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11. 发明专利

JP2005130195A6 JP2005130195A6 - Quantum cryptography communication method 有权
公开(公告)号：JP2005130195A6
公开(公告)日：2005-05-19
申请号：JP2003363549A
申请日：2003-10-23
申请人：三菱電機株式会社
发明人：栄治柳生
摘要：【課題】通信レートを向上するとともに盗聴検出を容易に行える量子暗号通信方法を提供する。
【解決手段】量子暗号通信方法は、２種類の符号化基底を使用して光子の量子状態を情報に従って符号化した光パルス列を送信する量子暗号通信方法において、情報を複数の送信データ列に分割し、符号化基底を不均等な使用確率で用いて最初の送信データ列に従って符号化した光パルス列を送信し、符号化基底を任意の使用確率で使用して該光パルス列を受信し、複号化し、受信において使用した符号化基底を送信者側に連絡し、連絡された符号化基底から受信に使用した符号化基底の使用確率を推定し、推定した使用確率で符号化基底を使用して次の送信データ列に従って符号化した光パルス列を送信し、順次すべての送信データ列に従って符号化された光パルス列を送信する。
【選択図】図２

12. 发明专利

JP6120761B2 光送信器および光送信器の制御方法有权
公开(公告)号：JP6120761B2
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：JP2013256685
申请日：2013-12-12
申请人：三菱電機株式会社
发明人：健太郎榎 , 健太郎榎 , 泰久島倉 , 泰久島倉 , 柳生　栄治 , 栄治柳生 , 宏彰新宅 , 宏彰新宅 , 周作林 , 周作林
IPC分类号： G02F1/03
CPC分类号： H04B10/50575 , H04B10/5053

13. 发明专利

JP5665728B2 光デバイス有权
标题翻译：光学设备
公开(公告)号：JP5665728B2
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：JP2011278548
申请日：2011-12-20
申请人：三菱電機株式会社
发明人：高林　正和 , 正和高林 , 後藤田　光伸 , 光伸後藤田 , 智志西川 , 智志西川 , 柳生　栄治 , 栄治柳生 , 斎藤　健 , 健斎藤
IPC分类号： G02B6/122

14. 发明专利

JP5492116B2 Optical receiver module 有权
公开(公告)号：JP5492116B2
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：JP2011029756
申请日：2011-02-15
申请人：三菱電機株式会社
发明人：裕一郎堀口 , 智志西川 , 正和高林 , 利治宮原 , 哲加治屋 , 竜夫八田 , 規男岡田 , 栄治柳生
IPC分类号： H01L31/10 , H04B10/40 , H04B10/50 , H04B10/60

15. 发明专利

JP5045436B2 Avalanche photodiode 有权
公开(公告)号：JP5045436B2
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：JP2007516165
申请日：2005-05-18
申请人：三菱電機株式会社
发明人：雅晴中路 , 栄治柳生 , 栄太郎石村
IPC分类号： H01L31/107
CPC分类号： H01L31/1075 , H01L31/0352 , H01L31/184 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： Provided is an avalanche photodiode including a first electrode; and a substrate including a first semiconductor layer made of a first conduction type electrically connected to the first electrode, in which at least an avalanche multiplication layer, a light absorption layer, and a second semiconductor layer made of a second conduction type with a larger band gap than the light absorption layer are deposited on the substrate; the second semiconductor layer is separated into an inner region and an outer region by a groove formed therein; and the inner region is electrically connected to a second. With such a configuration, it is possible to provide the avalanche photodiode with a low dark current and high long-term reliability in a simple process. In addition, the outer region is provided with an outer trench, and at least light absorption layer is removed by the outer trench to form a side face of the light absorption layer. With such a configuration, it is possible to further reduce the dark current.

