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12. 发明专利

JP6835192B2 炭化珪素半導体装置有权
公开(公告)号：JP6835192B2
公开(公告)日：2021-02-24
申请号：JP2019222852
申请日：2019-12-10
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：和田圭司 , 西口太郎 , 日吉透 , 堀井拓 , 内田光亮
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/205 , H01L21/20 , C23C16/42 , C30B29/36 , C30B25/20 , H01L29/78

13. 发明专利

JP2020047943A 炭化珪素半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020047943A
公开(公告)日：2020-03-26
申请号：JP2019222852
申请日：2019-12-10
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：和田圭司 , 西口太郎 , 日吉透 , 堀井拓 , 内田光亮
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/205 , H01L21/20 , C23C16/42 , C30B29/36 , C30B25/20 , H01L29/78
摘要：【課題】長期信頼性が向上した炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置は、第1導電型を有する第1不純物領域を含む炭化珪素エピタキシャル層と、ゲート絶縁膜とを備える。第1不純物領域の表面には、表面に沿って一方向に延びるとともに、一方向における幅が前記一方向に垂直な方向における幅の2倍以上であり、かつ、表面からの最大深さが10nm以下である溝部が形成されている。表面にはピット部がさらに形成されている。ピット部の表面からの最大深さは、溝部の表面からの最大深さよりも大きい。一方向における溝部の幅は、50μm以下である。炭化珪素半導体装置は、炭化珪素基板をさらに備える。炭化珪素基板の直径は、150mm以上である。【選択図】図1

14. 发明专利

JP6237046B2 炭化珪素半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6237046B2
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：JP2013198198
申请日：2013-09-25
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：日吉透 , 堀井拓 , 増田健良 , 山田俊介
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/049 , H01L21/28247 , H01L29/4236 , H01L29/42364 , H01L29/4916 , H01L29/513 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7802 , H01L29/7813

16. 发明专利

JP6107450B2 炭化珪素半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6107450B2
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：JP2013123871
申请日：2013-06-12
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：堀井拓
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/205 , H01L21/20
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/02164 , H01L21/02378 , H01L21/0445 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3083 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L29/0657 , H01L29/66068 , H01L29/7813 , H01L29/045 , H01L29/4236

17. 发明专利

JP5803979B2 炭化珪素基板および炭化珪素半導体装置ならびに炭化珪素基板および炭化珪素半導体装置の製造方法有权
标题翻译：碳化硅衬底和制造碳化硅半导体器件和碳化硅衬底和碳化硅半导体器件的方法
公开(公告)号：JP5803979B2
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：JP2013113090
申请日：2013-05-29
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：田中聡 , 山田俊介 , 堀井拓 , 松島彰 , 久保田良輔 , 沖田恭子 , 西浦隆幸
IPC分类号： H01L29/161 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/20 , C30B29/36
CPC分类号： H01L21/02529 , C30B25/18 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/02378 , H01L21/02598 , H01L21/02636 , H01L21/3065 , H01L29/0657 , H01L29/1608 , H01L23/3185 , H01L29/045 , H01L29/66068 , H01L29/7813 , H01L2924/0002

18. 发明专利

JP2015115569A 炭化珪素半導体装置およびその製造方法有权
标题翻译：硅碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015115569A
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：JP2013258869
申请日：2013-12-16
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：山田俊介 , 田中聡 , 久保田良輔 , 堀井拓
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/046 , H01L21/0475 , H01L21/0485 , H01L21/30604 , H01L29/086 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/66712 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/7813
摘要：【課題】炭化珪素基板と電極との間の接触抵抗を効果的に低減可能な炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素基板10の第1の主面10aに対して第1の不純物をイオン注入することにより第1の不純物領域14が形成される。第1の不純物領域14に接する金属層16aが形成される。炭化珪素基板10および金属層16aをアニールすることにより電極16が形成される。金属層16aと第1の不純物領域14との境界部10cにおける第1の不純物の濃度が、第1の不純物領域14の第1の不純物の濃度の最大値よりも小さくなるように金属層16aが形成される。電極16と第1の不純物領域14との境界部8b2における第1の不純物の濃度が、法線方向における第1の不純物領域14の第1の不純物の濃度の最大値の80%以上となるように電極16が形成される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供：能够有效地降低碳化硅衬底和电极之间的接触电阻的碳化硅半导体器件; 以及制造这种碳化硅半导体器件的方法。解决方案：一种用于制造碳化硅半导体器件的方法包括以下步骤：通过在第一杂质区域14的第一主表面10a上执行第一杂质的离子注入来形成第一杂质区域14 碳化硅衬底10; 形成与第一杂质区14接触的金属层16a; 以及通过退火碳化硅衬底10和金属层16a形成电极16。金属层16a形成为使得金属层16a和第一杂质区域14的边界部分10c中的第一杂质的浓度小于第一杂质区域14中第一杂质的最大浓度。电极16 形成为使得电极16和第一杂质区域14的边界部分8b2中的第一杂质的浓度在正常方向上变为第一杂质区域14中的第一杂质的最大浓度的80％以上。

19. 发明专利

JP6459894B2 炭化珪素半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6459894B2
公开(公告)日：2019-01-30
申请号：JP2015204626
申请日：2015-10-16
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：田中聡 , 酒井光彦 , 斎藤雄 , 堀井拓 , 山本裕史
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/329 , H01L29/872 , H01L21/28

20. 发明专利

JP2018018998A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018018998A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：JP2016149311
申请日：2016-07-29
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：堀井拓 , 日吉透
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L29/12
摘要：【課題】炭化珪素基板中の基底面転位に起因する信頼性の低下を抑制することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、炭化珪素基板11と、炭化珪素基板11上に配置され、炭化珪素からなるエピ層12と、を備える。エピ層12は、第1エピ層18と、第1エピ層18上に配置される第2エピ層と、を含む。第1エピ層18は、イオン注入領域91を含む。第2エピ層は、第1導電型を有するドリフト領域13と、第1導電型とは異なる第2導電型を有する一対のボディ領域14と、を含む。ドリフト領域13の一対のボディ領域14に挟まれる領域を、エピ層12の厚み方向に垂直な一平面に対して方向に投影した第1投影像αが、イオン注入領域91を上記一平面に対して方向に投影した第2投影像βに包含される。【選択図】図1

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