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11. 发明专利

JP2016092073A 化学気相成長装置に用いられるサセプタおよびそれを備えた化学気相成長装置审中-公开
标题翻译：用于化学蒸气沉积装置的SUSCEPTOR和具有该化学气相沉积装置的化学气相沉积装置
公开(公告)号：JP2016092073A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2014221613
申请日：2014-10-30
申请人：株式会社デンソー , 一般財団法人電力中央研究所 , 昭和電工株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社
发明人：上東秀幸 , 原一都 , 内藤正美 , 藤林裕明 , 土田秀一 , 鎌田功穂 , 伊藤雅彦 , 深田啓介 , 小澤隆弘 , 中嶋健次 , 青木宏文
IPC分类号： C23C16/458 , H01L21/683 , H01L21/205
摘要：【課題】パーティクル源となるSiCの付着量を低減でき、再利用する際の研磨量を低減できるようにする。【解決手段】サセプタ4のうちの搭載面4baと底面部4aとの間に水準差を設け、底面部4aの表面が搭載面4baから凹んだ状態とする。これにより、底面部4a上にSiC20が付着しても、そのSiC20がSiC基板10やSiC膜11に付着しない。また、支持体4cのうちの突起部4cbの上にSiC20が付着したとしても、突起部4cはSiC基板10の外周の一部としか接していないことから、SiC20の付着範囲は狭く、影響は少ない。そして、SiC基板10上へのSiC膜11の成膜が完了したら、新しいSiC基板10を用意して、再びサセプタ4に搭載し、SiC基板10の上にSiC膜11を成膜する。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：通过减少可能成为颗粒源的待沉积的SiC的量来减少在再循环的情况下的抛光量。解决方案：在装载表面4ba和底面部分4a之间提供标准差基座4，使得底面部分4a的表面从装载表面4ba凹陷。因此，即使SiC 20沉积到底面部分4a上，SiC 20既不沉积到SiC衬底10上，也不沉积到SiC膜11.此外，即使SiC 20沉积在支撑件4c中的突起4cb上由于突起4c仅与SiC衬底10的外周的一部分接触，所以SiC 20的沉积范围窄，影响减小。当SiC膜11沉积在SiC衬底10上时，再次制备新的SiC衬底10并将其装载在基座4上，并且在SiC衬底10上沉积SiC膜11.选择的图：图5

12. 发明专利

JP2016050164A SiC化学気相成長装置审中-公开
标题翻译： SiC化学蒸气沉积装置
公开(公告)号：JP2016050164A
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：JP2014178182
申请日：2014-09-02
申请人：昭和電工株式会社 , 一般財団法人電力中央研究所 , 株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所
发明人：深田啓介 , 伊藤雅彦 , 鎌田功穂 , 土田秀一 , 藤林裕明 , 上東秀幸 , 内藤正美 , 原一都 , 青木宏文 , 小澤隆弘
IPC分类号： H01L21/205 , C30B25/14 , C23C16/44 , C23C16/42 , C30B29/36
摘要：【課題】温度分布によるガスの対流や拡散を抑制し、原料ガス起因の堆積物がガス導入管に付着することを抑制したSiC化学気相成長装置を提供する。【解決手段】本発明のSiC化学気相成長装置は、成長空間を構成する炉体と、前記炉体内に備えられSiCウェハを載置する載置台と、前記炉体内へ原料ガスを導入し、導入口がテーパー形状を有するガス導入管とを備え、前記ガス導入管を構成する材料が、放射率が0.5以上の材料を含むことを特徴とするSiCエピタキシャルウェハの製造装置。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过抑制由于温度分布引起的对流和扩散来抑制由于原料气体而导致的沉积物与气体导入管的粘附的SiC化学气相沉积设备。解决方案：SiC化学气相生长本发明的装置包括：构成生长空间的炉体; 放置在炉体中用于将SiC晶片放置在其上的放置台; 以及气体引入管，用于将材料气体引入炉体并具有锥形导入口，构成气体导入管的材料，其含有发射率为0.5以上的材料。图1

