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13. 发明专利

JP2015185642A 双方向フォトサイリスタチップ、ソリッドステートリレー有权
标题翻译：双向光电二极管芯片和固态继电器
公开(公告)号：JP2015185642A
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：JP2014059712
申请日：2014-03-24
申请人：シャープ株式会社
发明人：鞠山満 , 松本浩司 , 澤井敬一 , 鈴木成次 , 一條尚生
IPC分类号： H01L29/747 , H01L29/74 , H01L31/111
摘要：【課題】ラテラル構造のPNPN素子を有すると共に高電流化を図る。【解決手段】双方向フォトサイリスタチップは、1つの半導体チップの表面上の第1フォトサイリスタ部(42a)および第2フォトサイリスタ部は、一方向に延在するアノード拡散領域(43)と、基板と、ゲート拡散領域(44)と、このゲート拡散領域(44)内に形成されたカソード拡散領域(45)とを含むPNPN部を有しており、上記アノード拡散領域(43)と上記ゲート拡散領域(44)との互いに対向する二つの側辺と、上記カソード拡散領域(45)の上記アノード拡散領域(43)と対向する側辺(45a)とのうちの、少なくとも何れか一つの側辺の平面形状が、上記アノード拡散領域(43)から上記ゲート拡散領域(44)および上記カソード拡散領域(45)に向かって供給される電流が、上記一方向の中央部へ集中するのを緩和する形状になっている。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种包括横向结构的PNPN元件并实现更高电流的双向光晶体管芯片。解决方案：在双向光电晶闸管芯片中，表面上的第一光致可控硅部分（42a）和第二光敏晶体管部分一个半导体芯片具有包括在一个方向上延伸的阳极扩散区域（43）的PNPN部分，衬底，栅极扩散区域（44）和形成在栅极扩散区域（44）内的阴极扩散区域。选自阳极扩散区域（43）和栅极扩散区域（44）的两侧中的至少任一侧的平面形状，两侧面对的面和阴极扩散区域的侧面（45a）如图45所示，面对阳极扩散区域（43）的一侧是这样的形状：使从一个方向到中心部分的电流集中松弛，从阳极扩散区域（43）向栅极扩散区域（44）和阴极扩散区（45）。

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