結合係数が0.002以下の誘電体で覆われている、基板処理装置が提供される。【選択図】図5

12. 发明专利

JP5814430B2 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置用電極有权
标题翻译：电极用于等离子体处理装置和等离子体处理装置
公开(公告)号：JP5814430B2
公开(公告)日：2015-11-17
申请号：JP2014123283
申请日：2014-06-16
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：檜森慎司 , 林大輔 , 清水昭貴
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/509 , C23C16/52 , H05H1/46

13. 发明专利

JP2015167155A プラズマ処理装置のクリーニング方法有权
标题翻译：等离子体处理装置的清洁方法
公开(公告)号：JP2015167155A
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：JP2014040524
申请日：2014-03-03
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：岸宏樹 , 橋本充 , 霜田恵一 , 西村栄一 , 清水昭貴
IPC分类号： C23F4/00 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3053 , H01J37/32091 , H01J37/32862 , H01J2237/022
摘要：【課題】容量結合型の平行平板プラズマ処理装置において発生するイオン化傾向の小さい金属を含む堆積物を除去する技術を提供する。【解決手段】上部電極上に形成された堆積物を除去するための方法である。堆積物は、プラズマ処理装置の処理容器内において下部構造の下部電極と上部電極の間で発生させたプラズマを用いて金属を含有する金属層をエッチングすることによって、発生する。この方法MT1は、上部電極上に形成された第1の堆積物にイオンを衝突させる工程ST12と、前記工程によって発生し下部構造上に形成された第2の堆積物を除去する工程ST13と、を各々含む複数のサイクルを実行する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种除去在电容耦合平行板等离子体处理装置中产生的含有小电离倾向的金属的沉积物的技术。解决方案：提供一种去除在上电极上形成的沉积物的方法。通过在等离子体处理装置中通过使用在下部电极和下部结构的上部电极之间产生的等离子体来蚀刻包含金属的金属层来产生沉积物。去除形成在上电极上的沉淀物的方法MT1执行多个循环，每个循环包括用于使离子与上电极上的第一沉积物碰撞的步骤ST12，以及用于去除由上述步骤产生的第二沉积物的步骤ST13 并形成在下部结构上。

14. 发明专利

JP2015065215A 被処理体をプラズマ処理する方法有权
标题翻译：用等离子体处理工件的方法
公开(公告)号：JP2015065215A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：JP2013196901
申请日：2013-09-24
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：清水昭貴 , 大石哲也
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： C23C14/3457 , H01J37/32091 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/32137 , H01J2237/334
摘要：【課題】高アスペクト比・高エッチングレート形成。【解決手段】上部電極と下部電極の間で生成されるプラズマにより被処理体が処理される。SF 6 、ClF 3 、及びF 2 の少なくとも何れかを含有する第1のガスのプラズマを生成し、被処理体の被エッチング層をエッチングするエッチング工程と、ハイドロカーボン、フルオロカーボン及びフルオロハイドロカーボンの少なくとも何れかを含有する第2のガスのプラズマを生成し、被エッチング層の少なくとも一部に第2のガスに由来する保護膜を形成する第1の成膜工程とを含む。エッチング工程においては、処理容器内の圧力が第1の圧力とされ、且つ下部電極に第1のバイアス電力が印加される。第1の成膜工程においては、処理容器内の圧力が第1の圧力よりも低い第2の圧力とされ、且つ下部電極に第1のバイアス電力よりも高い第2のバイアス電力が印加される。エッチング工程及び第1の成膜工程が繰り返される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：以高蚀刻速率形成具有高纵横比的形状。解决方案：通过在上电极和下电极之间产生的等离子体处理工件。通过等离子体处理工件的方法包括以下步骤：产生包含SF，ClF和FF中的至少任一种的第一气体的等离子体，并蚀刻工件的蚀刻层（蚀刻步骤）; 以及产生包含烃，碳氟化合物和氟代烃中的至少任一种的第二气体的等离子体，并在所述蚀刻层的至少一部分中形成源自所述第二气体的保护膜（第一沉积步骤）。在蚀刻步骤中，处理容器中的压力是第一压力，并且第一偏压功率被施加到下电极。在第一沉积步骤中，处理容器中的压力是比第一压力低的第二压力，并且高于第一偏压功率的第二偏压功率被施加到下电极。重复执行蚀刻步骤和第一沉积步骤。