13. 发明专利

JP6540270B2 炭化珪素半導体のエピタキシャル成長装置有权
公开(公告)号：JP6540270B2
公开(公告)日：2019-07-10
申请号：JP2015126930
申请日：2015-06-24
申请人：株式会社デンソー , 一般財団法人電力中央研究所 , 昭和電工株式会社
发明人：内藤正美 , 藤林裕明 , 原一都 , 土田秀一 , 鎌田功穂 , 伊藤雅彦 , 深田啓介 , 上東秀幸
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/455 , H01L21/205

15. 发明专利

JP2017011184A 炭化珪素半導体のエピタキシャル成長装置审中-公开
标题翻译：碳化硅半导体外延生长装置
公开(公告)号：JP2017011184A
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2015126931
申请日：2015-06-24
申请人：株式会社デンソー , 一般財団法人電力中央研究所 , 昭和電工株式会社
发明人：原一都 , 内藤正美 , 藤林裕明 , 土田秀一 , 鎌田功穂 , 伊藤雅彦 , 深田啓介 , 上東秀幸
IPC分类号： H01L21/205
摘要：【課題】SiC半導体のエピタキシャル成長時のAlのドーピング濃度を安定化する装置を提供する。【解決手段】第1ガス導入管4と第2ガス導入管5を分け、Alが含まれるp型不純物のドーパントガスが導入される第2ガス導入管5側にAlを除去できるエッチングガスを導入する。これにより、第2ガス導入管5の内壁面にAlが付着しようとしても、エッチングガスによって除去され、Alの付着を抑制できる。付着したAlの再蒸発や剥がれを抑制し、エピタキシャル成長するSiC半導体層10中に余分なAlが取り込まれることを抑制する。【選択図】図1
摘要翻译：在SiC半导体外延生长的Al稳定的掺杂浓度的装置。第一气体导入管4划分的第二气体导入管5，能够引入的p型杂质，其包括Al的第二气体入口管5侧的掺杂剂气体中除去的Al的蚀刻气体引入到。因此，即使试图附着Al为第二气体入口管5的内壁表面上，通过蚀刻气体中除去，可以抑制Al的粘附性。连接并再蒸发和Al的剥离抑制，防止了过量的Al外延生长在SiC半导体层10中掺入。点域1

16. 发明专利

JP2017011183A 炭化珪素半導体のエピタキシャル成長装置审中-公开
标题翻译：碳化硅半导体外延生长装置
公开(公告)号：JP2017011183A
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2015126930
申请日：2015-06-24
申请人：株式会社デンソー , 一般財団法人電力中央研究所 , 昭和電工株式会社
发明人：内藤正美 , 藤林裕明 , 原一都 , 土田秀一 , 鎌田功穂 , 伊藤雅彦 , 深田啓介 , 上東秀幸
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/455 , H01L21/205
摘要：【課題】Alのドーピング濃度を安定化させられるSiC半導体のエピタキシャル成長装置を提供する。【解決手段】第1ガス導入管4と第2ガス導入管5を分け、Alが含まれるp型不純物のドーパントガスが導入される第2ガス導入管5側に冷却部13を設けることで、第2ガス導入管5を冷却できるようにする。これにより、第2ガス導入管5から導入されるドーパントガスの温度をAlが付着する温度の下限値である500℃よりも低い450℃以下に低下させられ、Alの付着を抑制することが可能となる。したがって、付着したAlの再蒸発や剥がれを抑制でき、エピタキシャル成長させられるSiC半導体層10中に余分なAlが取り込まれることを抑制できる。これにより、SiC半導体層10内におけるAlのドーピング濃度を安定化させることが可能となる。【選択図】図1
摘要翻译：提供的SiC半导体的外延生长装置中是稳定的Al的掺杂浓度。甲分别从第一气体导入管4和第二气体入口管5，通过设置在冷却部13向p型杂质，其包括铝被引入的第二气体入口管5侧的掺杂气体，第二气体入口管5被冷却。因此，可以从第二气体导入管5的Al引入的掺杂剂气体的温度降低低450℃或小于500℃，其是粘附的温度的下限，抑制Al的粘附而成。因此，所沉积的Al再蒸发和剥离被抑制，所以能够抑制多余的Al的SiC半导体层10中掺入外延生长。这使得可以以稳定的Al在SiC半导体层10的掺杂浓度。点域1