16. 发明专利

JP4956944B2 Avalanche photodiode 有权
公开(公告)号：JP4956944B2
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：JP2005263470
申请日：2005-09-12
申请人：三菱電機株式会社
发明人：雅晴中路 , 栄治柳生 , 栄太郎石村
IPC分类号： H01L31/107
CPC分类号： H01L31/107

17. 发明专利

JPWO2008111320A1 光ファイバセンサ有权
公开(公告)号：JPWO2008111320A1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：JP2009503913
申请日：2008-01-07
申请人：三菱電機株式会社
发明人：智志西川 , 智志西川 , 高林　正和 , 正和高林 , 吉新　喜市 , 喜市吉新 , 柳生　栄治 , 栄治柳生 , 三谷　干城 , 干城三谷 , 祐多郎濱谷 , 祐多郎濱谷
IPC分类号： G01N21/41
CPC分类号： G01N21/774
摘要：本発明は、単純な構成で、広い屈折率範囲において被測定媒質の屈折率を感度よく計測できる光ファイバセンサを提供することを目的とする。本発明は、ブラッググレーティング(9)が形成されたコア(4)及びクラッド(5)の部分でクラッド伝搬モードの漏洩による透過損失が生じるようにした光ファイバ(1)と、クラッド伝搬モードの波長帯域の光を光ファイバ(1)に入射する光源(2)と、ブラッググレーティング(9)が形成された位置のコア(4)及びクラッド(5)を経た光の透過光あるいは反射光を受ける受光部(3)とを備え、受光部(3)が受ける総受光強度に基づき、クラッド(5)に接する被測定媒質の屈折率を検出する光ファイバセンサであって、ブラッググレーティング(9)は、光ファイバ(1)の長手方向の垂直線に対し所定の傾斜角度を有している。

18. 发明专利

JPWO2006123410A1 アバランシェフォトダイオード有权
公开(公告)号：JPWO2006123410A1
公开(公告)日：2008-12-25
申请号：JP2007516165
申请日：2005-05-18
申请人：三菱電機株式会社
发明人：柳生　栄治 , 栄治柳生 , 石村　栄太郎 , 栄太郎石村 , 中路　雅晴 , 雅晴中路
IPC分类号： H01L31/107
CPC分类号： H01L31/1075 , H01L31/0352 , H01L31/184 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要：アバランシェフォトダイオードにおいて、第1電極と、これに電気的に接続された第1導電型からなる第1の半導体層を具備する基板とを備え、前記基板には、少なくともアバランシェ増倍層と、光吸収層と、前記光吸収層よりバンドギャップの大きい第2導電型からなる第2の半導体層とが積層され、前記第2の半導体層に形成された溝によって内部領域と外部領域とに分離され、前記内部領域は、第2電極に電気的に接続させる構成とした。この構成により、簡易な工程で、低暗電流、かつ長期信頼性の高いアバランシェフォトダイオードを提供できる。また、前記内部領域および溝を囲むように、前記外部領域に外堀を設け、前記外堀により少なくとも光吸収層が除去され、前記光吸収層の側面を形成する構成とした。この構成により、さらに暗電流を低減できる。

19. 发明专利

JP5641821B2 ヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法有权
标题翻译：一种制造异质结型场效应晶体管的方法
公开(公告)号：JP5641821B2
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：JP2010187985
申请日：2010-08-25
申请人：三菱電機株式会社
发明人：南條　拓真 , 拓真南條 , 章文今井 , 章文今井 , 鈴木　洋介 , 洋介鈴木 , 吹田　宗義 , 宗義吹田 , 勝臣塩沢 , 勝臣塩沢 , 阿部　雄次 , 雄次阿部 , 柳生　栄治 , 栄治柳生
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/265 , H01L29/778 , H01L29/812

20. 发明专利

JP5534701B2 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP5534701B2
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：JP2009097983
申请日：2009-04-14
申请人：三菱電機株式会社
发明人：宗義吹田 , 拓真南條 , 章文今井 , 雄次阿部 , 栄治柳生
IPC分类号： H01L29/812 , H01L21/338 , H01L29/778

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