15. 发明专利

JP2021150488A 基板処理方法及び基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021150488A
公开(公告)日：2021-09-27
申请号：JP2020048974
申请日：2020-03-19
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：高橋信博 , 清水昭貴 , 浅田泰生
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：【課題】シリコン層とシリコンゲルマニウム層が交互に積層された基板の処理において、シリコン層に対するシリコンゲルマニウム層の選択的エッチングを適切に行う。【解決手段】シリコン層とシリコンゲルマニウム層が交互に積層された基板の処理方法であって、リモートプラズマを使用してラジカル化されたフッ素及び酸素を含むガスを用いて、前記シリコンゲルマニウム層の露出面の表層を選択的に酸化して酸化膜を形成する工程と、形成された前記酸化膜を除去する工程と、を含む。【選択図】図3

16. 发明专利

JP2021052039A エッチング方法、ダメージ層の除去方法、および記憶媒体审中-公开
公开(公告)号：JP2021052039A
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：JP2019172528
申请日：2019-09-24
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：清水昭貴
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：【課題】CF系ガスを含むガスを用いたプラズマエッチング後のパターンに生成されるダメージ層を十分に除去することができる技術を提供する。【解決手段】エッチング方法は、シリコン含有部分上に形成されたエッチング対象部を有する基板を準備する工程と、基板のエッチング対象部を、CF系ガスを含む処理ガスのプラズマにより所定パターンにプラズマエッチングする工程と、プラズマエッチングにより、パターンの底部に露出するシリコン含有部分にCおよびFが打ち込まれて生成されたダメージ層を除去する工程とを有し、ダメージ層を除去する工程は、酸素を含むラジカルおよびフッ素を含むラジカルを供給し、ダメージ層をフッ素を含むラジカルでエッチングしつつ酸素を含むラジカルにより酸化してダメージ層の酸化物を形成する工程と、酸化物を、ガスによる化学的処理またはラジカル処理により除去する工程とを有する。【選択図】図1

17. 发明专利

JP2019012759A エッチング方法およびエッチング装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019012759A
公开(公告)日：2019-01-24
申请号：JP2017128222
申请日：2017-06-30
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：清水昭貴 , 宇田秀一郎 , 齊藤剛 , 加藤大輝
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：【課題】専用の装置を用いることなく、かつ表面酸化を生じさせることなく、窒化シリコン(SiN)膜を選択的にエッチングする。【解決手段】窒化シリコン膜を選択的にエッチングする方法は、窒化シリコン膜を有する被処理基板を処理空間に配置する第1の工程と、処理空間にHとFを含むガスを導入する第2の工程と、処理空間に不活性ガスのラジカルを選択的に導入する第3の工程とを有する。【選択図】図7

18. 发明专利

JP6082391B2 基板処理装置及び基板処理方法有权
标题翻译：一种基板处理装置和基板处理方法
公开(公告)号：JP6082391B2
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：JP2014516723
申请日：2013-04-16
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：西村栄一 , 清水昭貴 , 山下扶美子 , 浦山大介
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32513 , H01J37/32 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32449 , H01J37/32724 , H01J37/32834 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L43/12 , H01J2237/334

19. 发明专利

JP5704192B2 プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置並びに記憶媒体有权
标题翻译：等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置和存储介质
公开(公告)号：JP5704192B2
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：JP2013125929
申请日：2013-06-14
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：坂尾洋介 , 上打田内健介 , 清水昭貴
IPC分类号： H01L21/3065

20. 发明专利

JP6929148B2 エッチング方法およびエッチング装置有权
公开(公告)号：JP6929148B2
公开(公告)日：2021-09-01
申请号：JP2017128222
申请日：2017-06-30
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：清水昭貴 , 宇田秀一郎 , 齊藤剛 , 加藤大輝
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065

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