17. 发明专利

JP2017011182A 炭化珪素半導体のエピタキシャル成長装置审中-公开
标题翻译：碳化硅半导体外延生长装置
公开(公告)号：JP2017011182A
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2015126929
申请日：2015-06-24
申请人：株式会社デンソー , 一般財団法人電力中央研究所 , 昭和電工株式会社
发明人：藤林裕明 , 内藤正美 , 原一都 , 土田秀一 , 鎌田功穂 , 伊藤雅彦 , 深田啓介 , 上東秀幸
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/42 , C30B29/36 , C30B25/14 , H01L21/205
摘要：【課題】エピタキシャル成長させるSiC半導体層のキャリア濃度を制御性良く形成可能なSiC半導体におけるエピタキシャル成長装置を提供する。【解決手段】第1〜第3構成部34a〜34cのうち、第1〜第4導入口31a〜31dを構成する壁面を成長室側において傾斜させ、第1〜第4導入口31a〜31dの開口幅を成長室側に向けて徐々に広げる。これにより、各種ガスの導入範囲を広げられる。したがって、SiC半導体基板70の表面にほぼ面内分布無く均一に各種ガスを供給することが可能となる。【選択図】図1
摘要翻译：在良好的可控性可以形成SiC半导体层的SiC半导体载流子浓度设置外延生长装置外延生长。 A中的第一到第三的配置部34a间 - 构成第一至第四进气口的第一至第四入口在生长室面31a〜31d中，符号31a〜31d的34 C，倾斜壁面向开口宽度向生长室逐渐变宽。因此，它传播的各种气体的引入范围。因此，可以将SiC半导体基板70的表面上提供均匀无各种气体基本上面内分布。点域1

18. 发明专利

JP2019218229A 炭化珪素単結晶およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019218229A
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：JP2018116384
申请日：2018-06-19
申请人：株式会社デンソー , 一般財団法人電力中央研究所
发明人：徳田雄一郎 , 上東秀幸 , 星乃紀博 , 鎌田功穂 , 土田秀一
IPC分类号： C30B25/02 , C30B29/36
摘要：【課題】転位の発生や増殖を抑制することができるSiC単結晶およびその製造方法を提供する。【解決手段】SiC単結晶6の成長中に重金属元素を添加し、その添加密度を1×10 15 cm −3 以上とする。このような構成のSiC単結晶6は、成長中に生じる熱応力による転位が発生しにくくされたものである。このため、SiC単結晶6をスライスしてウェハとし、その上にSiC層をエピタキシャル成長させる場合にも、転位が発生しにくくなる。このような構成とすることにより、転位の発生や増殖を抑制することができるSiC単結晶とすることが可能となる。【選択図】図1

19. 发明专利

JP6839525B2 SiC単結晶複合体及びSiCインゴット有权
公开(公告)号：JP6839525B2
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：JP2016222273
申请日：2016-11-15
申请人：昭和電工株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：藤川陽平 , 上東秀幸
IPC分类号： C30B23/06 , C30B29/36

20. 发明专利

JP6768492B2 SiCインゴットの製造方法有权
公开(公告)号：JP6768492B2
公开(公告)日：2020-10-14
申请号：JP2016251169
申请日：2016-12-26
申请人：昭和電工株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：藤川陽平 , 上東秀幸
IPC分类号： C30B23/06 , C30B29/36

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